减小轨道塌陷措施？

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1、减小电源和地路径的回路电感；
2、使电源平面和地平面相邻并尽量靠近；
3、在平面间使用介电常数尽量高的介质材料使平面间的阻抗最低；
0 W0 Q+ ]4 F" ?$ |8 }& h4、尽量使用多个成对的电源平面和地平面；
/ l8 h+ L# Z! a. `6 G  L5、使同向电流相隔尽量远，而反向电流间隔尽量近；
6、在实际中，使电源过孔与地平面过孔尽量靠近。要使它们的间隔至少与过孔的长度相当；
) p; U2 p( b) y6 u, {* d$ x& D' b7、应将电源平面与地平面尽可能靠近去耦电容所在的表面处；
8、对相同的电源或地焊盘使用多个过孔，但要使过孔间距尽量远；
" \; B' `; _( z$ @% Q9、在电源平面或地平面上布线时，应是过孔的直径尽量大；
10、在电源焊盘和地焊盘上使用双键合线可以减小键合线的回路电感；
11、从芯片内引出尽可能多的电源和地引线；
% F  }' Q: [8 {4 H12、在芯片封装时引出尽可能多的电源和地引脚；
; `+ X0 v: Y- o13、使用尽可能短的片间互连方法，例如倒装芯片而不是键合线；
+ i) l: g1 e+ ]4 a! B14、封装的引线应尽量短，例如应使用CSP封装而不是QFP封装；
7 _, ~3 o9 q  B2 F1 i16、使去耦电容焊盘间的布线和过孔尽可能短而宽；
) B5 k/ G2 }2 @& f- T; k0 ]- y* Z17、在低频时使用一定量的去耦电容来代替稳压器件；
18、在高频时使用一定量的去耦电容来抵消等效电感；
& z% r- v) U2 y  w- {19、使用尽可能小的去耦电容，并尽量减小电容焊盘上与电源和地平面相连的互连线的长度；
+ x. `, x; X! C$ T4 a/ R2 A20、在片内使用尽量大的去耦电容；
21、在封装中应使用尽可能多的低电感去耦电容；
22、在I/O接口设计中使用差分对；

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就一句话：使DIE pad出来的wirebond线与POWER/GROUND RING的电感尽量小。

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高手出现。