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有关Flash被冲程序

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发表于 2013-6-13 17:24 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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用的EN25T80这颗Flash,总是出现程序被冲掉,重烧程序后板子OK。曾经在硬件把WP脚拉死(强制写保护了),还是会出现程序被冲掉情况,求救大神,还有什么方法改进。

Flash.jpg (80.46 KB, 下载次数: 0)

Flash.jpg

点评

能知道是什麼樣的應用嗎?有沒有像 U 盤那樣,寫入時有被無預警斷電的可能?  发表于 2013-6-13 22:48
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发表于 2013-6-13 18:53 | 只看该作者
軟件保護有做嗎?6 B* P; a: {. B, l. S/ f$ t- i, f
' }. o1 S6 i0 O! o
{:soso_e132:}
4 f8 Z" Q1 f/ K6 K) X2 W; `7 v# v) W) Q& y

NE25T80 Block Protection.jpg (120.07 KB, 下载次数: 1)

NE25T80 Block Protection.jpg
哈士奇是一種連主人都咬的爛狗!

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发表于 2013-6-13 19:05 | 只看该作者
WP为啥不接上拉

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发表于 2013-6-13 20:35 | 只看该作者
是否双电源供电?

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发表于 2013-6-13 22:44 | 只看该作者
In addition to the low power consumption feature, the Deep Power-down mode offers extra software protection from inadvertent Write, Program and Erase instructions, as all instructions are ignored except one particular instruction (the Release from Deep Power-down instruction).
! {4 I5 L# x6 ?; o2 e: F! Y$ n; w2 E1 }+ @% Z0 |+ l" \
進入 Deep Sleep Mode 也可以防寫(Write Protection)!+ [1 I. B, [, O) w

  T, |0 z) ?+ d! i( L: p6 \The Deep Power-down mode is entered when the specific instruction (the Enter Deep Power-down Mode (DP) instruction) is executed. The device consumption drops further to ICC2. The device remains in this mode until another specific instruction (the Release from Deep Power-down Mode and Read Device ID (RDI) instruction) is executed.* h7 L, m+ H' g% e
! P6 H% i% D! C- D
{:soso_e100:}
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发表于 2013-6-14 08:02 | 只看该作者
把详细情况说明,上电还是下电,还是在运行时,这样才可以分析。另外把电路贴齐

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发表于 2013-6-14 17:26 | 只看该作者
WP脚需加上拉电阻,以保证上电过程和下电过程此管脚的正常,不过有可能在系统上、下电的时候出现误操作的情况;另外版主说的软件保护也很重要,特别是上、下电的过程中。

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 楼主| 发表于 2013-6-17 17:48 | 只看该作者
超級狗 发表于 2013-6-13 18:53 - ]2 ^3 p5 V0 E- o& g
軟件保護有做嗎?

% R2 y1 c# X/ v软件保护是做了的,但是还是时常的被冲掉。

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 楼主| 发表于 2013-6-17 17:49 | 只看该作者
gwj221 发表于 2013-6-13 19:05 $ V2 t2 Q/ |: _1 H
WP为啥不接上拉
" i0 s0 N8 W( B: d2 t
以前WP做过上拉,但是升级不了程序了,所把上拉去掉了。

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 楼主| 发表于 2013-6-17 17:52 | 只看该作者
kully 发表于 2013-6-14 08:02 5 u4 J/ [: W" k! z- d
把详细情况说明,上电还是下电,还是在运行时,这样才可以分析。另外把电路贴齐

9 p! W- f5 n2 S是在上电时冲程序。

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 楼主| 发表于 2013-6-17 17:55 | 只看该作者
myiccdream 发表于 2013-6-13 20:35 : m) h% U1 u+ R! B( ]5 P: T: e
是否双电源供电?
7 R- j1 k) @) k  N: R
不是双电源供电,+3V3_Flash只是一个标注net

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发表于 2013-6-17 18:07 | 只看该作者
發現管腳相容的還不少,換別廠牌的試試吧!; h1 e% I. B, d! S/ m$ k6 B

4 y3 g  W8 ~* J宜揚科技股份有限公司(Eon Silicon Solution Inc.),這家是小公司,沒什麼知名度!  q8 i4 W% D; a2 |6 G8 U- K' {

2 j/ c0 E9 ?* s{:soso_e119:}

SST 25081A.pdf

281.07 KB, 下载次数: 10, 下载积分: 威望 -5

Micron M25PE80.pdf

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MicroChip 25AA1024.pdf

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 楼主| 发表于 2013-6-17 18:17 | 只看该作者
超級狗 发表于 2013-6-17 18:07 2 T, H% f4 ]0 U$ M( i- U
發現管腳相容的還不少,換別廠牌的試試吧!" X7 p2 {* v; f9 T9 P
  ?4 m# l2 O+ [, _6 i' c& i, L; ]
宜揚科技股份有限公司(Eon Silicon Solution Inc.),這家是 ...
5 R  @. T! V% z3 z! C3 d' [  D+ K
谢谢狗老大,再问一下,Flash会不会因为电源电压的尖峰脉冲导致Flash程序冲掉,或是其他地方的信号干扰。

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发表于 2013-6-17 20:36 | 只看该作者
本帖最后由 超級狗 于 2013-6-17 21:02 编辑 ; Z8 K! ^. D, _: h+ z
ctq1235 发表于 2013-6-17 18:17
7 O& ~; E9 C( z% Y谢谢狗老大,再问一下,Flash会不会因为电源电压的尖峰脉冲导致Flash程序冲掉,或是其他地方的信号干扰。
9 [9 o# o; e- O% u; i) I2 d
. Q* S- N  ^8 e+ W3 n
會!不過如果設計良好,機率上應該是很低。當初遇過的狀況,是因為供應商質量不太好問題。  y  p- T) N& M% Z9 O
( l4 f! D, ^1 g& L
這顆串列式內存,從芯片資料看起來保護是挺完善的。除了有軟、硬件上的保護,低於 2.5V 也有防寫。
5 _1 N# D1 D- @6 J7 F1 j1 ?! v, j$ h8 `+ `) j3 l1 [
只不過寫得好看,實際上未必就牢靠。9 t# p' A! L& x  n
6 y9 i8 y, y3 p) b
只能建議您試一下大品牌,用比對的方式看能不能查出是質量上的問題。9 F1 I2 R) Q  ]7 D5 a; |- p
8 }9 Z6 P- f' b0 x
{:soso_e161:}
1 n3 o) W) l+ X( X
' s6 o' w1 s+ ~) |' p0 @& f
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 楼主| 发表于 2013-6-18 09:11 | 只看该作者
超級狗 发表于 2013-6-17 20:36 ' C. ~8 J$ e( b+ b
會!不過如果設計良好,機率上應該是很低。當初遇過的狀況,是因為供應商質量不太好問題。
1 S6 k, r9 \" D4 Q6 b8 l, g* Z) h' {" d4 |% c
這顆串列 ...
) l" N% ?+ |6 D; P) Z
老大,麻烦知道这个电路哪些地方还需要完善设计(硬件上的),这是Flash块的电路图了 ,net其它位置只是做直连,没有加任何东西了。
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