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mos管电路的用法 看不懂 请大家探讨

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发表于 2016-3-30 18:24 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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如图,这个电路24v输入,为什么能输出12v。 该电路是成熟电路,实际搭出来的确是能测得接近12v电压? 请问怎么分析输出电压的产生。( r/ C# v' n7 Z. I' ?2 T/ \$ W, Y7 o6 h

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发表于 2016-4-1 09:11 | 只看该作者
PTC,按1A*0.7,也最多是0.7V的压降,那还剩下11.3V呢,1欧的电阻跟谁并联都是小于1欧的,PTC限制了回路总电流,如果最大电流只能过1A,那11.3V压降从哪里来呢
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发表于 2016-4-1 19:36 | 只看该作者
在下也發表一下個人看法
& l$ r3 L+ D9 J- `' z; n6 U如版主圖所示,Q1不會工作在飽和區(右側水平線),而是工作在電阻(線性)區(左側斜線)+ p& p; c$ n. Q. \" U
通電後,Gate電壓固定24*(51/(22+51)=16.76V,Source電壓開始上升。Vgs越來越小,使Q1脫離飽和區進入電阻區,預期Vgs=16.76-12=4.76時會到達穩態,如此轉出12V. ]# {# i! r5 u3 X4 a6 X
如上面先進所述,PD12是一顆zener diode, 使用Vz=12V的二極體會比較合理
0 X  f6 N* n1 Y% f/ cR26功能在下也不清楚。樓主電路板上是有上件的嗎?比較能夠避免功率問題的說法應該是該R26與Q1是並聯電路,如果Q1在電阻區的阻值遠低於R1, 那電流就會分流在Q1上。如此負載應要在數十安培才有可能。
! ~' w5 `7 k5 g  |" X: x# d

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 楼主| 发表于 2016-12-13 22:04 | 只看该作者
隔了快一年多再次看到这个帖子,感谢各位的回答,这个电路如今已经搞清楚了,R26是预留!!!!   作为12v与24v系统的备选;当12v系统时,R26贴上,Q1\R27\R28不贴; 24V系统时 Q1\R27\R28贴,R26不贴,mos工作与可变电阻区,vgs对应一个Vds,使得vds有12v左右的电压,后面有接LDO(LDO允许的输入范围是9~33v,电流是200ma),LDO设计时用来产生12->5V,电流是100ma左右,主要热量在mos处;感谢各位!

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发表于 2016-3-30 22:59 | 只看该作者
我也看不懂

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发表于 2016-3-30 23:14 | 只看该作者
書到讀時方恨多!) Z- n# x) k# O2 N0 p

" U5 H; ~3 ~1 L7 w- d( ?
1 v3 E9 t7 E2 W$ u5 k9 Y
6 _/ G9 }, Y+ p+ r3 R/ m2 Z/ {5 u. f4 S  u5 r% E1 `! h0 y

AUIRF3205 Id vs Vds.jpg (66.74 KB, 下载次数: 1)

AUIRF3205 Id vs Vds.jpg

Output Characteristics of a Depletion Mode MOSFET.jpg (102 KB, 下载次数: 1)

Output Characteristics of a Depletion Mode MOSFET.jpg

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版主大哥,小弟结合两张图没看懂  详情 回复 发表于 2016-3-31 09:16
哈士奇是一種連主人都咬的爛狗!

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发表于 2016-3-30 23:36 | 只看该作者
应该是一个NMOS的驱动电路吧,不像常用的电平转换电路。

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发表于 2016-3-30 23:36 | 只看该作者
应该是一个NMOS的驱动电路吧,不像常用的电平转换电路。

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发表于 2016-3-31 00:27 | 只看该作者
该电路没有分析的价值,完全靠特定的条件下得到12V.并没有适用性,想这种不靠谱的电路少用.

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支持!: 5.0
fallen版主,这个电路很疑惑,所以发帖求助,结合狗版主贴的两张图。您的特定条件是指给id一个特定的电流吗?  详情 回复 发表于 2016-3-31 09:15
我记得以前有个人发了一个19种电平转换电路,这个应该完全靠增强型NMOS本身管子参数的特性做的电路,吧.  详情 回复 发表于 2016-3-31 08:34
支持!: 5
想得出來、敢用,單憑兩點還是比我強!^_^  发表于 2016-3-31 08:06

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发表于 2016-3-31 08:34 | 只看该作者
fallen 发表于 2016-3-31 00:27# Y! H/ N+ j8 }3 G. U' \+ C
该电路没有分析的价值,完全靠特定的条件下得到12V.并没有适用性,想这种不靠谱的电路少用.

