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EDA365电子工程师网»技术社区 › 热门版块 › 电源技术论坛 › 关于P-FET DCDC转换器的问题
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关于P-FET DCDC转换器的问题

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dukekuo

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发表于 2016-1-28 01:05 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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各位先进好, 这边想与各位先进讨论一个关于P-FET DCDC转换器的问题
- l" R/ m# M3 U- Y
9 v1 X4 v- F, d, n参考LM5085的规格书中其中的章节提到, 在应用方面提到在VCC脚位中瞬变中会产生负电压, 须靠Schottky diode 去抑制, 其中原理是什么呢???$ q! z: R3 H+ ~) R& D/ {4 [

1 @6 L5 j1 R7 f" e) j& x; O) D
0 U; e' L# n" |这负电压是如何产生的? 是因为trr的关系, V = Ldi / dt 所以比GND 更​​负% ?3 z9 d6 e8 A  a
而schottkey 是为了让trr速度更快回复吗???5 g: w/ O  |) l( x8 s
, M4 g: @/ }1 R% [" l" M9 i6 N
请帮小弟解惑....如果有图解更好....感恩
6 q9 [5 X9 q9 ]1 P2 Y& Q

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cousins

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发表于 2016-1-28 10:27 | 只看该作者
负向电压的产生是因为电容的储能特性，两极压势差不可突变性。Cvcc两极电势差是不会瞬间变化的，Vin-Vcc>0，当Vin=0时，Cvcc在Vcc一极的电势的值会等于之前的Vcc-Vin，必然为负。肖特基可以提供此负电压储能电容快速放电。
, z7 f% Q# p7 t& v8 W8 n, m6 q! A4 l* I
新年伊始，稳中求胜

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fallen

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发表于 2016-1-28 21:03 | 只看该作者
没仔细看，不过楼主可以从电容和二极管的钳位看。

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