减小轨道塌陷措施？

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1、减小电源和地路径的回路电感；
2、使电源平面和地平面相邻并尽量靠近；
3、在平面间使用介电常数尽量高的介质材料使平面间的阻抗最低；
& {. O# z1 w$ R; J2 Z& A- U8 Z4、尽量使用多个成对的电源平面和地平面；
* C) M( w0 O( Q, x2 l5、使同向电流相隔尽量远，而反向电流间隔尽量近；
6、在实际中，使电源过孔与地平面过孔尽量靠近。要使它们的间隔至少与过孔的长度相当；
9 i3 Y; ~0 p9 F/ R& n* ]7、应将电源平面与地平面尽可能靠近去耦电容所在的表面处；
8、对相同的电源或地焊盘使用多个过孔，但要使过孔间距尽量远；
9、在电源平面或地平面上布线时，应是过孔的直径尽量大；
0 [# V- w  x; m" K, ?: s10、在电源焊盘和地焊盘上使用双键合线可以减小键合线的回路电感；
, B+ u' U# d; s' \3 V11、从芯片内引出尽可能多的电源和地引线；
12、在芯片封装时引出尽可能多的电源和地引脚；
9 ]! C. P7 _0 p* o& V2 S! r13、使用尽可能短的片间互连方法，例如倒装芯片而不是键合线；
14、封装的引线应尽量短，例如应使用CSP封装而不是QFP封装；
- D: X5 G3 u2 Z- p$ c( G9 f16、使去耦电容焊盘间的布线和过孔尽可能短而宽；
17、在低频时使用一定量的去耦电容来代替稳压器件；
0 O) }5 u& f  N18、在高频时使用一定量的去耦电容来抵消等效电感；
" @) Q  [1 ^& P8 f6 Z5 c4 S0 y1 k19、使用尽可能小的去耦电容，并尽量减小电容焊盘上与电源和地平面相连的互连线的长度；
20、在片内使用尽量大的去耦电容；
* ]9 K/ K  q! m1 h( }5 ^0 ~, h21、在封装中应使用尽可能多的低电感去耦电容；
! E( ], ?0 e! N22、在I/O接口设计中使用差分对；

willyeing

高手出现。

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就一句话：使DIE pad出来的wirebond线与POWER/GROUND RING的电感尽量小。