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全面围堵中国,美方再出“幺蛾子”,对华禁令再度升级!

2024-8-2 16:45| 查看: 2| 评论: 0|原作者: 芯流智库|来自: 芯流智库

摘要: 7月31日,路透社报道,拜登政府计划于8月颁布新规,将扩大阻止部分国家向中国大陆芯片制造商出口半导体制造设备范畴。据知情人士透漏,美国曾半个月前释出“外国直接产品规则”(FDPR),试图严控ASML与东电等国际大厂对中国大陆供货,但在“盟友”强烈反对下,最终赦免了ASML与东电的限制。禁令再度升级,新规即将公布2023年7月14日,在美国施压下,荷兰出台出口管制新规,规定将禁止AS...




7月31日,路透社报道,拜登政府计划于8月颁布新规,将扩大阻止部分国家向中国大陆芯片制造商出口半导体制造设备范畴。


据知情人士透漏,美国曾半个月前释出“外国直接产品规则”(FDPR),试图严控ASML与东电等国际大厂对中国大陆供货,但在“盟友”强烈反对下,最终赦免了ASML与东电的限制。



禁令再度升级,新规即将公布


2023年7月14日,在美国施压下,荷兰出台出口管制新规,规定将禁止ASML在未经政府批准为受管制的设备提供维护、维修和备件支持。新规要求从9月1日开始。


然而2024年3月初,ASML以搬离荷兰,要求荷兰政府在出口管制问题上改变其错误路线。3月22日,荷兰首相访华前,ASML对外宣布已取得对华出口的许可。


2024年7月17日,美国再次升级对盟国压力—如果东京电子和ASML等非美国企业继续向中国提供先进半导体技术,美国将援引《外国直接产品规则(FDPR)》,阻止任何使用美国技术的产品从世界各地出口到中国大陆的芯片制造厂。


2024年7月31日,美国拜登政府计划8月将公布新规,出台一系列政策:


1、阻止美光、SK海力士、三星向中国企业供应用于人工智能的HBM芯片;


2、扩大美国阻止部分外国向中国芯片制造商出口半导体制造设备的长期管辖权,计划将大约 120 家中国实体列入其限制贸易清单,其中包括6家芯片制造工厂及部分设备制造商、EDA相关公司等;


3、限制中国台湾、马来西亚、以色列、新加坡等地的半导体企业与中国半导体企业合作;


4、大幅降低受美国管制的外国制造物项中美国技术含量门槛从现行25%降至与伊朗和朝鲜相同10%。


以上关于HBM的限制,美国计划涵盖 HBM2、HBM3 和 HBM3E 在内的更先进的芯片及制造这些芯片所需的设备,目前美国尚未就限制做出最终决定。


据美国商务部发言人表示:“我们持续评估不断变化的威胁环境,并根据需要更新出口控制,以保护美国国家安全和技术生态系统,我们致力于与共享我们价值观的盟友密切合作。”


据知情人士称,新规目前只是草案,最终内容可能会有所改变,但目标是下个月以某种形式公布。


我国外交部回应


目前,美国新规限制向中国公司直接销售 HBM 芯片,但目前尚不清楚与 AI 加速器捆绑在一起的高端内存芯片是否会被允许在亚洲国家销售。


虽然日本和荷兰跟随美国出台了出口限制,但两国半导体企业出口至中国的半导体制造设备数量仍在激增。


据《日经亚洲》6月曾援引官方数据指出,截至2024年3月份,日本已经连续第三个季度至少50%半导体制造设备出口至中国。7月17日ASML公布财报显示,今年二季度,中国大陆净系统销售额全球占比为49%。

 

东京电子和ASML近年来对华出口额增加 彭博社制图


而对于美国此次新规,7月31日外交部例行记者会上,中方做出回应:


林剑表示,中方已多次就美国恶意封锁打压中国的半导体产业阐明严正立场。美方将经贸科技问题政治化、泛安全化、工具化,不断加码对华的芯片出口管制,胁迫别国打压中国半导体产业,严重破坏国际贸易规则,损害全球产业链稳定,不利于任何一方,中方对此一贯坚决反对。


他强调,遏制打压阻挡不了中国的发展,只会增强中国科技自立自强的决心和能力。中方将密切关注有关动向,坚决维护自身的合法权益,希望相关国家坚决抵制胁迫,共同维护公平开放的国际经贸秩序,真正维护自身的长远利益。


国产设备“新星”,冉冉升起


目前,中国大陆芯片设备市场正在经历一个从依赖进口到自主研发的转变期,这个转变期可能会带来一些短期的痛苦。但从长远来看,这将对中国大陆的半导体产业产生深远的影响。


在国内半导体设备的进展中,最为突出为5项集成电路设备国产化率超过20%。在各个“细分赛道”率先建立竞争优势的设备厂商,拥有先发的研发验证机会、领先的供应份额以及不断积累的量产经验。 


其中工艺技术方面,国产半导体设备厂商在刻蚀、热处理、清洗、等核心工艺环节已取得进步,并与海外传统厂商形成了初步的技术对标。从厂商公开数据看,除光刻机工艺之外,大部分国产设备基本覆盖28nm,刻蚀已突破5nm。


产品方面,在新技术节点上,国产半导体设备厂商配套14nm及以下制程的逻辑工艺、128层3D NAND工艺以及17nm DRAM工艺开展产品验证和合作研发。


刻蚀设备方面,中微公司的介质刻蚀机已进入台积电5nm产线,北方华创相继推出12英寸晶边刻蚀机、12英寸去胶机等新产品,同时各类标杆产品相继达到销量里程碑。


目前国内还有不少设备厂家的性能规格也在稳定性迭代中,逐渐占领高端市场,具体厂家如下(排名不分先后):

 



近几年,在我国电子半导体产业链各环节企业的共同努力下,中高端芯片制造水平实现了较为快速地提升,其中,半导体设备厂商功不可没。


与此同时,我国将继续致力于加大力度,在关键领域进一步推动自主研发和创新,这不仅为我国持续发展提供了动力,也为全球科技进步做出了积极贡献。



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