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allegro DDR3 阻抗控制 ,怎么确定参考层

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发表于 2014-9-30 09:06 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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最近新作的高通的板子 ,8层板,其结构是 TOP GND1 SIG1 SIG2 PWR SIG3 GND2 BOTTOM
, S4 e, E7 p6 `5 L$ O& A) c现在DDR走线在 SIG1 SIG2 SIG3 都存在,问题是在控制阻抗的时候 ,由于SIG2曾走线很少,1 _* w( {/ L! c; [' A& p
普了大面积的铜皮 ,所以SIG1的信号,有一部分在SIG2层的铜皮范围内 ,现在SIG1 的信号
' W, [6 `" N7 H6 U3 {5 J上层参考GND1 层 下层一部分参考SIG2层,另一部分参考PWR, 导致阻抗不能统一 40欧姆 怎么办
% \8 t5 E, p% e8 J: P3 s1 L
8 a+ G* Y6 M1 l为什么SIG1信号还要参考下层呢 之参考上层地平面可以吗
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发表于 2014-9-30 09:27 | 只看该作者
GND1与SIG1之间的PP层应该是一样的厚度吧,按道理来说,TOP,和SIG1都是参考GND1啊,如果你的NET走到了SIG2那么,按照一般叠层设置会将SIG2来参考PWR,你把要求给板厂,板厂会根据你的板厚要求来调整两层之间的PP厚度,从而满足阻抗啊,
6 x  H& e5 y3 M" HDDR3要做40欧姆?
1 @& o1 F" C0 v7 F- M) d# c& G还要信号线回路参考最好不要跨分割!$ o( {2 p  z; H6 j2 F+ c7 ]" l
个人观点,不妥之处请指正
遇一人白首 择一城终老

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 楼主| 发表于 2014-9-30 09:40 | 只看该作者
现在PCB厂说SIG1有问题 ,SIG1 上面参考GND1层  ,下面还要参考PWR层 ,可是因为SIG2 有大面积普通  SIG1就有一部分参考了SIG2层的铜皮 ,导致SIG1跨层了,之前没听说这种理论

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发表于 2014-9-30 09:42 | 只看该作者
楼上正解,阻抗不止要层的顺序,还要层的距离.如果你不确定,就扔给板厂吧
/ B3 O4 ^8 V% C0 _8 ^. e6 ]2 F
又累又out...............

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发表于 2014-10-8 15:34 | 只看该作者
owencai 发表于 2014-9-30 09:27- U1 x7 y) J/ C/ g, }
GND1与SIG1之间的PP层应该是一样的厚度吧,按道理来说,TOP,和SIG1都是参考GND1啊,如果你的NET走到了SIG2 ...

% d! J3 y" T) [* hDDR3的阻抗没有规定说一定要50ohm,DDR2的才规定了一定要匹配到50ohm信号完整性才好。

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发表于 2014-10-8 16:32 | 只看该作者
SIG1 SIG2 走线区域 设置 禁止覆铜, 这样SIG1 SIG2的参考层都是GND1  PWR。
# A7 {) N3 W+ m8 e, D) _SIG1走线是带状线,参考层有上下两层,主参考层是GND1,次参考层是PWR。可以通过PI仿真,看到2层参考层的回流比例。
& ^5 @+ ]8 ?  Y$ ]/ P# s$ g参考层必须是完整的平面,不然反射和振铃现象很严重。可以参考于博士的信号完整性揭秘,里面有详细介绍。, ]# S- n0 a' d6 W/ S

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发表于 2014-10-8 16:33 | 只看该作者
,给于博士做广告了。

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发表于 2014-10-8 17:42 | 只看该作者
菩提老树 发表于 2014-10-8 15:34; Q8 V2 H$ |, Z! {
DDR3的阻抗没有规定说一定要50ohm,DDR2的才规定了一定要匹配到50ohm信号完整性才好。
* X/ P3 c# S" i" R9 O! `% E
3QU,学习了) j" {- V* l4 \
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发表于 2014-10-8 17:42 | 只看该作者
菩提老树 发表于 2014-10-8 15:34
- M# J; r9 h' ^/ n' H0 `DDR3的阻抗没有规定说一定要50ohm,DDR2的才规定了一定要匹配到50ohm信号完整性才好。
2 |; C; B8 \0 Z1 C7 Q6 ^
3QU,学习了
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发表于 2014-10-10 22:12 | 只看该作者
把sig1和sig2的间距拉大(2倍以上应该就不)

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发表于 2014-10-10 22:23 | 只看该作者
把gnd1和sig1的间距缩小,sig1和sig2的间距拉大, 另外还要取决你板厚是多少来定。(注意sig1和sig2的平行走线。呵呵。。)
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