关于P-FET DCDC转换器的问题

dukekuo

各位先进好, 这边想与各位先进讨论一个关于P-FET DCDC转换器的问题
# ?# O, F; E# Q2 C+ P: ]* H; c
参考LM5085的规格书中其中的章节提到, 在应用方面提到在VCC脚位中瞬变中会产生负电压, 须靠Schottky diode 去抑制, 其中原理是什么呢???
7 [5 ~! A0 W8 ~7 ]5 ~& l- U# H% ^

. s$ T9 y4 m( D这负电压是如何产生的? 是因为trr的关系, V = Ldi / dt 所以比GND 更​​负
而schottkey 是为了让trr速度更快回复吗???

请帮小弟解惑....如果有图解更好....感恩
! J& q( v1 S& P2 h: A  y

cousins

负向电压的产生是因为电容的储能特性，两极压势差不可突变性。Cvcc两极电势差是不会瞬间变化的，Vin-Vcc>0，当Vin=0时，Cvcc在Vcc一极的电势的值会等于之前的Vcc-Vin，必然为负。肖特基可以提供此负电压储能电容快速放电。

fallen

没仔细看，不过楼主可以从电容和二极管的钳位看。