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[Ansys仿真] 求助:为什么HFSS仿真中lumped port集总端口尺寸大小会影响仿真结果?

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发表于 2016-3-23 15:26 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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本帖最后由 小螺号 于 2016-3-24 22:39 编辑 + G" b1 E( D2 K# L: o2 Z
) z; e  D' ]9 ^  I0 s4 ~& h  v, k
我使用HFSS设置集总端口lumped port 时,把lumped port尺寸设置为两种不同的大小时,发现两种情况仿真出来的结果(阻抗)有明显的区别,这是为什么呢?这两种情况是:(1)lumped port大小只接触到传输线和参考地边界;(2)lumped port大小覆盖传输线端口面,但只接触到参考地边界。下面为两种端口设置图:图1和2分别为情况一和情况二,图片右边导体为参考地。有哪位知道,帮忙解答一下,先谢谢啦!0 R" z3 Q& N' B# P( |" V

, ?; p9 Q, V& O9 n9 R, c- `5 U7 s) t4 J) z& a: H/ e" o; @

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情况二

情况二

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情况一

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发表于 2016-7-18 13:21 | 只看该作者
yangjinxing521 发表于 2016-7-18 10:242 w2 z. I1 A. j# E$ K9 p4 B. K4 z
为什么???

* q0 t, ?" K3 O/ v$ V了解二端口网络计算原理的你就会清楚。9 w2 |4 \9 Y. m! B
S11和负载阻抗,传输线特征阻抗,相位 有较大的关系,而这三个因素在实际测试时都有误差,你无法绝对保证和仿真的条件完全拟合,所以最终仿真的结果与测试的结果在幅度,相位角度上一定会有偏差。1 k& T! N: u' x6 f5 y& g6 x
( ^: {0 g" b' A
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发表于 2016-3-24 18:49 | 只看该作者
1.首先,要注意的是在设置集总端口激励时,两种求解类型(模式驱动、终端驱动)所对应的设置方式是不同的。目测你应该是应用的模式驱动求解类型。: j, M1 a0 P- X. i6 d' D
2.模式驱动求解类型下,集总端口设置的几个tips:, k0 t4 ]6 F2 s
(1)需要设置端口阻抗,作为在端口处计算S参数时的参考阻抗;$ L6 K& Z3 x* R1 h1 x3 L  P
(2)集总端口面宽度与微带线宽度相同即可;
2 y8 l% m. j3 J8 l6 E(3)集总端口面上下边缘,分别与微带线和参考地相接即可,不要覆盖或重叠;$ u" u6 ~! F& y
(4)积分路径的起点和终点分别是微带线上下边缘的中点。
2 g% q! V+ E2 Y5 A: }2 Z9 H) ^# J% ]以上是我知道的,希望可以帮到你。

点评

我使用的终端驱动,集总端口把信号线端口覆盖仿真事没有报错,这种设置应该也没错吧?我只知道集总端口不能覆盖参考地端口。  详情 回复 发表于 2016-3-24 22:35

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发表于 2016-7-18 09:44 | 只看该作者
cousins 发表于 2016-7-14 17:15! ?6 C: V& z( a; q4 _' a
覆盖的字面意思是:端口的面和导体的面重叠了。。。+ g0 _) ~  \% ^1 v  C& B/ I+ U
端口与导体面相切是仅仅一条边。
. _1 N: n$ [: g$ P这样好理解了么? ...

: n; A( N" S. j7 A) P8 Wsoga~~,懂了,谢谢~~最近在仿真一个滤波器的模型,结果发现,同一个模型,利用两种加端口的方式,得出来的结果,S21基本重合,但S11相差就比较大,其实曲线起伏大概都是一样的,但是具体的值就不一样,也不知道到底是什么问题,所以在寻找答案过程中,,能帮我看看么
2 I! ^/ \" ^% B6 U! L; r3 E

集总端口-模型图.png (118.26 KB, 下载次数: 2)

集总端口-模型图.png

集总端口-仿真图.png (44.22 KB, 下载次数: 1)

集总端口-仿真图.png

波端口-模型图.png (69.02 KB, 下载次数: 1)

波端口-模型图.png

波端口-仿真图.png (36.55 KB, 下载次数: 2)

波端口-仿真图.png

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 楼主| 发表于 2016-3-24 22:35 | 只看该作者
咚次哒次 发表于 2016-3-24 18:496 W: }& @' }  x4 Q0 e2 ~( {
1.首先,要注意的是在设置集总端口激励时,两种求解类型(模式驱动、终端驱动)所对应的设置方式是不同的。 ...

