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欲用PMOS做开关及控制时序, 可惜,时序没有按套路来?

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发表于 2017-1-6 19:48 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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1. 如题, 想用AP2305GN, 做一个开关, 同时, 用RC控制时序。 让5V先起来6 F: Q: Q; e$ ~& W, n, \: o6 Y
2. 原理图如图15 b6 L: b9 e% a* A0 E
3. 实测结果(如图2), 12v先于5v 起来(1ms)) p6 V* m4 m% e3 J
4. 问题出在哪呢?
3 R$ _2 s5 s/ d1 K) R7 B注: 标签1(+5VS),2(P12V)分别探测Q6.G, Q18.G
+ E* S$ t3 E4 U+ u& g3 H
4 |: @+ Z2 b4 s; A8 L
( F2 _; R- C& K& @谢谢!

AP2395GN.png (127.83 KB, 下载次数: 8)

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发表于 2017-1-7 00:02 | 只看该作者
你的问题出在MOS管开关哪里,GS并联的电容C与三极管集电极串联的R参数一样导致的,那为什么参数一样会导致开启时间不一样呢?因为从12V降低VTH和从5V降低VTH的时间不一样,为何?这个就从RC的冲激响应说起了:当三极管导通后,VG=(VCC*R132)/(R132+R23) +[ (VCC*R23)/(R132+R23)]*e^(-t/RC)--------这个是以5V那个MOS管来计算的。可在EXCEL表格里面计算,你看下哪个会先到VTH。

点评

大神,我想问一下 R132的作用是什么,去掉是不是也OK呢  详情 回复 发表于 2017-2-23 10:00
谢谢! Fallen 1. 一针见血。 2. VG=(VCC*R132)/(R132+R23) +[ (VCC*R23)/(R132+R23)]*e^(-t/RC) 这个公式的计算结果,基本符合实测结果。 注: AP2305GN 的 Vgs(th)= -0.5 **Fallen的电路课, 很是强大。  详情 回复 发表于 2017-1-7 20:41

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 楼主| 发表于 2017-1-7 20:41 | 只看该作者
fallen 发表于 2017-1-7 00:02
' U6 g0 K8 G% O7 Q  ]% k$ W你的问题出在MOS管开关哪里,GS并联的电容C与三极管集电极串联的R参数一样导致的,那为什么参数一样会导致 ...
) g# t9 K3 k& R6 |: O' b& _8 w
谢谢! Fallen% Q" r# F, j5 D0 z) a
1. 一针见血。
, W  ]; W  T' m: a0 |: J2 ^3 D) e2. VG=(VCC*R132)/(R132+R23) +[ (VCC*R23)/(R132+R23)]*e^(-t/RC) 这个公式的计算结果,基本符合实测结果。 注:  AP2305GN 的 Vgs(th)= -0.5
+ {* ?+ t3 `$ l) \  t# Q    **Fallen的电路课, 很是强大。 哪毕业的?9 [& O' k% s' T  P) F
3. Solution:把串联的电阻(12v)改成470K, 时间t就会从0.5ms delay  to be  5ms. 达到5V先开启的目的。
) C7 m3 |7 f3 \" p, i( ?+ _4 f; r8 N! p0 n( S! d
另外, 为何三极管前端的RC 没有Delay效果(成功)? RC 的数量极太小?( D' \/ \: F/ q: G/ G4 r

2 H5 C  o# ^, g' X

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发表于 2017-1-8 20:38 | 只看该作者
数量级别太小,另外三极管的开启电压只有0.6V左右,也太小了,调节这里效果不明显

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发表于 2017-1-9 09:43 | 只看该作者
5V控12V 吧  三极管be0.几v   5V的vgs分压尽量大 最好直接对GND

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发表于 2017-1-10 18:06 | 只看该作者
HDD的电源设计 对时序有要求吗?先前设计都木有注意呀,同时给的呀。。。

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1. HDD上电时序不是工业规范。 2. 但是, 某些项目, 应该环境比较特殊。 3. 我这个项目就是, 我的客人,在PRD里明确描述, 需要5V ready 以后, 12V再来.  详情 回复 发表于 2017-1-11 19:08

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 楼主| 发表于 2017-1-11 19:08 | 只看该作者
zdfgh154 发表于 2017-1-10 18:060 Z5 r0 h0 ]8 Q7 |% Y6 C( p
HDD的电源设计 对时序有要求吗?先前设计都木有注意呀,同时给的呀。。。

4 G1 w& O% Q& Q' V* t. Z1. HDD上电时序不是工业规范。 8 Y6 k$ s; j. a: e, k. k; P8 Q& E
2. 但是, 某些项目, 应该环境比较特殊。 # q' z5 D7 U5 \  l* R  A. V- G
3. 我这个项目就是, 我的客人,在PRD里明确描述, 需要5V ready 以后, 12V再来.  3 f! \. ~7 l3 H4 `
. M" x/ R! Z2 L9 d$ m" F

6 |& j% a% t7 a& s3 Q  @

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发表于 2017-1-12 14:25 | 只看该作者
很好的一个贴。

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发表于 2017-1-24 23:37 | 只看该作者
很好的贴子

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发表于 2017-2-14 11:33 | 只看该作者
这个是什么软件仿真的啊

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发表于 2017-2-14 17:03 | 只看该作者
为什么要这样设计呢?5V起来,再去控制12V不就行了?

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发表于 2017-2-14 17:03 | 只看该作者
为什么要这样设计呢?5V起来,再去控制12V不就行了?

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发表于 2017-2-23 10:00 | 只看该作者
fallen 发表于 2017-1-7 00:02
6 b% |0 l0 Y/ Z  N* m& b你的问题出在MOS管开关哪里,GS并联的电容C与三极管集电极串联的R参数一样导致的,那为什么参数一样会导致 ...

9 R6 {+ ]7 y3 h2 C. |2 o  b" A' j大神,我想问一下 R132的作用是什么,去掉是不是也OK呢
1 p% x; b& G% M  x* H4 l8 R% l

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R132不能去,否则只靠GS并联的电容无法调节到理想状态。  详情 回复 发表于 2017-2-23 23:25

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发表于 2017-2-23 23:25 | 只看该作者
cvntao 发表于 2017-2-23 10:00
8 R% P' m7 D- v- C! j, q大神,我想问一下 R132的作用是什么,去掉是不是也OK呢

  W1 W: O: Y+ I0 n9 R; D1 w4 eR132不能去,否则只靠GS并联的电容无法调节到理想状态。
5 h: t' V# T% o% z% r
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