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mos管电路的用法 看不懂 请大家探讨

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发表于 2016-3-30 18:24 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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如图,这个电路24v输入,为什么能输出12v。 该电路是成熟电路,实际搭出来的确是能测得接近12v电压? 请问怎么分析输出电压的产生。
. k; J1 O3 w; o

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发表于 2016-4-1 09:11 | 只看该作者
PTC,按1A*0.7,也最多是0.7V的压降,那还剩下11.3V呢,1欧的电阻跟谁并联都是小于1欧的,PTC限制了回路总电流,如果最大电流只能过1A,那11.3V压降从哪里来呢
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发表于 2016-4-1 19:36 | 只看该作者
在下也發表一下個人看法2 B7 H, ?  h; [8 O" `+ P, t
如版主圖所示,Q1不會工作在飽和區(右側水平線),而是工作在電阻(線性)區(左側斜線)9 P0 `' o5 N& d
通電後,Gate電壓固定24*(51/(22+51)=16.76V,Source電壓開始上升。Vgs越來越小,使Q1脫離飽和區進入電阻區,預期Vgs=16.76-12=4.76時會到達穩態,如此轉出12V. W$ w: N, O6 h/ j+ z6 P. A# q
如上面先進所述,PD12是一顆zener diode, 使用Vz=12V的二極體會比較合理
" T8 ]1 ?- C- T: {3 w7 `R26功能在下也不清楚。樓主電路板上是有上件的嗎?比較能夠避免功率問題的說法應該是該R26與Q1是並聯電路,如果Q1在電阻區的阻值遠低於R1, 那電流就會分流在Q1上。如此負載應要在數十安培才有可能。
( V- ]* G5 g$ t2 v' e% A

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 楼主| 发表于 2016-12-13 22:04 | 只看该作者
隔了快一年多再次看到这个帖子,感谢各位的回答,这个电路如今已经搞清楚了,R26是预留!!!!   作为12v与24v系统的备选;当12v系统时,R26贴上,Q1\R27\R28不贴; 24V系统时 Q1\R27\R28贴,R26不贴,mos工作与可变电阻区,vgs对应一个Vds,使得vds有12v左右的电压,后面有接LDO(LDO允许的输入范围是9~33v,电流是200ma),LDO设计时用来产生12->5V,电流是100ma左右,主要热量在mos处;感谢各位!

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发表于 2016-3-30 22:59 | 只看该作者
我也看不懂

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发表于 2016-3-30 23:14 | 只看该作者
書到讀時方恨多!6 v5 `, I/ u3 C" K' i& U+ r% E4 }

$ {6 `$ B# d# W% l
, j* J( r/ C5 U) _  e  q
" O6 \) J3 X% l$ |6 i' ~
8 P8 T: o3 ^5 a. v, {+ @0 M9 X

AUIRF3205 Id vs Vds.jpg (66.74 KB, 下载次数: 1)

AUIRF3205 Id vs Vds.jpg

Output Characteristics of a Depletion Mode MOSFET.jpg (102 KB, 下载次数: 1)

Output Characteristics of a Depletion Mode MOSFET.jpg

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版主大哥,小弟结合两张图没看懂  详情 回复 发表于 2016-3-31 09:16
哈士奇是一種連主人都咬的爛狗!

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发表于 2016-3-30 23:36 | 只看该作者
应该是一个NMOS的驱动电路吧,不像常用的电平转换电路。

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发表于 2016-3-30 23:36 | 只看该作者
应该是一个NMOS的驱动电路吧,不像常用的电平转换电路。

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发表于 2016-3-31 00:27 | 只看该作者
该电路没有分析的价值,完全靠特定的条件下得到12V.并没有适用性,想这种不靠谱的电路少用.

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支持!: 5.0
fallen版主,这个电路很疑惑,所以发帖求助,结合狗版主贴的两张图。您的特定条件是指给id一个特定的电流吗?  详情 回复 发表于 2016-3-31 09:15
我记得以前有个人发了一个19种电平转换电路,这个应该完全靠增强型NMOS本身管子参数的特性做的电路,吧.  详情 回复 发表于 2016-3-31 08:34
支持!: 5
想得出來、敢用,單憑兩點還是比我強!^_^  发表于 2016-3-31 08:06

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发表于 2016-3-31 08:34 | 只看该作者
fallen 发表于 2016-3-31 00:27
& |+ X, Y( y' M  y& {2 [% B" A该电路没有分析的价值,完全靠特定的条件下得到12V.并没有适用性,想这种不靠谱的电路少用.

