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有关Flash被冲程序

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发表于 2013-6-13 17:24 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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用的EN25T80这颗Flash,总是出现程序被冲掉,重烧程序后板子OK。曾经在硬件把WP脚拉死(强制写保护了),还是会出现程序被冲掉情况,求救大神,还有什么方法改进。

Flash.jpg (80.46 KB, 下载次数: 0)

Flash.jpg

点评

能知道是什麼樣的應用嗎?有沒有像 U 盤那樣,寫入時有被無預警斷電的可能?  发表于 2013-6-13 22:48
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发表于 2013-6-13 18:53 | 只看该作者
軟件保護有做嗎?1 \  H- n: c4 D0 ^+ F
6 \. s# |# }% J- [# `) m
{:soso_e132:} ! R  \' Y. c3 K# N+ K

$ z6 o+ X1 c% z6 }$ C4 j" R

NE25T80 Block Protection.jpg (120.07 KB, 下载次数: 1)

NE25T80 Block Protection.jpg
哈士奇是一種連主人都咬的爛狗!

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发表于 2013-6-13 19:05 | 只看该作者
WP为啥不接上拉

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发表于 2013-6-13 20:35 | 只看该作者
是否双电源供电?

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发表于 2013-6-13 22:44 | 只看该作者
In addition to the low power consumption feature, the Deep Power-down mode offers extra software protection from inadvertent Write, Program and Erase instructions, as all instructions are ignored except one particular instruction (the Release from Deep Power-down instruction).
& M  a' z. z& h7 @
, M1 w, L" D$ F9 ]8 @# R" G進入 Deep Sleep Mode 也可以防寫(Write Protection)!7 |, F9 U3 Q7 a8 Q( \

; f2 z# o+ \7 v1 F7 zThe Deep Power-down mode is entered when the specific instruction (the Enter Deep Power-down Mode (DP) instruction) is executed. The device consumption drops further to ICC2. The device remains in this mode until another specific instruction (the Release from Deep Power-down Mode and Read Device ID (RDI) instruction) is executed.4 T/ U' Y) \- T
4 A5 V6 ]7 J4 }
{:soso_e100:}
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发表于 2013-6-14 08:02 | 只看该作者
把详细情况说明,上电还是下电,还是在运行时,这样才可以分析。另外把电路贴齐

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发表于 2013-6-14 17:26 | 只看该作者
WP脚需加上拉电阻,以保证上电过程和下电过程此管脚的正常,不过有可能在系统上、下电的时候出现误操作的情况;另外版主说的软件保护也很重要,特别是上、下电的过程中。

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 楼主| 发表于 2013-6-17 17:48 | 只看该作者
超級狗 发表于 2013-6-13 18:53
" i) a1 [% q3 ]軟件保護有做嗎?

2 F$ h, n+ ]- o. X( `5 e. F0 R' K+ D软件保护是做了的,但是还是时常的被冲掉。

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 楼主| 发表于 2013-6-17 17:49 | 只看该作者
gwj221 发表于 2013-6-13 19:05
0 I" H9 ^  n( [$ D0 lWP为啥不接上拉

4 n: s% ]- w' P: `以前WP做过上拉,但是升级不了程序了,所把上拉去掉了。

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 楼主| 发表于 2013-6-17 17:52 | 只看该作者
kully 发表于 2013-6-14 08:02
  _+ i, N0 y7 U, r; m3 }把详细情况说明,上电还是下电,还是在运行时,这样才可以分析。另外把电路贴齐

1 \8 D  P* J/ w  q* Y# Z6 |是在上电时冲程序。

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 楼主| 发表于 2013-6-17 17:55 | 只看该作者
myiccdream 发表于 2013-6-13 20:35 " H1 B9 S2 Z* C  y. e" K
是否双电源供电?

, p! E6 s* N) D4 @  Z不是双电源供电,+3V3_Flash只是一个标注net

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发表于 2013-6-17 18:07 | 只看该作者
發現管腳相容的還不少,換別廠牌的試試吧!1 N9 n4 u( B) g
9 \+ ]4 q; M. E! Q! I/ e
宜揚科技股份有限公司(Eon Silicon Solution Inc.),這家是小公司,沒什麼知名度!) D1 P0 M8 d# n  @. p8 w
. @+ Q  F  A) Q
{:soso_e119:}

SST 25081A.pdf

281.07 KB, 下载次数: 10, 下载积分: 威望 -5

Micron M25PE80.pdf

650.57 KB, 下载次数: 9, 下载积分: 威望 -5

MicroChip 25AA1024.pdf

338.71 KB, 下载次数: 11, 下载积分: 威望 -5

哈士奇是一種連主人都咬的爛狗!

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 楼主| 发表于 2013-6-17 18:17 | 只看该作者
超級狗 发表于 2013-6-17 18:07
$ z+ h& E" p  e* i$ G/ O: U1 K0 J發現管腳相容的還不少,換別廠牌的試試吧!
; M' g5 c& q* R/ w2 Q  Q( x8 ^. g
宜揚科技股份有限公司(Eon Silicon Solution Inc.),這家是 ...
; J/ ~+ l: D& I/ \
谢谢狗老大,再问一下,Flash会不会因为电源电压的尖峰脉冲导致Flash程序冲掉,或是其他地方的信号干扰。

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发表于 2013-6-17 20:36 | 只看该作者
本帖最后由 超級狗 于 2013-6-17 21:02 编辑 : J  @1 A* J  y0 \  S
ctq1235 发表于 2013-6-17 18:17
% j9 @7 G: f2 W! P7 J1 ^谢谢狗老大,再问一下,Flash会不会因为电源电压的尖峰脉冲导致Flash程序冲掉,或是其他地方的信号干扰。
9 K* n3 ^  G0 A

+ a1 V9 d1 i1 {  N會!不過如果設計良好,機率上應該是很低。當初遇過的狀況,是因為供應商質量不太好問題。
& w% P# K- a( o) H
' O5 W- g5 J- x, o- V" N* \% R7 j這顆串列式內存,從芯片資料看起來保護是挺完善的。除了有軟、硬件上的保護,低於 2.5V 也有防寫。; h( ~! j! B3 S4 r8 n+ a7 j

4 t( }$ `% u4 s! x只不過寫得好看,實際上未必就牢靠。+ A6 Q" }! @. r8 z8 ~# }

8 M9 u& H9 o  t% h; U. |只能建議您試一下大品牌,用比對的方式看能不能查出是質量上的問題。
6 L4 j7 D; L, O$ t8 Z, {. I; Q7 a! o, f" E% ^3 K1 ?
{:soso_e161:}
, C. p7 N) Q3 q7 ^
; k7 R  ?4 O1 q/ X6 Y5 R3 I) {$ q
哈士奇是一種連主人都咬的爛狗!

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 楼主| 发表于 2013-6-18 09:11 | 只看该作者
超級狗 发表于 2013-6-17 20:36 , z  A" {8 [1 h, [' `
會!不過如果設計良好,機率上應該是很低。當初遇過的狀況,是因為供應商質量不太好問題。/ h" A) O; S2 L9 Q' }1 z

; }- `) O' A# i# ?這顆串列 ...
3 X/ x! B/ t/ J& M  R" H' K
老大,麻烦知道这个电路哪些地方还需要完善设计(硬件上的),这是Flash块的电路图了 ,net其它位置只是做直连,没有加任何东西了。
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