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本帖最后由 DAA008 于 2012-2-20 09:56 编辑 . R/ w7 _! c; a
clandey 发表于 2008-12-9 15:46 ![]()
: l% k+ z4 F( q @" U# Z晶振的布局一般很靠近芯片，走线一般都很短，所以我也倾向走表层，也没见EMI有什么问题。不过我见过的晶振才 ...
5 w9 c- }+ E6 P6 _$ f g
7 Q( C7 l# t: f如果是石英震盪器送出給晶片的走線，建議是走得又短，又在外層。5 s# F8 s2 A9 [; c" o, z5 ~# M" q
誠如上方討論，走內層的好處是crosstalk又少，阻抗控制得又準。/ e# F f7 M2 S) S
: N1 U6 R6 ]: T K8 a0 ?- D走線本身會有電容性，拉越長就越多，
. E: _* }0 L) d+ ~: T若要走內層則無可避免得打額外的via，這又增加額外的電容性。
G9 V6 Z% {/ ~3 p$ s3 e
, t$ H( y1 @9 L5 t這一點點電容性一般走線對一般串列訊號是很少差別的，, N p% u% \% q- m! g k
除非走線又長(ex:>15")速度又快(ex:>6Gbps)。
# z0 b4 ?4 e, x. a$ [但對於震盪器輸出的地方而言，這點點電容會影響震盪的頻率，, d. T1 H' g0 W- C" {9 C
電容越大影響就越多，會造成晶片接收clock訊號頻率差異而無法滿足spec。
# N$ ^; Y. d: a/ a3 w: E8 ^" A2 c& f5 z. H9 A6 @8 B
至於不是從震盪器出來的一般的晶片互傳的clock訊號，
$ U, \/ ?, t1 o$ b; ~走得越長的話盡量把它埋到內層，短短的話就沒啥差了～7 h. R- D) g- G
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楼主: mengzhuhao
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发表于 2011-11-30 20:30
发表于 2011-12-5 23:29
