《Mentor SiP系统级封装设计与仿真》出版与技术答疑！

li_suny

simhfc 发表于 2013-4-28 21:19
8 g, n. q3 l! i$ _; g我能理解，但PCB的Layer都已经变动了，CES里的Stackup也同步变化了，仅仅在信息显示上仍给出老模板的信 ...

这个原始信息确实意义不大，所以我从来都没注意过{:soso_e120:}

simhfc

li_suny 发表于 2013-5-2 09:47
这个原始信息确实意义不大，所以我从来都没注意过

唉~~~ 自从注意到这个信息，每次开CES都忍不住去瞄一眼，成了疙瘩，强迫症啦~{:soso_e118:}

cxt668

Orcad画的原理图怎么将网表导入到EE PCB中？有没有详细的新PCB封封装库的教材？谢谢！

li_suny

simhfc 发表于 2013-5-2 14:06
7 b2 B" Z  m8 a/ L8 ^唉~~~ 自从注意到这个信息，每次开CES都忍不住去瞄一眼，成了疙瘩，强迫症啦~

: d- P) e" P5 X! t9 {4 }呵呵，这个，忽视它吧！

li_suny

cxt668 发表于 2013-5-3 20:23
Orcad画的原理图怎么将网表导入到EE PCB中？有没有详细的新PCB封封装库的教材？谢谢！

出一个*.kyn格式的网表就可以很方便地导入Expedition了。
+ ^! v: g9 U6 v9 i0 j$ u% C5 h6 ~关于教材你可以参考这个帖子：https://www.eda365.com/thread-86256-1-1.html

simhfc

来问问li_suny先生， Mentor EE的CES Stackup里，阻抗值是如何计算出来的？ 相同的参数，其结果却总是与Si8000/Si9000的结果不一致，这是虾米情况？

li_suny

simhfc 发表于 2013-5-4 15:10
5 b* v" B& K; r/ n6 o& Z* T来问问li_suny先生， Mentor EE的CES Stackup里，阻抗值是如何计算出来的？ 相同的参数，其结果却总是与Si8 ...

CES Stackup应该是从HyperLynx里继承过来的（以前CES里并没有），我曾经将HyperLynx和 SI8000做过比较，基本是一致的。应该说SI8000里的设置更详细一些，但结果基本一致。
4 K  a0 E) I4 a& }7 NCES里的我没有比较过，还不好说。

simhfc

& G/ E% w  w0 m( W+ t4 y4 T

li_suny 发表于 2013-5-6 09:20
CES Stackup应该是从HyperLynx里继承过来的（以前CES里并没有），我曾经将HyperLynx和 SI8000做过比较，基 ...

图中是两者的对照：

0 S" X( `) i7 r7 U/ y  D; \0 TSi9000

, M$ W; ?& S* Z6 {# L
9 G! p% z% Y6 H7 G
CES Stackup
' `" }& A. o: d4 U

Si9000中，即使走线的上下宽度均为4，计算出的单端阻抗是58.88，与CES的56.9仍不相同，请问CES中的计算是否具备实用意义？还是只有参考价值？

li_suny

1 r3 S6 `3 i0 Y& W$ p! P

simhfc 发表于 2013-5-7 15:44
9 k* J% C+ m: b& ~) u5 T+ k图中是两者的对照：

Si9000

你用的是那个版本的CES？和我的不太一样，我的CES Signal层的Er不是Auto。

simhfc

li_suny 发表于 2013-5-7 17:25
你用的是那个版本的CES？和我的不太一样，我的CES Signal层的Er不是Auto。

1 G) _9 v  i) z* E. y! u7.9.4的CES；

Metal的Er几乎没影响，介质和阻抗的Er可修改就ok，请问你按照Si9000截图中的参数在CES的Stackup中是否能得出几乎一致的结果？

li_suny

6 `/ g9 G$ M* S, w; d

simhfc 发表于 2013-5-7 18:27
* Y0 b) e! _6 C9 {+ i7.9.4的CES；

Metal的Er几乎没影响，介质和阻抗的Er可修改就ok，请问你按照Si9000截图中的参数在CES的 ...

