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[仿真讨论] ADS调用IBIS模型-DDR2数据信号仿真实例

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发表于 2016-2-2 16:10 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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本帖最后由 alexwang 于 2018-7-2 15:24 编辑
% X% z$ w" ^! Q! t9 Z/ K" j+ ?0 E; ^$ v, ^; [
ADS支持调用IBIS模型,本文以DDR2的数据信号为例,介绍了一下IBIS模型的调用。
' o. e' D/ b1 R9 V% \
$ H% {' B( x% \
注释1:设定Vih和Vil的ac、dc电平特性及Vref电平。在判断波形的时候可以方便的调出来。

2 ?; u3 r* y# [
注释2:设置信号速率及电平大小。stoptime及step大小设置为变量,随信号速率变化。(也可以设置常量表示)
* R8 g, q( B6 I) {, S
注释3:设置传输线类型、长度及宽度。这里需注意SLIN需配合SSub使用。选中SLin,然后在Tools-->LineCalc-->Send Selected Component To LineCalc
, _( f1 ^4 D& E1 F% v
. z  F0 [3 w1 K7 x1 k/ `5 g
注释4:Source如果设置为下图两种都可以。VtBitSeq可以自定义仿真码型,VtLFSR_DT采用随机码。
- M0 |; D" T) ^2 q

! `* `1 M: h4 k6 e
注释5:过孔的简单等效模型,可以用准确的S参数替代。
8 g% A8 j+ w0 l7 Q6 y! O1 x
注释6:pin的寄生电容
4 a4 s) |, v' a, q* w" }3 k* A
     查看波形前需注意给需要查看的网络进行命名,命名后才可以查看到波形。
# U& X3 r9 c  i+ f+ x, }) K
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发表于 2016-2-27 22:48 来自手机 | 只看该作者
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发表于 2016-4-13 12:25 | 只看该作者

8 ]8 r) }% m6 ~  {$ H& q% b好东西,谢谢分享!

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发表于 2017-3-4 01:06 | 只看该作者
好东西,谢谢分享!

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