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[仿真讨论] 减小轨道塌陷措施?

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发表于 2013-10-11 09:44 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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x
1、减小电源和地路径的回路电感;/ {" W/ u: Q# L% e0 z5 t8 E( L) A
2、使电源平面和地平面相邻并尽量靠近;, |) n; r- g6 }! R( a+ _
3、在平面间使用介电常数尽量高的介质材料使平面间的阻抗最低;
2 x8 }9 n5 T! V+ e6 j6 d9 r6 q; r4、尽量使用多个成对的电源平面和地平面;
  d; E1 v2 j5 k5 s2 c& p" J5、使同向电流相隔尽量远,而反向电流间隔尽量近;
+ v: t  f$ Q4 @" A5 f1 T# c3 ]6 n6、在实际中,使电源过孔与地平面过孔尽量靠近。要使它们的间隔至少与过孔的长度相当;2 D+ N* ]5 P4 S" a
7、应将电源平面与地平面尽可能靠近去耦电容所在的表面处;
5 {8 q+ t* c% e! s: i4 q3 s  P8、对相同的电源或地焊盘使用多个过孔,但要使过孔间距尽量远;' s8 ~9 Q8 i6 H& e/ b/ f
9、在电源平面或地平面上布线时,应是过孔的直径尽量大;
8 p3 R) `  @* m$ A10、在电源焊盘和地焊盘上使用双键合线可以减小键合线的回路电感;* f7 z. o6 D$ J  J; `- J
11、从芯片内引出尽可能多的电源和地引线;8 g( K  F5 J2 d" }2 s- }( `
12、在芯片封装时引出尽可能多的电源和地引脚;
+ t4 ^; i* X( t9 p: z0 P. p13、使用尽可能短的片间互连方法,例如倒装芯片而不是键合线;9 c6 P: g8 W$ W: p; K- \: @! q
14、封装的引线应尽量短,例如应使用CSP封装而不是QFP封装;
2 N1 W( `  B) J. I4 h% y16、使去耦电容焊盘间的布线和过孔尽可能短而宽;
/ Q) P  W, h: H* {+ U17、在低频时使用一定量的去耦电容来代替稳压器件;
1 \# Z: l' z# o5 y* j6 r18、在高频时使用一定量的去耦电容来抵消等效电感;$ `. n1 ^0 b! P
19、使用尽可能小的去耦电容,并尽量减小电容焊盘上与电源和地平面相连的互连线的长度;
: ]% z6 p+ z# z- w1 T/ k! E20、在片内使用尽量大的去耦电容;
# N# `5 v4 Z1 \$ t# A0 l21、在封装中应使用尽可能多的低电感去耦电容;- A& n. i! L8 H. v: e+ b* @
22、在I/O接口设计中使用差分对;
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发表于 2013-10-18 16:23 | 只看该作者
就一句话:使DIE pad出来的wirebond线与POWER/GROUND RING的电感尽量小。

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发表于 2013-10-22 19:42 | 只看该作者
高手出现。
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