: \6 _" P% w% ^/ m2 t0 n; D" G其实我的也不是完全一致，默认情况下和你的情况差不多。下面是我对这个问题的一点看法，不一定完全对。
1.即使按照默认情况，两者的差别也仅有3.5%，应该是可以接受，因为生产过程中的误差比这个还要大（包括铜线宽宽度腐蚀、介质层厚度误差等等）。

4 S0 \7 p1 q) a( h' K/ D+ t2.那这种差别到底是何种原因造成的呢？我做了以下分析。

首先看第一张图，当Signal层的Er=3.4的时候，Z0=56.9，当Er=1的时候，Z0=61，当Er=2.2的时候，Z0=58.6。
（Er=3.4可理解为Soldermask占据了整个Signal层，Er=1可理解为金属占据了整个Signal层，Er=2.2可理解为Signal层是个混合层。
, Q: P2 z+ m7 q, K

然后看第二张图，Signal层确实是个混合层，那么Er就不能按照某一个材料的来算了，也得均衡一下，最简单的就是做个平均。（3.4+1）/2=2.2。
综合看来，均衡后的更接近Si9000，估计Si9000应该是考虑了这种因素，但这个值其实是不定的，因为布线分布的情况不一而导致混合Er的差异，不过这种误差基本可以忽略。

lalasa1987

差分线添加过孔的时候，怎么设置两过孔的间距？

simhfc

; R' @( P2 `& F% \, b! `

li_suny 发表于 2013-5-8 12:29
' m1 D+ P! `5 i6 j; l0 d其实我的也不是完全一致，默认情况下和你的情况差不多。下面是我对这个问题的一点看法，不一定完全对。 ...

3 o6 |' ~3 f5 y8 g4 R
呃…… 通常所说的阻抗，都是指金属导体的走线的阻抗，也就是说金属导体的Er必然是统一、一致的，布线走到哪里，哪里的Er就是同一定值，我个人觉得……应该不能混合按比例计算吧；

Si9000中没有相关的比例参数，软件也不知道布线情况，应该不是预设比例计算的，我个人认为计算公式里本没有这个变量，呵呵……
0 B9 x( }/ e2 B! A
$ l5 ^5 B2 d  p( b2 V8 |0 d介质层的Er有可能按照比例或厚度计算的，但那与导体层无关了；

6 ]6 Z; {( x7 M& J6 }* B也罢，既然Stackup的参数还是具有参考价值，以后就当作参考值了，能直接观察还是比较方便的；标准值或出给板厂的要求还是用Si8000/9000制作吧，多谢验证和探讨，辛苦！

li_suny

lalasa1987 发表于 2013-5-8 17:09
差分线添加过孔的时候，怎么设置两过孔的间距？

4 u! `5 K) _7 L: b这个间距应该是在CES里设置的 Via to via的间距。

li_suny

simhfc 发表于 2013-5-8 17:47
8 s/ W& |2 c) s5 M, M6 y呃…… 通常所说的阻抗，都是指金属导体的走线的阻抗，也就是说金属导体的Er必然是统一、一致的，布线走 ...

' L( j: E1 N% ~$ Z! ~4 rEr是统一、一致其实只是一种理想的假定，实际上都是有差别的。

9 @/ b' R7 @" D4 ], T1 R& G至于Er的混合算法也我曾经分析介质材料的成分时得出的结果，虽然不一定准确，还是有一定道理的。
例如介质材料中的106，1080，2116，7628等Er不同主要是因为所含树脂和玻璃纤维的含量比例不同而导致，Er本身也是混合而成的。
8 l8 A2 C- _8 f/ _0 p& k- p
, k) h8 m6 F4 f1 T" I' g欢迎讨论！