有关Flash被冲程序

ctq1235

用的EN25T80这颗Flash，总是出现程序被冲掉，重烧程序后板子OK。曾经在硬件把WP脚拉死（强制写保护了），还是会出现程序被冲掉情况，求救大神，还有什么方法改进。

超級狗

軟件保護有做嗎？

0 V  L8 e8 X* M( L# |/ U/ y{:soso_e132:}

' [9 S+ N) _5 _1 G

gwj221

WP为啥不接上拉

myiccdream

是否双电源供电？

超級狗

In addition to the low power consumption feature, the Deep Power-down mode offers extra software protection from inadvertent Write, Program and Erase instructions, as all instructions are ignored except one particular instruction (the Release from Deep Power-down instruction).

進入 Deep Sleep Mode 也可以防寫（Write Protection）！

The Deep Power-down mode is entered when the specific instruction (the Enter Deep Power-down Mode (DP) instruction) is executed. The device consumption drops further to ICC2. The device remains in this mode until another specific instruction (the Release from Deep Power-down Mode and Read Device ID (RDI) instruction) is executed.
3 i9 D+ t8 g" m" F' i
' V3 B6 q. |# n{:soso_e100:}

kully

把详细情况说明，上电还是下电，还是在运行时，这样才可以分析。另外把电路贴齐

qiangqssong

WP脚需加上拉电阻,以保证上电过程和下电过程此管脚的正常,不过有可能在系统上、下电的时候出现误操作的情况；另外版主说的软件保护也很重要，特别是上、下电的过程中。

ctq1235

超級狗 发表于 2013-6-13 18:53
# C: N" D! r- R( D% z3 ~8 n& G軟件保護有做嗎？

软件保护是做了的，但是还是时常的被冲掉。

ctq1235

gwj221 发表于 2013-6-13 19:05
: g* |  e4 i, M! OWP为啥不接上拉

, C% X+ I8 q! D以前WP做过上拉，但是升级不了程序了，所把上拉去掉了。

ctq1235

kully 发表于 2013-6-14 08:02
0 c. [! F& p# S/ Z3 ]: ?. v把详细情况说明，上电还是下电，还是在运行时，这样才可以分析。另外把电路贴齐

3 e) ]- @+ ]6 H, u4 s$ M2 Z是在上电时冲程序。

ctq1235

myiccdream 发表于 2013-6-13 20:35
是否双电源供电？

不是双电源供电，+3V3_Flash只是一个标注net

超級狗

發現管腳相容的還不少，換別廠牌的試試吧！

) e% ^" H$ u0 [/ \4 c宜揚科技股份有限公司（Eon Silicon Solution Inc.），這家是小公司，沒什麼知名度！
( Q  U2 ~# @! L
" j: O5 G3 \/ g: z$ |{:soso_e119:}

ctq1235

超級狗 发表于 2013-6-17 18:07
發現管腳相容的還不少，換別廠牌的試試吧！
$ D* Q2 L# E1 ]" o
% s- G3 l0 g& s6 ?' k( d6 N宜揚科技股份有限公司（Eon Silicon Solution Inc.），這家是 ...

1 t$ _/ k) ?3 d/ @, r1 R% l$ t% i& w谢谢狗老大，再问一下，Flash会不会因为电源电压的尖峰脉冲导致Flash程序冲掉，或是其他地方的信号干扰。

超級狗

ctq1235 发表于 2013-6-17 18:17
& i& S* x* }. ?6 t谢谢狗老大，再问一下，Flash会不会因为电源电压的尖峰脉冲导致Flash程序冲掉，或是其他地方的信号干扰。

會！不過如果設計良好，機率上應該是很低。當初遇過的狀況，是因為供應商質量不太好問題。
9 V2 k" u% ^4 D2 \6 O& q8 B8 ?
  h+ u$ X* s1 D. A) o  a( P- X這顆串列式內存，從芯片資料看起來保護是挺完善的。除了有軟、硬件上的保護，低於 2.5V 也有防寫。

只不過寫得好看，實際上未必就牢靠。
5 l* |) B4 P# l, x4 C' Q1 S
. q: N  C- t" S- F只能建議您試一下大品牌，用比對的方式看能不能查出是質量上的問題。
4 g' M) F& H/ ?4 w  f# v7 Y$ P
5 [% m: `3 H0 |  F, d( S' U{:soso_e161:}

. n% H( x; y# v6 _0 Z

ctq1235

超級狗 发表于 2013-6-17 20:36
# G# m% V) G! q" n會！不過如果設計良好，機率上應該是很低。當初遇過的狀況，是因為供應商質量不太好問題。
" W2 @6 V- p( i) K) G
這顆串列 ...

: @$ K, F9 r* U- r* Z老大，麻烦知道这个电路哪些地方还需要完善设计（硬件上的），这是Flash块的电路图了 ，net其它位置只是做直连，没有加任何东西了。