5 Q. s9 w6 a% E我记得以前有个人发了一个19种电平转换电路,这个应该完全靠增强型NMOS本身管子参数的特性做的电路,吧.+ E7 u& G/ B8 Q. z! U  l$ C

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 楼主| 发表于 2016-3-31 09:15 | 只看该作者
fallen 发表于 2016-3-31 00:279 V4 k8 o- i) j+ w, X# J5 N$ z
该电路没有分析的价值,完全靠特定的条件下得到12V.并没有适用性,想这种不靠谱的电路少用.

( R" t  b% }. E* S  E' sfallen版主,这个电路很疑惑,所以发帖求助,结合狗版主贴的两张图。您的特定条件是指给id一个特定的电流吗?! V% e  ~: R3 b3 h& K; B

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 楼主| 发表于 2016-3-31 09:16 | 只看该作者
超級狗 发表于 2016-3-30 23:14) B5 D( l' A1 Q3 N2 U# x
書到讀時方恨多!

* e! E( P* o" S7 @4 N& w, S5 C: O版主大哥,小弟结合两张图没看懂0 t  M1 l8 d5 Z

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[*]第一張圖是 AUIRF3205 V v.s. I 的特性 。 [*]第二章圖示一般 MOSFET 特性曲線的解讀。 [*]V = V [*]I = I + I 懂了嗎? 小弟的能耐只到這裡!  详情 回复 发表于 2016-3-31 09:37

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发表于 2016-3-31 09:37 | 只看该作者
本帖最后由 超級狗 于 2016-3-31 09:39 编辑 ! W- x! d: n6 V: A$ p8 x" ^9 S
muyidou 发表于 2016-3-31 09:16
! d9 u) ^- P  Q版主大哥,小弟结合两张图没看懂

; H5 j$ a0 c$ A  N0 b
  • 第一張圖是 AUIRF3205 VDS v.s. ID 的特性 。
  • 第二張圖是一般對 MOSFET VDS v.s. ID 特性曲線的解讀。
  • VDS = VR26
  • ILoad = ID + IR26
    ! F, `& x0 l- \: \6 ~+ h" J

6 B8 |0 A5 A/ j1 S: @: l懂了嗎?$ _' O8 W5 J3 s1 Z$ m& t' j- |  k

" \' I9 E( K( J- V4 t. n( c; a小弟的能耐只到這裡!# T4 |4 ~- h* @7 }" \/ b" e5 i

; }7 s) D2 I$ U, k4 g- u
7 N, H2 @& Q+ ^# ~9 P; k

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版主大哥,我和楼下有相同的疑惑,1206的1欧姆电阻能挨得上12v电压吗?  详情 回复 发表于 2016-3-31 14:39
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发表于 2016-3-31 13:46 | 只看该作者
我表示看不懂啊,狗大解释一下,MOS管跟R26并联,1欧的电阻,1206的封装,12V的压降,意思说通过电阻的电流12A,这不科学啊

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家裏沒大人?輪得到 R26 說話嗎?  详情 回复 发表于 2016-3-31 16:52
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 楼主| 发表于 2016-3-31 14:39 | 只看该作者
超級狗 发表于 2016-3-31 09:37
  • 第一張圖是 AUIRF3205 V[sub]DS[/sub] v.s. I[sub]D[/sub] 的特性 。
  • 第二張圖是一般對 MOSFET  ...

  • " w! z% \: C0 e: V 版主大哥,我和楼下有相同的疑惑,1206的1欧姆电阻能挨得上12v电压吗?
    # W, A  a2 A# L8 e, G

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    发表于 2016-3-31 16:52 | 只看该作者
    skatecom 发表于 2016-3-31 13:46
    ( _" Z3 {7 G, o/ I; I  U* M1 e+ \我表示看不懂啊,狗大解释一下,MOS管跟R26并联,1欧的电阻,1206的封装,12V的压降,意思说通过电阻的电流 ...
    0 J; q0 r4 }" ?! d3 Y1 O0 f9 L
    家裏沒大人?輪得到 R26 說話嗎?
    " D* j1 X0 _3 J' I4 x" e
    " C; j7 f* I2 d, `- ?# e& |1 a1 K5 ]5 z8 m, I; |& ]

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    发表于 2016-3-31 17:42 | 只看该作者
    这个电路有点不是很明白,R26的电阻是选择性的上吗?出12V时,R26不上?

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    发表于 2016-3-31 17:44 | 只看该作者
    如果R26不上件,特定条件下输出12V可以理解,但是R26如果上件,输出12V,必须靠保险丝和R26的串联来顶到12V,耗散功率保险丝根本就顶不住。
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