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本帖最后由 alexwang 于 2018-7-2 15:24 编辑
4 G: ~/ [3 X9 D0 b1 O3 L
- z- X% p* D, R. m W1 BADS支持调用IBIS模型，本文以DDR2的数据信号为例，介绍了一下IBIS模型的调用。( l7 p* z2 V, V8 |6 d
( l7 {7 {5 N/ f; `6 w9 k" \
注释1：设定Vih和Vil的ac、dc电平特性及Vref电平。在判断波形的时候可以方便的调出来。 + x: P6 x( z! [! o1 ^2 K
注释2：设置信号速率及电平大小。stoptime及step大小设置为变量，随信号速率变化。（也可以设置常量表示）
# |2 K9 u0 V y7 O* O
注释3：设置传输线类型、长度及宽度。这里需注意SLIN需配合SSub使用。选中SLin，然后在Tools-->LineCalc-->Send Selected Component To LineCalc
: L7 w+ y! K. g r6 T2 s+ n5 ~
+ J+ z/ f# I" i* ]( [- ?
注释4：Source如果设置为下图两种都可以。VtBitSeq可以自定义仿真码型，VtLFSR_DT采用随机码。 0 _' d" y! b' @& L) t! F2 b# w6 m j
% B1 r. R5 S; l% ~2 B+ [2 E1 O
注释5：过孔的简单等效模型，可以用准确的S参数替代。 2 V4 m& C# q. |" w) z
注释6：pin的寄生电容 5 U* v) v: D; J8 u
查看波形前需注意给需要查看的网络进行命名，命名后才可以查看到波形。 + h& N9 E' d6 Y" t2 H
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发表于 2016-2-2 16:10
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发表于 2017-3-7 19:05