) U) J6 a6 @6 v) r) q9 I2 ^我记得以前有个人发了一个19种电平转换电路,这个应该完全靠增强型NMOS本身管子参数的特性做的电路,吧., z  ~1 h) {2 ~) Y7 W1 P* @! `( v

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 楼主| 发表于 2016-3-31 09:15 | 只看该作者
fallen 发表于 2016-3-31 00:27
1 I- j6 c7 i' ~$ a/ R& }该电路没有分析的价值,完全靠特定的条件下得到12V.并没有适用性,想这种不靠谱的电路少用.

: F5 n6 c' a% M" G1 }# mfallen版主,这个电路很疑惑,所以发帖求助,结合狗版主贴的两张图。您的特定条件是指给id一个特定的电流吗?
4 `, ?6 F% L) X. a4 d8 D

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 楼主| 发表于 2016-3-31 09:16 | 只看该作者
超級狗 发表于 2016-3-30 23:140 D2 t  Q0 a  w/ C: {1 h- I
書到讀時方恨多!

6 ~2 c8 p& U1 Z' r& L( r0 q5 T版主大哥,小弟结合两张图没看懂
( k+ i6 ~# @9 T9 m5 t3 `

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[*]第一張圖是 AUIRF3205 V v.s. I 的特性 。 [*]第二章圖示一般 MOSFET 特性曲線的解讀。 [*]V = V [*]I = I + I 懂了嗎? 小弟的能耐只到這裡!  详情 回复 发表于 2016-3-31 09:37

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发表于 2016-3-31 09:37 | 只看该作者
本帖最后由 超級狗 于 2016-3-31 09:39 编辑
0 w( u) t/ U% A, k  n
muyidou 发表于 2016-3-31 09:16; {% a. O1 m8 P" h0 F! ?) {
版主大哥,小弟结合两张图没看懂

; b6 C* T( h. p. y
  • 第一張圖是 AUIRF3205 VDS v.s. ID 的特性 。
  • 第二張圖是一般對 MOSFET VDS v.s. ID 特性曲線的解讀。
  • VDS = VR26
  • ILoad = ID + IR26
    , ?4 S$ a- O1 |# u

/ b9 a( H! a" _" F懂了嗎?
; K5 I5 U9 u% V$ u3 V+ ~% F6 X  L, S0 F5 }; D
小弟的能耐只到這裡!& C( q- z4 f" _
  g; L% o- f1 H8 X
( ~& i- A5 g9 g

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版主大哥,我和楼下有相同的疑惑,1206的1欧姆电阻能挨得上12v电压吗?  详情 回复 发表于 2016-3-31 14:39
哈士奇是一種連主人都咬的爛狗!

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发表于 2016-3-31 13:46 | 只看该作者
我表示看不懂啊,狗大解释一下,MOS管跟R26并联,1欧的电阻,1206的封装,12V的压降,意思说通过电阻的电流12A,这不科学啊

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家裏沒大人?輪得到 R26 說話嗎?  详情 回复 发表于 2016-3-31 16:52
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 楼主| 发表于 2016-3-31 14:39 | 只看该作者
超級狗 发表于 2016-3-31 09:37
  • 第一張圖是 AUIRF3205 V[sub]DS[/sub] v.s. I[sub]D[/sub] 的特性 。
  • 第二張圖是一般對 MOSFET  ...

  • 9 k, a7 z4 i! L1 F0 n 版主大哥,我和楼下有相同的疑惑,1206的1欧姆电阻能挨得上12v电压吗?
    + i/ ^, Y) m9 J, U7 U" z8 q

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    发表于 2016-3-31 16:52 | 只看该作者
    skatecom 发表于 2016-3-31 13:46
      R- L$ ]% ^; o2 E我表示看不懂啊,狗大解释一下,MOS管跟R26并联,1欧的电阻,1206的封装,12V的压降,意思说通过电阻的电流 ...
    4 x2 |+ L* c- j# S9 K4 J" d
    家裏沒大人?輪得到 R26 說話嗎?
    % B- _( q: M) H/ s: F+ y% b+ d# O, ]3 Y9 w. C2 F( p/ H0 o! Y
    8 R! ]! H+ Q; e% W( g: V) h4 J  C

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    发表于 2016-3-31 17:42 | 只看该作者
    这个电路有点不是很明白,R26的电阻是选择性的上吗?出12V时,R26不上?

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    发表于 2016-3-31 17:44 | 只看该作者
    如果R26不上件,特定条件下输出12V可以理解,但是R26如果上件,输出12V,必须靠保险丝和R26的串联来顶到12V,耗散功率保险丝根本就顶不住。
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