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有关Flash被冲程序

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发表于 2013-6-13 17:24 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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用的EN25T80这颗Flash,总是出现程序被冲掉,重烧程序后板子OK。曾经在硬件把WP脚拉死(强制写保护了),还是会出现程序被冲掉情况,求救大神,还有什么方法改进。

Flash.jpg (80.46 KB, 下载次数: 0)

Flash.jpg

点评

能知道是什麼樣的應用嗎?有沒有像 U 盤那樣,寫入時有被無預警斷電的可能?  发表于 2013-6-13 22:48
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发表于 2013-6-13 18:53 | 只看该作者
軟件保護有做嗎?
' R# v4 U0 r/ P) E( _, E! l! A" I- d. h& N
{:soso_e132:} # }5 z  H9 M$ E1 n+ K6 q
7 ~) a9 D! `  ^. F, J* c

NE25T80 Block Protection.jpg (120.07 KB, 下载次数: 1)

NE25T80 Block Protection.jpg
哈士奇是一種連主人都咬的爛狗!

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发表于 2013-6-13 19:05 | 只看该作者
WP为啥不接上拉

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发表于 2013-6-13 20:35 | 只看该作者
是否双电源供电?

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发表于 2013-6-13 22:44 | 只看该作者
In addition to the low power consumption feature, the Deep Power-down mode offers extra software protection from inadvertent Write, Program and Erase instructions, as all instructions are ignored except one particular instruction (the Release from Deep Power-down instruction).7 x# ]( C# E; }$ r9 K4 F

; Q' ^" Q8 Q2 q7 h  l7 r進入 Deep Sleep Mode 也可以防寫(Write Protection)!
5 h, e( \  g, V3 ]& I$ }+ e: g! x5 W( O7 d: B. L( F. ]" W% }; b  e
The Deep Power-down mode is entered when the specific instruction (the Enter Deep Power-down Mode (DP) instruction) is executed. The device consumption drops further to ICC2. The device remains in this mode until another specific instruction (the Release from Deep Power-down Mode and Read Device ID (RDI) instruction) is executed.
- A2 B; |, d7 ]  K
' c* K+ G# z! n# ^- M{:soso_e100:}
哈士奇是一種連主人都咬的爛狗!

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发表于 2013-6-14 08:02 | 只看该作者
把详细情况说明,上电还是下电,还是在运行时,这样才可以分析。另外把电路贴齐

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发表于 2013-6-14 17:26 | 只看该作者
WP脚需加上拉电阻,以保证上电过程和下电过程此管脚的正常,不过有可能在系统上、下电的时候出现误操作的情况;另外版主说的软件保护也很重要,特别是上、下电的过程中。

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 楼主| 发表于 2013-6-17 17:48 | 只看该作者
超級狗 发表于 2013-6-13 18:53 * n/ A$ o- e/ ]) L% h5 p
軟件保護有做嗎?

" [# U) A8 a) @3 W. ^软件保护是做了的,但是还是时常的被冲掉。

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 楼主| 发表于 2013-6-17 17:49 | 只看该作者
gwj221 发表于 2013-6-13 19:05 : c  _3 m( [, U
WP为啥不接上拉
" n( m8 }: V. Y1 e% l
以前WP做过上拉,但是升级不了程序了,所把上拉去掉了。

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 楼主| 发表于 2013-6-17 17:52 | 只看该作者
kully 发表于 2013-6-14 08:02
, B, N' H8 T: O+ j; E1 M把详细情况说明,上电还是下电,还是在运行时,这样才可以分析。另外把电路贴齐
' X/ F. T7 i" Y9 B+ ~, ^, y
是在上电时冲程序。

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 楼主| 发表于 2013-6-17 17:55 | 只看该作者
myiccdream 发表于 2013-6-13 20:35 5 W, y* e0 Z0 Z: r% I. q8 E
是否双电源供电?

& m7 C9 c' i' J9 O& o& N$ p, Q不是双电源供电,+3V3_Flash只是一个标注net

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发表于 2013-6-17 18:07 | 只看该作者
發現管腳相容的還不少,換別廠牌的試試吧!" y7 e$ b# J0 b: q) C* b) n  P5 c

' z8 N- W6 ]$ @! z- ^: X) N  u宜揚科技股份有限公司(Eon Silicon Solution Inc.),這家是小公司,沒什麼知名度!) T- [3 d5 h/ ~+ G8 C5 G3 i

( L& X3 G7 A  q% W- @1 G{:soso_e119:}

SST 25081A.pdf

281.07 KB, 下载次数: 10, 下载积分: 威望 -5

Micron M25PE80.pdf

650.57 KB, 下载次数: 9, 下载积分: 威望 -5

MicroChip 25AA1024.pdf

338.71 KB, 下载次数: 11, 下载积分: 威望 -5

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 楼主| 发表于 2013-6-17 18:17 | 只看该作者
超級狗 发表于 2013-6-17 18:07 . m; q! m2 D9 s1 V2 g
發現管腳相容的還不少,換別廠牌的試試吧!* y9 D1 a3 S# O
5 f5 j( o* s  A
宜揚科技股份有限公司(Eon Silicon Solution Inc.),這家是 ...

3 n9 E- s0 o% z0 T谢谢狗老大,再问一下,Flash会不会因为电源电压的尖峰脉冲导致Flash程序冲掉,或是其他地方的信号干扰。

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发表于 2013-6-17 20:36 | 只看该作者
本帖最后由 超級狗 于 2013-6-17 21:02 编辑
* a5 ~( ]; D- g% h! Z( V
ctq1235 发表于 2013-6-17 18:17 # Z& T9 R+ a  q1 H7 R& p5 `
谢谢狗老大,再问一下,Flash会不会因为电源电压的尖峰脉冲导致Flash程序冲掉,或是其他地方的信号干扰。
/ b& \/ q; i, @" j& x% O" P) M$ F( C
4 T; ^7 U+ |) Y- u0 |1 v) G+ o
會!不過如果設計良好,機率上應該是很低。當初遇過的狀況,是因為供應商質量不太好問題。
# K) o" D: q. i2 d0 [, ^9 F: L7 i( O, l8 z4 U  ?
這顆串列式內存,從芯片資料看起來保護是挺完善的。除了有軟、硬件上的保護,低於 2.5V 也有防寫。) Y7 a, U. F$ u- R' }
& q; p  k. v5 s2 B0 A
只不過寫得好看,實際上未必就牢靠。: H5 B# G6 X; q+ |# P
* O* n2 M3 K% C1 N. {; T0 c, S
只能建議您試一下大品牌,用比對的方式看能不能查出是質量上的問題。
) U3 ^$ `0 ]; q) z% o& ~2 K2 y) s6 H3 _, A8 R- F7 u' Z( ?
{:soso_e161:}
! A- Q& E, a" V. X0 Y- i4 P/ i1 t& P1 Z9 M0 d
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 楼主| 发表于 2013-6-18 09:11 | 只看该作者
超級狗 发表于 2013-6-17 20:36 . V" ~* c3 W) ]5 [3 `- o, T8 W
會!不過如果設計良好,機率上應該是很低。當初遇過的狀況,是因為供應商質量不太好問題。' y' ~# v% E; Q, w; r/ [

* Y. D+ g$ D+ q這顆串列 ...
$ L: R; M: v- M+ Y, Z: y
老大,麻烦知道这个电路哪些地方还需要完善设计(硬件上的),这是Flash块的电路图了 ,net其它位置只是做直连,没有加任何东西了。
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