关于P-FET DCDC转换器的问题

dukekuo

各位先进好, 这边想与各位先进讨论一个关于P-FET DCDC转换器的问题
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参考LM5085的规格书中其中的章节提到, 在应用方面提到在VCC脚位中瞬变中会产生负电压, 须靠Schottky diode 去抑制, 其中原理是什么呢???
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' n- @1 m3 a' {: y5 k这负电压是如何产生的? 是因为trr的关系, V = Ldi / dt 所以比GND 更​​负
" K  i; r5 \; _而schottkey 是为了让trr速度更快回复吗???
  ~" X% {1 `0 K7 K
& l$ a# k. s" Y( w' p请帮小弟解惑....如果有图解更好....感恩

cousins

负向电压的产生是因为电容的储能特性，两极压势差不可突变性。Cvcc两极电势差是不会瞬间变化的，Vin-Vcc>0，当Vin=0时，Cvcc在Vcc一极的电势的值会等于之前的Vcc-Vin，必然为负。肖特基可以提供此负电压储能电容快速放电。
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fallen

没仔细看，不过楼主可以从电容和二极管的钳位看。