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有关Flash被冲程序

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发表于 2013-6-13 17:24 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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用的EN25T80这颗Flash,总是出现程序被冲掉,重烧程序后板子OK。曾经在硬件把WP脚拉死(强制写保护了),还是会出现程序被冲掉情况,求救大神,还有什么方法改进。

Flash.jpg (80.46 KB, 下载次数: 0)

Flash.jpg

点评

能知道是什麼樣的應用嗎?有沒有像 U 盤那樣,寫入時有被無預警斷電的可能?  发表于 2013-6-13 22:48
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发表于 2013-6-13 18:53 | 只看该作者
軟件保護有做嗎?
$ f3 b# c$ C. \! m1 s3 B' H- m% u% M8 }- Q  b- p% ^
{:soso_e132:}
; V, V7 p: ]. M/ z
' ?' M- u) B  p5 D9 `" N8 s

NE25T80 Block Protection.jpg (120.07 KB, 下载次数: 1)

NE25T80 Block Protection.jpg
哈士奇是一種連主人都咬的爛狗!

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发表于 2013-6-13 19:05 | 只看该作者
WP为啥不接上拉

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发表于 2013-6-13 20:35 | 只看该作者
是否双电源供电?

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发表于 2013-6-13 22:44 | 只看该作者
In addition to the low power consumption feature, the Deep Power-down mode offers extra software protection from inadvertent Write, Program and Erase instructions, as all instructions are ignored except one particular instruction (the Release from Deep Power-down instruction).
4 k  r3 ~" c) W3 B0 D
$ D7 W3 \- c% `/ g1 E0 u( n; `8 ?進入 Deep Sleep Mode 也可以防寫(Write Protection)!8 B6 v( `& A  \- G2 R7 S
6 e' b- {3 t& M6 _# Z0 Z5 F
The Deep Power-down mode is entered when the specific instruction (the Enter Deep Power-down Mode (DP) instruction) is executed. The device consumption drops further to ICC2. The device remains in this mode until another specific instruction (the Release from Deep Power-down Mode and Read Device ID (RDI) instruction) is executed.% `3 K9 z, V# e" ]

8 w3 D0 D) @1 O" I9 ]9 R( V{:soso_e100:}
哈士奇是一種連主人都咬的爛狗!

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发表于 2013-6-14 08:02 | 只看该作者
把详细情况说明,上电还是下电,还是在运行时,这样才可以分析。另外把电路贴齐

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发表于 2013-6-14 17:26 | 只看该作者
WP脚需加上拉电阻,以保证上电过程和下电过程此管脚的正常,不过有可能在系统上、下电的时候出现误操作的情况;另外版主说的软件保护也很重要,特别是上、下电的过程中。

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 楼主| 发表于 2013-6-17 17:48 | 只看该作者
超級狗 发表于 2013-6-13 18:53 , b% p1 G+ M7 g  h
軟件保護有做嗎?
% D' H' y1 c) e. c* z; ?( ]
软件保护是做了的,但是还是时常的被冲掉。

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 楼主| 发表于 2013-6-17 17:49 | 只看该作者
gwj221 发表于 2013-6-13 19:05 8 \2 v  v/ c* D6 D2 L
WP为啥不接上拉
8 m* ^7 ^2 O( [; h8 f
以前WP做过上拉,但是升级不了程序了,所把上拉去掉了。

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 楼主| 发表于 2013-6-17 17:52 | 只看该作者
kully 发表于 2013-6-14 08:02
6 ^1 S' G  X8 g# y0 w# T2 B( Z  Z, ^+ M把详细情况说明,上电还是下电,还是在运行时,这样才可以分析。另外把电路贴齐

& }- o' ^+ s- ]3 @* m9 q+ _" D是在上电时冲程序。

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 楼主| 发表于 2013-6-17 17:55 | 只看该作者
myiccdream 发表于 2013-6-13 20:35 ' s0 t* L' s9 X4 r* _1 Z. Z7 |
是否双电源供电?
: x3 i! ^. i* A* H( D& f
不是双电源供电,+3V3_Flash只是一个标注net

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发表于 2013-6-17 18:07 | 只看该作者
發現管腳相容的還不少,換別廠牌的試試吧!. ?4 q' O( u7 }, ^+ c( H

8 }2 @2 K+ P0 }0 c5 z宜揚科技股份有限公司(Eon Silicon Solution Inc.),這家是小公司,沒什麼知名度!
5 G! ^4 u6 u" i3 t7 g1 k$ _& x  c: [- L' N( m; I
{:soso_e119:}

SST 25081A.pdf

281.07 KB, 下载次数: 10, 下载积分: 威望 -5

Micron M25PE80.pdf

650.57 KB, 下载次数: 9, 下载积分: 威望 -5

MicroChip 25AA1024.pdf

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哈士奇是一種連主人都咬的爛狗!

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 楼主| 发表于 2013-6-17 18:17 | 只看该作者
超級狗 发表于 2013-6-17 18:07
# G0 D1 K: ~& ^. l發現管腳相容的還不少,換別廠牌的試試吧!
# Z7 r) m8 y2 ^3 K6 _3 c
  @% ?5 s( {; R; p7 c宜揚科技股份有限公司(Eon Silicon Solution Inc.),這家是 ...
4 |  F: a/ x) W0 W/ U+ }
谢谢狗老大,再问一下,Flash会不会因为电源电压的尖峰脉冲导致Flash程序冲掉,或是其他地方的信号干扰。

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发表于 2013-6-17 20:36 | 只看该作者
本帖最后由 超級狗 于 2013-6-17 21:02 编辑
1 h" ^% M  J9 y; H) n
ctq1235 发表于 2013-6-17 18:17 % f, P" P. d& p4 O6 q* u9 E& \
谢谢狗老大,再问一下,Flash会不会因为电源电压的尖峰脉冲导致Flash程序冲掉,或是其他地方的信号干扰。
& P- o9 T# d4 z4 S% M4 \9 a# c
; F& o4 W* T5 q, r
會!不過如果設計良好,機率上應該是很低。當初遇過的狀況,是因為供應商質量不太好問題。
$ K0 x+ i4 h8 V$ _- H7 u0 @1 f5 {/ Y. E+ u8 l
這顆串列式內存,從芯片資料看起來保護是挺完善的。除了有軟、硬件上的保護,低於 2.5V 也有防寫。
- U% o# T, i8 S/ E6 t" r5 ~2 v; t; f5 o, I5 T
只不過寫得好看,實際上未必就牢靠。% C. d% T% w7 }& P' y

& q% A! u5 F& w' O8 C% J只能建議您試一下大品牌,用比對的方式看能不能查出是質量上的問題。
. f7 ]% f; p- u/ O& Q3 J6 j3 [. o! h# e1 e
{:soso_e161:}
( b6 ~5 V. ~. @& [! U4 ?) w& o2 a& ?7 i+ X
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 楼主| 发表于 2013-6-18 09:11 | 只看该作者
超級狗 发表于 2013-6-17 20:36
: K$ Z& Z) F; r會!不過如果設計良好,機率上應該是很低。當初遇過的狀況,是因為供應商質量不太好問題。6 V. e$ `' n: O# ?+ ?

3 \* o& f& ~7 F. f' P! E+ x這顆串列 ...

) ~& T' z5 r& p: r7 ~& l老大,麻烦知道这个电路哪些地方还需要完善设计(硬件上的),这是Flash块的电路图了 ,net其它位置只是做直连,没有加任何东西了。
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