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DDR3详解....各种技术参数

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发表于 2015-3-12 11:46 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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打算发个DDR3详解....各种技术参数,看看有没有人顶。

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给力  发表于 2015-4-22 11:12
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  发表于 2015-4-5 09:21
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此贴必火  发表于 2015-3-12 17:04

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 楼主| 发表于 2015-4-8 14:47 | 只看该作者
DDR3 timing simulation report20140210.pdf (1.11 MB, 下载次数: 210)
4 h& [6 G2 s7 a. h1 i& k" C
2 y; m" a9 {- n0 G下载请点赞。。* W! y4 E: N* S- j5 R( {& C
8 K+ O! b# v4 V+ N" m
不懂可以问。0 G) ]' ?5 L+ Q5 W. o

; j& B  J/ r' x: |

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支持!: 5.0
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赞,timing report是学习最快的,可以很快的清楚应该抓那个点,对应那个参数。  发表于 2015-4-8 17:20

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 楼主| 发表于 2015-4-8 14:46 | 只看该作者
/ o' l' U5 |/ X- N/ ^' R
3 D. V* F* f# G
精心准备的实例来啦。。。按需求下载!!!
7 c& f  M  i1 q5 Y& Q& e/ ^6 @, A4 y, \6 w3 ~! G( q

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发表于 2015-3-19 16:25 | 只看该作者
shark4685 发表于 2015-3-19 13:35" {; H& g5 o0 X& M6 W0 y/ U% f: h
你上来就点穴,这是关键点,一句二句解释的清楚么,你这是要累死我啊。5 [; B! s4 I) S" @- s6 ?* ]# C
要不你先来一把。悬赏50分。 ...

/ j0 U! u* w) p% y5 L+ j- V这是我没搞清楚的地方   
2 B7 T4 Y! s& d! w% w

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我想扣分。。。。。。。。。。。。。  详情 回复 发表于 2015-3-19 16:53

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发表于 2015-3-19 13:29 | 只看该作者
shark4685 发表于 2015-3-14 15:49
4 [: ~) Z3 ]  e1 ADDR3的突发长度(Burst Length,BL)
" I, x: @- [; j- N. \; M7 X" ^3 Q8 F: v9 }7 w
由于DDR3的预取为8bit,所以突发传输周期(Burst Length,BL)也固 ...
6 n8 |; y; L- y% U: N. l2 {6 k
请教版主,突发长度是什么作用呢?
: F1 K2 e) J) N能否讲解一下DDR上电初始化的过程
. i" N. x  u2 b% j, E( v+ E

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你上来就点穴,这是关键点,一句二句解释的清楚么,你这是要累死我啊。 要不你先来一把。悬赏50分。  详情 回复 发表于 2015-3-19 13:35

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 楼主| 发表于 2015-3-16 14:35 | 只看该作者
本帖最后由 shark4685 于 2015-3-16 14:38 编辑
) b# d6 o% y5 d* ?$ {
4 v( ^& c& G/ t% r新增的重置(Reset)功能-------响应号召,低碳环保。7 s7 {3 Y& K! v7 e

/ {4 z( P! f% H+ [& ^; k重置是DDR3新增的一项重要功能,并为此专门准备了一个引脚。- F# e! i6 k  G$ @* C
DRAM业界很早以前就要求增加这一功能,现在才终于在DDR3上实现了。
% r  \- U3 q7 d这一引脚将使DDR3的初始化处理变得简单。
; h% {0 Q1 K! z  h当Reset命令有效时,DDR3内存将停止所有操作,并切换至最少量活动状态,以节约电力。
% I4 V  j) j$ P; u0 t
1 i$ G/ S; B6 t在Reset期间,DDR3内存将关闭内在的大部分功能,所有数据接收与发送器都将关闭,
. h- k% |) b5 v, X: G* }$ @所有内部的程序装置将复位,DLL(延迟锁相环路)与时钟电路将停止工作,( K: R  M5 ]: B2 D$ t
而且不理睬数据总线上的任何动静。这样一来,将使DDR3达到最节省电力的目的。2 G/ I* I3 d" s, D% \
4 F  b* c5 v4 p

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 楼主| 发表于 2015-3-12 15:32 | 只看该作者
2.数据锁存(Strobe)类型
! |4 P( C& F' Q2 m* N
2 U4 b- t* [/ E( ^: M  uDDR3 DQS (DQ Strobe) 只有差分/ A& e; s2 G2 b, n* u; c
DDR1 strobes 为单端信号7 n! N1 u0 b: w- a5 x0 D1 R
DDR2 strobes 有单端,也有差分
  \7 ?7 k+ a& g6 M2 B单端信号会增加额外的Derating
3 R% a/ o1 x) C& C9 p: }差分strobe的好处抑制共模信号,抗干扰,有更高的电压裕量
7 c1 B/ ~* N0 m0 r* `减小了因上升下降沿不对称引起的占空比抖动,改善时序5 O) ^  i' W9 s3 x

