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本帖最后由 li_suny 于 2013-5-8 12:56 编辑 0 k0 S6 c% N8 s+ @
simhfc 发表于 2013-5-7 18:27
' G: B. ?9 \) B1 C7.9.4的CES;
+ X5 X2 i; |5 T3 h4 S0 ` X- ~
Metal的Er几乎没影响,介质和阻抗的Er可修改就ok,请问你按照Si9000截图中的参数在CES的 ... $ v7 n# L7 m+ O0 d. L. B' B
; G* x2 K( B7 f, l1 e0 _0 b其实我的也不是完全一致,默认情况下和你的情况差不多。下面是我对这个问题的一点看法,不一定完全对。
7 v! B( \% H* i& n1.即使按照默认情况,两者的差别也仅有3.5%,应该是可以接受,因为生产过程中的误差比这个还要大(包括铜线宽宽度腐蚀、介质层厚度误差等等)。* [, {- P. f% V1 W
" i% R7 R$ t, s/ p: }& o9 `
2.那这种差别到底是何种原因造成的呢?我做了以下分析。
% Z2 q; J3 T# c" N/ _4 h* k7 j3 p9 k; C3 B1 B2 `
首先看第一张图,当Signal层的Er=3.4的时候,Z0=56.9,当Er=1的时候,Z0=61,当Er=2.2的时候,Z0=58.6。% t1 g; t E, Y3 T( c
(Er=3.4可理解为Soldermask占据了整个Signal层,Er=1可理解为金属占据了整个Signal层,Er=2.2可理解为Signal层是个混合层。* {5 d' P! N- a4 \
; ], V0 N# M3 Z7 q! u4 r
% u- \4 N9 U3 R然后看第二张图,Signal层确实是个混合层,那么Er就不能按照某一个材料的来算了,也得均衡一下,最简单的就是做个平均。(3.4+1)/2=2.2。
" |8 c5 c- {! x) B, Q( ?& ^- \综合看来,均衡后的更接近Si9000,估计Si9000应该是考虑了这种因素,但这个值其实是不定的,因为布线分布的情况不一而导致混合Er的差异,不过这种误差基本可以忽略。1 q D3 @2 G6 s8 L# O
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