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DDR3详解....各种技术参数

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发表于 2015-3-12 11:46 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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打算发个DDR3详解....各种技术参数,看看有没有人顶。

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给力  发表于 2015-4-22 11:12
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  发表于 2015-4-5 09:21
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此贴必火  发表于 2015-3-12 17:04

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 楼主| 发表于 2015-4-8 14:47 | 只看该作者
DDR3 timing simulation report20140210.pdf (1.11 MB, 下载次数: 210) " p) e6 k, _, L5 t. _. B

6 o7 ]0 d' h% r- A- |3 f下载请点赞。。9 f3 A! g  r$ Z4 i
2 f" A2 H4 H$ B+ [8 L# s
不懂可以问。
, N( \3 z  l; [8 K0 @
. b; D2 x6 C4 R  y( `: J* c

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赞,timing report是学习最快的,可以很快的清楚应该抓那个点,对应那个参数。  发表于 2015-4-8 17:20

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 楼主| 发表于 2015-4-8 14:46 | 只看该作者
( \9 t: f4 ?" n

) K- r7 _5 U$ {4 K1 k精心准备的实例来啦。。。按需求下载!!!  X3 ^! f. l& h0 j3 U( g
+ [+ X7 v; s$ |) K9 _3 \7 x) n

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发表于 2015-3-19 16:25 | 只看该作者
shark4685 发表于 2015-3-19 13:358 {, G% Z, ^) }
你上来就点穴,这是关键点,一句二句解释的清楚么,你这是要累死我啊。
  ~* m. T: U8 L" D要不你先来一把。悬赏50分。 ...
: E; U( f* W0 ~( _7 v' W
这是我没搞清楚的地方   
) B* g) Q# @( b9 C. C# {

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我想扣分。。。。。。。。。。。。。  详情 回复 发表于 2015-3-19 16:53

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发表于 2015-3-19 13:29 | 只看该作者
shark4685 发表于 2015-3-14 15:492 L( j, Z* g$ I- h7 g# `) Q6 ^$ t
DDR3的突发长度(Burst Length,BL)$ E% H4 U3 C( z( c6 _) h( F  k
% E- N7 @& V' G8 M% Q
由于DDR3的预取为8bit,所以突发传输周期(Burst Length,BL)也固 ...
; T/ {* ?( R$ l( H3 c3 s& F
请教版主,突发长度是什么作用呢?1 x% f2 r& A% C( k! F
能否讲解一下DDR上电初始化的过程' ]" E: p  p8 J. E6 s  e- Q

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你上来就点穴,这是关键点,一句二句解释的清楚么,你这是要累死我啊。 要不你先来一把。悬赏50分。  详情 回复 发表于 2015-3-19 13:35

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 楼主| 发表于 2015-3-16 14:35 | 只看该作者
本帖最后由 shark4685 于 2015-3-16 14:38 编辑
& K3 u: @- @3 l  t4 R$ F& ~0 h+ _' Z- F4 J) v. y+ M3 X! Y
新增的重置(Reset)功能-------响应号召,低碳环保。
1 i% b  X* {% F% C7 K4 R
: N! G  Y' v8 j4 |% ]( o
重置是DDR3新增的一项重要功能,并为此专门准备了一个引脚。
4 x' J1 S- @- x: }. s, [' IDRAM业界很早以前就要求增加这一功能,现在才终于在DDR3上实现了。
6 P5 j, A" @3 ?* }# x- M5 J9 e4 N这一引脚将使DDR3的初始化处理变得简单。# y. s( @% N( H: g+ J
当Reset命令有效时,DDR3内存将停止所有操作,并切换至最少量活动状态,以节约电力。+ A3 o& o( ^  u; ]% t

% Q! H4 e3 P7 n% |# r! }3 A5 d! x0 G在Reset期间,DDR3内存将关闭内在的大部分功能,所有数据接收与发送器都将关闭,9 i9 t- N7 ~: T1 i/ q: S
所有内部的程序装置将复位,DLL(延迟锁相环路)与时钟电路将停止工作,/ r# y9 d( v# F7 u( L/ f; R4 u
而且不理睬数据总线上的任何动静。这样一来,将使DDR3达到最节省电力的目的。
8 l0 ]! U9 p: j7 A
/ ]" F0 O5 z+ s# ^

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 楼主| 发表于 2015-3-12 15:32 | 只看该作者
2.数据锁存(Strobe)类型
8 [6 s2 i+ x- }4 e  a. G
! w0 y; w. r  A0 ~4 n5 ]! ZDDR3 DQS (DQ Strobe) 只有差分
5 G# ~) R6 |) LDDR1 strobes 为单端信号
0 u) U8 L' d& ZDDR2 strobes 有单端,也有差分$ k1 A" Z7 B. d' c1 I! Q
单端信号会增加额外的Derating, u$ y" b7 M- Z( U" P
差分strobe的好处抑制共模信号,抗干扰,有更高的电压裕量
( o" C. w* W0 Q% V) E! m2 s. I: X减小了因上升下降沿不对称引起的占空比抖动,改善时序
! S. D7 |, n+ y5 ?: [/ ~# S8 @1 I( B' X+ F8 F: H. n& l* X

