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allegro DDR3 阻抗控制 ,怎么确定参考层

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发表于 2014-9-30 09:06 | 只看该作者 回帖奖励 |正序浏览 |阅读模式

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最近新作的高通的板子 ,8层板,其结构是 TOP GND1 SIG1 SIG2 PWR SIG3 GND2 BOTTOM
$ ^" _. m1 g- b7 w1 ]现在DDR走线在 SIG1 SIG2 SIG3 都存在,问题是在控制阻抗的时候 ,由于SIG2曾走线很少,7 y6 e- _" }& v
普了大面积的铜皮 ,所以SIG1的信号,有一部分在SIG2层的铜皮范围内 ,现在SIG1 的信号' N. S% T) H$ V  T4 r1 I, @
上层参考GND1 层 下层一部分参考SIG2层,另一部分参考PWR, 导致阻抗不能统一 40欧姆 怎么办
2 k8 ^% p+ @* x# @4 f- h9 B7 A
' j' r% S% I9 b$ ~; ]为什么SIG1信号还要参考下层呢 之参考上层地平面可以吗
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发表于 2014-10-10 22:23 | 只看该作者
把gnd1和sig1的间距缩小,sig1和sig2的间距拉大, 另外还要取决你板厚是多少来定。(注意sig1和sig2的平行走线。呵呵。。)

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发表于 2014-10-10 22:12 | 只看该作者
把sig1和sig2的间距拉大(2倍以上应该就不)

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发表于 2014-10-8 17:42 | 只看该作者
菩提老树 发表于 2014-10-8 15:34
; B: {7 F1 D3 h- eDDR3的阻抗没有规定说一定要50ohm,DDR2的才规定了一定要匹配到50ohm信号完整性才好。
3 d4 ]) d# a! x& T! X# Z
3QU,学习了
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发表于 2014-10-8 17:42 | 只看该作者
菩提老树 发表于 2014-10-8 15:345 }& K& _: k9 z) H  m  l
DDR3的阻抗没有规定说一定要50ohm,DDR2的才规定了一定要匹配到50ohm信号完整性才好。
+ [6 ^; |$ u( z( X0 r
3QU,学习了
. J$ E5 a" g: s" G" {- ]0 a
遇一人白首 择一城终老

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发表于 2014-10-8 16:33 | 只看该作者
,给于博士做广告了。

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发表于 2014-10-8 16:32 | 只看该作者
SIG1 SIG2 走线区域 设置 禁止覆铜, 这样SIG1 SIG2的参考层都是GND1  PWR。
9 B* P+ q: @; K# FSIG1走线是带状线,参考层有上下两层,主参考层是GND1,次参考层是PWR。可以通过PI仿真,看到2层参考层的回流比例。
; p3 Y0 E* ~. B  u( L, N参考层必须是完整的平面,不然反射和振铃现象很严重。可以参考于博士的信号完整性揭秘,里面有详细介绍。
! Q/ j  x8 Q$ f# W' J1 I9 ~, Q

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发表于 2014-10-8 15:34 | 只看该作者
owencai 发表于 2014-9-30 09:27
; }) h7 b- f  i- e6 KGND1与SIG1之间的PP层应该是一样的厚度吧,按道理来说,TOP,和SIG1都是参考GND1啊,如果你的NET走到了SIG2 ...

" w6 I+ ]# G6 u- C- n$ ^& s7 A' zDDR3的阻抗没有规定说一定要50ohm,DDR2的才规定了一定要匹配到50ohm信号完整性才好。

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发表于 2014-9-30 09:42 | 只看该作者
楼上正解,阻抗不止要层的顺序,还要层的距离.如果你不确定,就扔给板厂吧- i7 j- H" ?$ M/ W
又累又out...............

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 楼主| 发表于 2014-9-30 09:40 | 只看该作者
现在PCB厂说SIG1有问题 ,SIG1 上面参考GND1层  ,下面还要参考PWR层 ,可是因为SIG2 有大面积普通  SIG1就有一部分参考了SIG2层的铜皮 ,导致SIG1跨层了,之前没听说这种理论

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发表于 2014-9-30 09:27 | 只看该作者
GND1与SIG1之间的PP层应该是一样的厚度吧,按道理来说,TOP,和SIG1都是参考GND1啊,如果你的NET走到了SIG2那么,按照一般叠层设置会将SIG2来参考PWR,你把要求给板厂,板厂会根据你的板厚要求来调整两层之间的PP厚度,从而满足阻抗啊,0 |6 l' B/ j( F- j6 A
DDR3要做40欧姆?8 h7 P" I7 M1 h
还要信号线回路参考最好不要跨分割!' ~8 M0 U+ v/ ?3 G
个人观点,不妥之处请指正
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