欲用PMOS做开关及控制时序， 可惜，时序没有按套路来?

Quantum_

1. 如题， 想用AP2305GN, 做一个开关， 同时， 用RC控制时序。 让5V先起来
2. 原理图如图1
3. 实测结果(如图2)， 12v先于5v 起来(1ms)
& c) s9 I2 Z. Q  n" V4. 问题出在哪呢？
注： 标签1(+5VS)，2(P12V)分别探测Q6.G, Q18.G
  T. k4 M1 h) F7 O! P" }; E, B

& ^4 |8 t: A* `" z; g谢谢！

fallen

你的问题出在MOS管开关哪里，GS并联的电容C与三极管集电极串联的R参数一样导致的，那为什么参数一样会导致开启时间不一样呢？因为从12V降低VTH和从5V降低VTH的时间不一样,为何？这个就从RC的冲激响应说起了：当三极管导通后，VG=(VCC*R132)/(R132+R23) +[ (VCC*R23)/(R132+R23)]*e^(-t/RC)--------这个是以5V那个MOS管来计算的。可在EXCEL表格里面计算，你看下哪个会先到VTH。

Quantum_

fallen 发表于 2017-1-7 00:02
你的问题出在MOS管开关哪里，GS并联的电容C与三极管集电极串联的R参数一样导致的，那为什么参数一样会导致 ...

5 Z" }8 u  F, l谢谢! Fallen
1. 一针见血。
9 A+ S/ V% x- j& a: J0 \$ D6 @2 s. o1 l6 z2. VG=(VCC*R132)/(R132+R23) +[ (VCC*R23)/(R132+R23)]*e^(-t/RC) 这个公式的计算结果，基本符合实测结果。 注：  AP2305GN 的 Vgs(th)= -0.5
: j" J, [6 {3 m- n% j# e; E    **Fallen的电路课， 很是强大。 哪毕业的？
1 y2 L# t; m/ _* w# ?( q2 J9 g3. Solution:把串联的电阻（12v）改成470K, 时间t就会从0.5ms delay  to be  5ms. 达到5V先开启的目的。

! ]% p' C0 _* e& Y& a/ t另外， 为何三极管前端的RC 没有Delay效果(成功)？ RC 的数量极太小？

fallen

数量级别太小，另外三极管的开启电压只有0.6V左右，也太小了，调节这里效果不明显

djadfas

5V控12V 吧  三极管be0.几v   5V的vgs分压尽量大 最好直接对GND

zdfgh154

HDD的电源设计 对时序有要求吗？先前设计都木有注意呀，同时给的呀。。。

Quantum_

zdfgh154 发表于 2017-1-10 18:06
9 W/ E! T( C' `& ], m( w4 d7 UHDD的电源设计 对时序有要求吗？先前设计都木有注意呀，同时给的呀。。。

+ `5 H0 c) Z# u5 Z1 a  q% m1. HDD上电时序不是工业规范。
2. 但是， 某些项目， 应该环境比较特殊。
9 v' d) \7 z$ _6 ~8 s6 Z1 Y3. 我这个项目就是， 我的客人，在PRD里明确描述， 需要5V ready 以后, 12V再来.  
- \) k7 H. k2 p" I
: Y9 E1 M$ B) D
0 n  ?9 Z( o5 G. }$ h& U* W

wudi20060501

很好的一个贴。

yhg-cad

很好的贴子

AD9_PCB

这个是什么软件仿真的啊

xtaylg

为什么要这样设计呢？5V起来，再去控制12V不就行了？

xtaylg

为什么要这样设计呢？5V起来，再去控制12V不就行了？

cvntao

fallen 发表于 2017-1-7 00:02
你的问题出在MOS管开关哪里，GS并联的电容C与三极管集电极串联的R参数一样导致的，那为什么参数一样会导致 ...

大神，我想问一下 R132的作用是什么，去掉是不是也OK呢

fallen

cvntao 发表于 2017-2-23 10:00
大神，我想问一下 R132的作用是什么，去掉是不是也OK呢

R132不能去，否则只靠GS并联的电容无法调节到理想状态。
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