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发表于 2014-9-29 17:01 | 只看该作者 回帖奖励 |正序浏览 |阅读模式

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发表于 2014-12-5 10:04 | 只看该作者
你要看你是做什么产品的" I& G/ M4 X9 ~3 s
工业级,军事级的才可能满足你3W的要求,大部分民用的消费级产品很少有满足3W的。
/ p$ [# N, k3 b7 f6 p3 Y第九条要放在ddr颗粒stub前。# J7 o. V& r+ Z% [; d5 h$ H
第二条25mil太夸张了,虽然很多design guide上是要求这样,但是即使你25mil等长了,未必你的延时就真的是这样,这和你路径上的过孔,拐角,蛇形绕线都有一定的关系,所以我的建议是100mil以内。
9 z3 J+ p& U+ Icmd/addr/ctrl不必那么严格,有write leveling帮忙调shift to ck,所以你控制在300mil以内就可以了。
4 e* I. C; F( C4 A9 |# rvref做屏蔽这种事,有很多公司都这么做,我是没干过,也没见有SI问题。" n- ?( G3 _4 c4 a
其他都还是可以的。
& X# ]4 W0 V3 L3 Tfly-by拓补的每个颗粒clk对应的颗粒内的DQS约束即可,不用全部等长。write leveling是个好东西。
8 k* v0 t! }0 {: e0 Q' j8 B' q) E/ Y2 i& ^
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发表于 2014-12-5 09:00 | 只看该作者
ggbingjie 发表于 2014-12-5 08:54
; k$ O9 i" q5 z. Z我想问下,数据组与数据组之间有没有时序方面的要求?
! w* L) A2 M; u* ^/ |/ J
没有直接的要求,通常是组内DQ-DQS3 b6 R9 z( ~4 V
但是由于DQS与CK有时序要求,所以间接的要求还是有的,每一根线等长是最笨但是较为有效的做法,但是未必是时序裕度最大的设计,通常芯片内部还会有bump到die的线长,那未必是等长的,何况还有封装引起的上升沿变化使得相位偏移,所以,还是用模型仿真确定需要多少。通常300mil以内就能满足基本的时序要求。$ ]' ~6 u' l! J- z& h9 x
  n8 s$ y7 u; q9 ?  V$ t
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发表于 2014-12-4 15:00 | 只看该作者
zhanglin880126 发表于 2014-10-24 11:595 u* \& g( v6 b- v
同问3楼的,一直想知道电感腹部的覆铜是否要割掉?原因是什么?楼主给我们讲解一下啊,不甚感激
3 m" @, }7 H7 z  S
通俗点来讲,电感底部的地或者其他信号线会在电感间并上一个小的等效电容,使得有效电感值出现偏移。4 C; G+ g& Y, r- U3 K

6 `* q$ i6 \& x/ s" {6 E; b所以建议电感下部不要走任何其他网络线,包括地。
5 w; ?, `. X3 q/ M1 J& E- @/ ]; U. [4 _9 ]* f* V$ l# n; k
* B8 P* R% g" \0 Z/ l7 J4 C) a
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发表于 2018-6-18 23:03 | 只看该作者
谢谢分享

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very good!
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发表于 2018-1-10 23:04 | 只看该作者
谢谢!

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发表于 2017-12-29 21:08 | 只看该作者
感谢分享( c- ~/ M( J1 u" i6 @: R

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发表于 2017-12-10 20:58 | 只看该作者
包括原理图和PCB吗

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感谢楼主分享。8 }7 J7 O* _4 X7 @- z, i  J

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发表于 2017-12-6 15:20 | 只看该作者
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发表于 2017-12-6 09:11 | 只看该作者
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发表于 2017-12-4 12:34 | 只看该作者
看样不错的
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发表于 2017-12-3 18:05 | 只看该作者
参考一下

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发表于 2017-11-28 19:31 | 只看该作者
不错!!!!!!!!!!!
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