欲用PMOS做开关及控制时序， 可惜，时序没有按套路来?

Quantum_

1. 如题， 想用AP2305GN, 做一个开关， 同时， 用RC控制时序。 让5V先起来
+ x1 u) k+ j, Q9 T7 U( T2. 原理图如图1
" O# _& b# n1 w+ z3. 实测结果(如图2)， 12v先于5v 起来(1ms)
4. 问题出在哪呢？
注： 标签1(+5VS)，2(P12V)分别探测Q6.G, Q18.G
! x& V' C( k( J4 f

- f0 M* b2 i  e; X6 a5 m5 h谢谢！

fallen

你的问题出在MOS管开关哪里，GS并联的电容C与三极管集电极串联的R参数一样导致的，那为什么参数一样会导致开启时间不一样呢？因为从12V降低VTH和从5V降低VTH的时间不一样,为何？这个就从RC的冲激响应说起了：当三极管导通后，VG=(VCC*R132)/(R132+R23) +[ (VCC*R23)/(R132+R23)]*e^(-t/RC)--------这个是以5V那个MOS管来计算的。可在EXCEL表格里面计算，你看下哪个会先到VTH。

Quantum_

fallen 发表于 2017-1-7 00:02
# u& x2 e: e/ J! @% q) [你的问题出在MOS管开关哪里，GS并联的电容C与三极管集电极串联的R参数一样导致的，那为什么参数一样会导致 ...

谢谢! Fallen
1. 一针见血。
2. VG=(VCC*R132)/(R132+R23) +[ (VCC*R23)/(R132+R23)]*e^(-t/RC) 这个公式的计算结果，基本符合实测结果。 注：  AP2305GN 的 Vgs(th)= -0.5
    **Fallen的电路课， 很是强大。 哪毕业的？
3. Solution:把串联的电阻（12v）改成470K, 时间t就会从0.5ms delay  to be  5ms. 达到5V先开启的目的。
1 e' L. Y" h. G, Q2 K
另外， 为何三极管前端的RC 没有Delay效果(成功)？ RC 的数量极太小？
# {, E8 ]% V) s) J

fallen

数量级别太小，另外三极管的开启电压只有0.6V左右，也太小了，调节这里效果不明显

djadfas

5V控12V 吧  三极管be0.几v   5V的vgs分压尽量大 最好直接对GND

zdfgh154

HDD的电源设计 对时序有要求吗？先前设计都木有注意呀，同时给的呀。。。

Quantum_

zdfgh154 发表于 2017-1-10 18:06
HDD的电源设计 对时序有要求吗？先前设计都木有注意呀，同时给的呀。。。

( n- v% i. h. P: g7 u7 Q% k7 W1. HDD上电时序不是工业规范。
4 r9 N; s' g. x* \9 S2. 但是， 某些项目， 应该环境比较特殊。
3. 我这个项目就是， 我的客人，在PRD里明确描述， 需要5V ready 以后, 12V再来.  
& F0 o8 u# k; M4 e

wudi20060501

很好的一个贴。

yhg-cad

很好的贴子

AD9_PCB

这个是什么软件仿真的啊

xtaylg

为什么要这样设计呢？5V起来，再去控制12V不就行了？

xtaylg

为什么要这样设计呢？5V起来，再去控制12V不就行了？

cvntao

fallen 发表于 2017-1-7 00:02
你的问题出在MOS管开关哪里，GS并联的电容C与三极管集电极串联的R参数一样导致的，那为什么参数一样会导致 ...

/ o# A7 F6 ~3 @6 T/ o  g大神，我想问一下 R132的作用是什么，去掉是不是也OK呢
0 D  ~. O% i( ]; }+ w+ L9 T

fallen

cvntao 发表于 2017-2-23 10:00
大神，我想问一下 R132的作用是什么，去掉是不是也OK呢

R132不能去，否则只靠GS并联的电容无法调节到理想状态。