) G1 C0 S1 g  X5 `8 N& }

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strobes其实是伪差分  发表于 2015-3-16 14:13
大神加油,我坐板凳来学习!  详情 回复 发表于 2015-3-12 16:04

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发表于 2015-3-12 14:56 | 只看该作者
昨天在科学园的课程很精彩,顶一个

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大哥,不要这样啊,搞的俺一点安全感都木有了,现在在科技园走路都要低着头。。。。  发表于 2015-3-12 15:11

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 楼主| 发表于 2015-3-12 11:46 | 只看该作者
有人加分么?

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发表于 2015-3-12 13:28 | 只看该作者
很好,最好弄点案例

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 楼主| 发表于 2015-3-12 15:14 | 只看该作者
1.先来看看DDR2和DDR3的不同点: a0 j8 v0 c* p0 c$ D5 ]6 }
数据传输速率# h, r, r; }, ~' |. C0 o8 Z
DDR2 400Mb/s – 800+Mb/s, d5 I6 m# z0 O
DDR3 800Mb/s – 1600+Mb/s
4 J& v' [. T0 i9 g  I9 S" `& h& I
电平 ! u4 [, @+ O/ P, e: f/ ]
DDR2 1.8V (对低功耗有1.5V)
) L( i! h6 ^0 g; q/ b4 SDDR3 1.5V (对低功耗有1.35V)
* s( `$ g! j  y( }; F7 k: [# Q6 r- T8 ~; t* A) g5 j, G( ^8 Q
驱动阻抗  V, q# c  Z$ R% A3 c7 k
DDR2 18Ω & 34Ω
* ]* A1 o9 t4 k9 yDDR3 34Ω & 40Ω(可能会有48Ω)
( S  _* q& k7 m" C
6 I3 v4 O+ _8 D" p-------------------------------------------------不懂可以问,有问题希望指正,免得误导了网友,在路上更没安全感了。& T7 C3 g, T8 h8 O0 \

5 Q9 }* I1 j7 a  G& }2 q

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支持!: 5
  发表于 2015-4-5 09:22
驱动阻抗和ODT, 其实芯片里面超过3种,大概有十几种可调,IBIS为了简化,一般只给出3种给SI人员使用。 当然这3种也是最常用的。具体取哪种,需要仿真分析下。  发表于 2015-3-31 09:59
应该是频率,不是速率。 DDR3速率目前最高可以超频到3.2GT/s  详情 回复 发表于 2015-3-12 15:27

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发表于 2015-3-12 15:27 | 只看该作者
shark4685 发表于 2015-3-12 15:148 W9 x' _- {( [2 q
1.先来看看DDR2和DDR3的不同点9 R( q' H: h' X/ X" U2 u
数据传输速率
2 }% I5 M. G! q5 \, {0 WDDR2 400Mb/s – 800+Mb/s

; u" G' J2 r5 F) n应该是频率,不是速率。. P8 ^- A! D! Y! a" b. Q
DDR3速率目前最高可以超频到3.2GT/s
" S# o/ E6 M9 U' J/ C8 B
, G" d* O! e) I- r

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后面有“+”,是速率,MTS 和Mps是一个意思。  发表于 2015-3-12 15:29
新年伊始,稳中求胜

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发表于 2015-3-12 16:04 | 只看该作者
shark4685 发表于 2015-3-12 15:32
) G& p' Q- L) V; @% P2.数据锁存(Strobe)类型
& [, I1 ~# T0 G% }% k  p2 W- N& H) x7 E- ?) _
DDR3 DQS (DQ Strobe) 只有差分

  q% R, {2 H2 D9 e9 z# P& f* k* e大神加油,我坐板凳来学习!
/ ^# X/ Q. O2 R! e2 _( x
IC封装设计

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 楼主| 发表于 2015-3-12 16:12 | 只看该作者
DDR3的驱动能力4 Q/ U+ d8 ~1 T# E( x9 Q
DDR3 驱动有34欧姆和40欧姆,34欧姆驱动能力强点,一般用来驱动于2根插槽的系统,
- y1 z, T: j% {8 Y对点到点的拓扑,40欧姆比较合适# |; t/ u+ z9 d1 ~4 i
DDR3 使用ZQ进行驱动校验,上电512个周期内自动调整ODT的阻值,使公差更小8 h( n5 R  ?. @- J8 I' n

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发表于 2015-3-12 16:17 | 只看该作者
学习中,DDR4有没有,

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版主加油啊,持续关注学习ing

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很好,最好弄点案例

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继续啊。。。不断关注中。

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顶顶顶!

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