有关Flash被冲程序

ctq1235

用的EN25T80这颗Flash，总是出现程序被冲掉，重烧程序后板子OK。曾经在硬件把WP脚拉死（强制写保护了），还是会出现程序被冲掉情况，求救大神，还有什么方法改进。

超級狗

軟件保護有做嗎？
% O- N& `' E  T
4 F# E7 a% k7 \8 c' k  h+ [{:soso_e132:}

gwj221

WP为啥不接上拉

myiccdream

是否双电源供电？

超級狗

In addition to the low power consumption feature, the Deep Power-down mode offers extra software protection from inadvertent Write, Program and Erase instructions, as all instructions are ignored except one particular instruction (the Release from Deep Power-down instruction).

進入 Deep Sleep Mode 也可以防寫（Write Protection）！
  w4 b/ b1 n+ I" z$ E6 \! W
The Deep Power-down mode is entered when the specific instruction (the Enter Deep Power-down Mode (DP) instruction) is executed. The device consumption drops further to ICC2. The device remains in this mode until another specific instruction (the Release from Deep Power-down Mode and Read Device ID (RDI) instruction) is executed.

{:soso_e100:}

kully

把详细情况说明，上电还是下电，还是在运行时，这样才可以分析。另外把电路贴齐

qiangqssong

WP脚需加上拉电阻,以保证上电过程和下电过程此管脚的正常,不过有可能在系统上、下电的时候出现误操作的情况；另外版主说的软件保护也很重要，特别是上、下电的过程中。

ctq1235

超級狗 发表于 2013-6-13 18:53
) f. J2 N  h; h& Z軟件保護有做嗎？

软件保护是做了的，但是还是时常的被冲掉。

ctq1235

gwj221 发表于 2013-6-13 19:05
  j. c/ R7 ?3 M3 }3 l# _( N9 q  l; CWP为啥不接上拉

( M% f2 \7 Y; U0 J5 Y5 Q0 |以前WP做过上拉，但是升级不了程序了，所把上拉去掉了。

ctq1235

kully 发表于 2013-6-14 08:02
7 j' B. a: ^4 U8 z: o把详细情况说明，上电还是下电，还是在运行时，这样才可以分析。另外把电路贴齐

是在上电时冲程序。

ctq1235

myiccdream 发表于 2013-6-13 20:35
是否双电源供电？

& r* H. Y; M0 q5 Y9 X3 i不是双电源供电，+3V3_Flash只是一个标注net

超級狗

發現管腳相容的還不少，換別廠牌的試試吧！

, K7 H  {6 v4 t2 ~& d6 ?9 g# q宜揚科技股份有限公司（Eon Silicon Solution Inc.），這家是小公司，沒什麼知名度！
5 |$ `# g, Q/ v4 e
7 U5 f2 x2 i1 G' m- l- [{:soso_e119:}

ctq1235

超級狗 发表于 2013-6-17 18:07
" M1 |1 p) |1 @0 X+ H4 G, ~發現管腳相容的還不少，換別廠牌的試試吧！
  x. |9 ~7 `4 a! c+ n' ?. O# V% r
宜揚科技股份有限公司（Eon Silicon Solution Inc.），這家是 ...

谢谢狗老大，再问一下，Flash会不会因为电源电压的尖峰脉冲导致Flash程序冲掉，或是其他地方的信号干扰。

超級狗

5 e; y1 \- L2 D  a3 ^) p; U

ctq1235 发表于 2013-6-17 18:17
谢谢狗老大，再问一下，Flash会不会因为电源电压的尖峰脉冲导致Flash程序冲掉，或是其他地方的信号干扰。

會！不過如果設計良好，機率上應該是很低。當初遇過的狀況，是因為供應商質量不太好問題。

4 q. o' Z: A. U, p$ N# ?這顆串列式內存，從芯片資料看起來保護是挺完善的。除了有軟、硬件上的保護，低於 2.5V 也有防寫。
: m& Y, l- e/ o8 `9 ?7 w
4 _$ P6 A7 w; ~: J5 \. H& @* E! r只不過寫得好看，實際上未必就牢靠。

只能建議您試一下大品牌，用比對的方式看能不能查出是質量上的問題。
" D6 o3 g) e5 k5 x8 A% A4 u$ a7 c) V4 z
{:soso_e161:}
; r( c1 Z/ u* Z' x) J! B- \5 H8 Y
3 J7 [3 I5 l& I; d7 D9 _+ l

ctq1235

超級狗 发表于 2013-6-17 20:36
會！不過如果設計良好，機率上應該是很低。當初遇過的狀況，是因為供應商質量不太好問題。
' d; d* o7 V- B$ e; ]3 J# C
這顆串列 ...

$ c' C0 l* [, n老大，麻烦知道这个电路哪些地方还需要完善设计（硬件上的），这是Flash块的电路图了 ，net其它位置只是做直连，没有加任何东西了。