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strobes其实是伪差分  发表于 2015-3-16 14:13
大神加油,我坐板凳来学习!  详情 回复 发表于 2015-3-12 16:04

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发表于 2015-3-12 14:56 | 只看该作者
昨天在科学园的课程很精彩,顶一个

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大哥,不要这样啊,搞的俺一点安全感都木有了,现在在科技园走路都要低着头。。。。  发表于 2015-3-12 15:11

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 楼主| 发表于 2015-3-12 11:46 | 只看该作者
有人加分么?

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发表于 2015-3-12 13:28 | 只看该作者
很好,最好弄点案例

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 楼主| 发表于 2015-3-12 15:14 | 只看该作者
1.先来看看DDR2和DDR3的不同点4 B2 \* b9 R2 _* I" M7 l
数据传输速率
4 w9 c' T, L9 }$ k- [4 nDDR2 400Mb/s – 800+Mb/s- {+ J' j  T9 K* \6 e
DDR3 800Mb/s – 1600+Mb/s
9 k, O9 U3 u+ o+ |2 K/ h. f% Y1 s3 i% V
电平
! L$ s8 \, U* ~% T9 C" QDDR2 1.8V (对低功耗有1.5V)+ S& m$ `2 k6 @, p9 n$ Z( W! k
DDR3 1.5V (对低功耗有1.35V)
' Y4 Q" D% Y! d4 k4 _5 ~& S
4 Q8 g- u5 ~+ b. v驱动阻抗6 p* }. J7 s, g, [; U2 z
DDR2 18Ω & 34Ω% q# T: }2 V) G  d
DDR3 34Ω & 40Ω(可能会有48Ω); |: c, \% ~$ ~: |4 b5 ?. H4 o$ T
1 i- k% Z8 j$ ^0 s1 [  @& E% J+ u
-------------------------------------------------不懂可以问,有问题希望指正,免得误导了网友,在路上更没安全感了。
7 W+ P7 E3 g+ F+ d: G$ X1 z3 t+ H8 y3 ^

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  发表于 2015-4-5 09:22
驱动阻抗和ODT, 其实芯片里面超过3种,大概有十几种可调,IBIS为了简化,一般只给出3种给SI人员使用。 当然这3种也是最常用的。具体取哪种,需要仿真分析下。  发表于 2015-3-31 09:59
应该是频率,不是速率。 DDR3速率目前最高可以超频到3.2GT/s  详情 回复 发表于 2015-3-12 15:27

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发表于 2015-3-12 15:27 | 只看该作者
shark4685 发表于 2015-3-12 15:14$ A. p4 {2 [: D
1.先来看看DDR2和DDR3的不同点' y/ k# t6 u0 N" Z; d: e
数据传输速率& ]$ n, A/ _9 u* \
DDR2 400Mb/s – 800+Mb/s
8 K( u4 w2 y" e' T; L
应该是频率,不是速率。
8 F. o- [8 Y5 j3 m' p' u7 GDDR3速率目前最高可以超频到3.2GT/s
# N/ u# T) N: o9 w) {; L* X# E5 p' _8 G1 x/ D" L

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后面有“+”,是速率,MTS 和Mps是一个意思。  发表于 2015-3-12 15:29
新年伊始,稳中求胜

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发表于 2015-3-12 16:04 | 只看该作者
shark4685 发表于 2015-3-12 15:32' l0 M( H5 G( r, a6 p. t1 k
2.数据锁存(Strobe)类型$ p' O8 v$ ?6 N$ Y6 Z6 Y. c8 _
. P5 T3 K% U1 i4 C3 d* a
DDR3 DQS (DQ Strobe) 只有差分
. ^$ G& ^' q3 b% @: A* o
大神加油,我坐板凳来学习!
+ g8 m( @& Q6 i- d
IC封装设计

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 楼主| 发表于 2015-3-12 16:12 | 只看该作者
DDR3的驱动能力0 J& F' K9 }2 b: n
DDR3 驱动有34欧姆和40欧姆,34欧姆驱动能力强点,一般用来驱动于2根插槽的系统,) F2 \) X2 Y& I% l; |! p' U
对点到点的拓扑,40欧姆比较合适
( K1 r& o. M3 z- h2 g4 \' W- kDDR3 使用ZQ进行驱动校验,上电512个周期内自动调整ODT的阻值,使公差更小+ S( W$ M" Y$ o; E  ^

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发表于 2015-3-12 16:17 | 只看该作者
学习中,DDR4有没有,

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版主加油啊,持续关注学习ing

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发表于 2015-3-12 16:41 | 只看该作者
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继续啊。。。不断关注中。

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顶顶顶!

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