欲用PMOS做开关及控制时序， 可惜，时序没有按套路来?

Quantum_

1. 如题， 想用AP2305GN, 做一个开关， 同时， 用RC控制时序。 让5V先起来
. g: ?1 ^0 E& T4 y5 `# l& P" A: a% m2. 原理图如图1
3. 实测结果(如图2)， 12v先于5v 起来(1ms)
4. 问题出在哪呢？
) X$ M7 v# t8 r2 L0 r2 C- c注： 标签1(+5VS)，2(P12V)分别探测Q6.G, Q18.G
7 \) @+ H3 ~1 H2 l* X9 b
7 V' _/ M5 z3 s& R0 E) ~
谢谢！

fallen

cvntao 发表于 2017-2-23 10:00
大神，我想问一下 R132的作用是什么，去掉是不是也OK呢

R132不能去，否则只靠GS并联的电容无法调节到理想状态。

cvntao

fallen 发表于 2017-1-7 00:02
你的问题出在MOS管开关哪里，GS并联的电容C与三极管集电极串联的R参数一样导致的，那为什么参数一样会导致 ...

大神，我想问一下 R132的作用是什么，去掉是不是也OK呢

xtaylg

为什么要这样设计呢？5V起来，再去控制12V不就行了？

xtaylg

为什么要这样设计呢？5V起来，再去控制12V不就行了？

AD9_PCB

这个是什么软件仿真的啊

yhg-cad

很好的贴子

wudi20060501

很好的一个贴。

Quantum_

zdfgh154 发表于 2017-1-10 18:06
, b0 V) H* x* ~( q( IHDD的电源设计 对时序有要求吗？先前设计都木有注意呀，同时给的呀。。。

1. HDD上电时序不是工业规范。
2. 但是， 某些项目， 应该环境比较特殊。
, m- o+ t: _, y8 w* \' B% r3. 我这个项目就是， 我的客人，在PRD里明确描述， 需要5V ready 以后, 12V再来.  


* n- `$ x" K" w3 ?& W* L) W

zdfgh154

HDD的电源设计 对时序有要求吗？先前设计都木有注意呀，同时给的呀。。。

djadfas

5V控12V 吧  三极管be0.几v   5V的vgs分压尽量大 最好直接对GND

fallen

数量级别太小，另外三极管的开启电压只有0.6V左右，也太小了，调节这里效果不明显

Quantum_

fallen 发表于 2017-1-7 00:02
你的问题出在MOS管开关哪里，GS并联的电容C与三极管集电极串联的R参数一样导致的，那为什么参数一样会导致 ...

谢谢! Fallen
1. 一针见血。
2. VG=(VCC*R132)/(R132+R23) +[ (VCC*R23)/(R132+R23)]*e^(-t/RC) 这个公式的计算结果，基本符合实测结果。 注：  AP2305GN 的 Vgs(th)= -0.5
    **Fallen的电路课， 很是强大。 哪毕业的？
3. Solution:把串联的电阻（12v）改成470K, 时间t就会从0.5ms delay  to be  5ms. 达到5V先开启的目的。

另外， 为何三极管前端的RC 没有Delay效果(成功)？ RC 的数量极太小？
: |. H9 X- \$ Y6 W* x: ?

fallen

你的问题出在MOS管开关哪里，GS并联的电容C与三极管集电极串联的R参数一样导致的，那为什么参数一样会导致开启时间不一样呢？因为从12V降低VTH和从5V降低VTH的时间不一样,为何？这个就从RC的冲激响应说起了：当三极管导通后，VG=(VCC*R132)/(R132+R23) +[ (VCC*R23)/(R132+R23)]*e^(-t/RC)--------这个是以5V那个MOS管来计算的。可在EXCEL表格里面计算，你看下哪个会先到VTH。