1 k+ O7 |3 f0 B  |8 `- Z3 W( d我使用的终端驱动,集总端口把信号线端口覆盖仿真事没有报错,这种设置应该也没错吧?我只知道集总端口不能覆盖参考地端口。) q) r& s5 d/ _; t4 k

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楼下回复的好有深度,读了半天。。。但我觉得应该解释了你的问题,虽然不知道到底正确不正确  详情 回复 发表于 2016-3-26 22:08

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发表于 2016-3-26 21:39 | 只看该作者
通俗的解释:* p! Q. k/ X8 M) I0 L  L
你用一束光从一种介质射入另一种介质时,当这束光的通道大小不一样时你还能要求它的散射参量一样么?! J4 _9 @  }! G9 W; b$ s
复杂一点的解释:
8 g3 j$ ]7 ]" d+ {- B* p端口中信号传输导体指向参考导体为电场矢量分布,重叠了多余的导体,会使这部分导体中多出不真实的电场矢量,这部分矢量会有相应的正交磁场叠加在原磁场上,还怎么满足散射测量一致?

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那如何设置才是正确的呢?  详情 回复 发表于 2016-3-26 23:57
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发表于 2016-3-26 22:08 | 只看该作者
小螺号 发表于 2016-3-24 22:35
2 K, c3 e& H' z7 o我使用的终端驱动,集总端口把信号线端口覆盖仿真事没有报错,这种设置应该也没错吧?我只知道集总端口不 ...
9 [" O' L& h0 r3 H5 t  D( W$ t
楼下回复的好有深度,读了半天。。。但我觉得应该解释了你的问题,虽然不知道到底正确不正确  }$ C7 j( `' }6 r

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我再琢磨琢磨,谢谢啦  详情 回复 发表于 2016-3-27 00:05

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 楼主| 发表于 2016-3-26 23:57 | 只看该作者
cousins 发表于 2016-3-26 21:39& y6 i! R' N1 n7 b
通俗的解释:
( _: R3 z4 t; _. B8 y2 j, j' A你用一束光从一种介质射入另一种介质时,当这束光的通道大小不一样时你还能要求它的散射参量 ...
- A5 O1 R  e; c' \/ H3 {5 ~
那如何设置才是正确的呢?
/ e6 B0 x) J! q- K& j5 X5 Z

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lumped设置任何一个边都不要覆盖导体。电磁波在介质中传播和在导体中传播特性是不一样的。下端口要有一种猜想,我会以这么大的位置引入对应的电场,电磁波传播的方向与这个面垂直,同时磁场与电场正交。  详情 回复 发表于 2016-3-27 07:14

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 楼主| 发表于 2016-3-27 00:05 | 只看该作者
咚次哒次 发表于 2016-3-26 22:080 `( L5 G, W2 m
楼下回复的好有深度,读了半天。。。但我觉得应该解释了你的问题,虽然不知道到底正确不正确

: t2 h" j1 Y3 r# S! Y7 r我再琢磨琢磨,谢谢啦
/ U$ u5 s) n) L! g% m; a

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发表于 2016-3-27 07:14 | 只看该作者
小螺号 发表于 2016-3-26 23:57/ a0 t; f$ B# ]$ l0 B
那如何设置才是正确的呢?

6 a. f& L% v4 I7 E8 N' a' l$ nlumped设置任何一个边都不要覆盖导体。电磁波在介质中传播和在导体中传播特性是不一样的。下端口要有一种猜想,我会以这么大的位置引入对应的电场,电磁波传播的方向与这个面垂直,同时磁场与电场正交。
8 ~4 v( T5 n: c2 u! \: _" r+ m' C0 C- u

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什么叫不要覆盖导体,我没有懂,比如说,在一个微带线横截面加一个集总端口,除了宽度与微带线宽度一致,高度是一边接触到地,另外一边是接触微带线的下表面(端口不覆盖导体),还是上表面(端口覆盖导体)?求解答  详情 回复 发表于 2016-7-13 14:24
原来是这样,谢谢!  详情 回复 发表于 2016-3-27 10:23
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 楼主| 发表于 2016-3-27 10:23 | 只看该作者
cousins 发表于 2016-3-27 07:14
. C% d9 }3 Y. |3 T( d+ Tlumped设置任何一个边都不要覆盖导体。电磁波在介质中传播和在导体中传播特性是不一样的。下端口要有一种 ...
+ u0 `" i, }: k. L' u4 h$ x
原来是这样,谢谢!% x$ f1 C2 g1 c

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发表于 2016-7-13 14:24 | 只看该作者
cousins 发表于 2016-3-27 07:14
6 I# T- }  ?+ k* ?lumped设置任何一个边都不要覆盖导体。电磁波在介质中传播和在导体中传播特性是不一样的。下端口要有一种 ...

1 j  W( s- T8 t7 u9 Y$ H什么叫不要覆盖导体,我没有懂,比如说,在一个微带线横截面加一个集总端口,除了宽度与微带线宽度一致,高度是一边接触到地,另外一边是接触微带线的下表面(端口不覆盖导体),还是上表面(端口覆盖导体)?求解答~~! p5 x) W% W/ x* {  R: t5 {

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覆盖的字面意思是:端口的面和导体的面重叠了。。。 端口与导体面相切是仅仅一条边。 这样好理解了么?  详情 回复 发表于 2016-7-14 17:15

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hanqianq123 发表于 2016-7-13 14:24
8 Y+ r" Y7 E+ l/ Z3 H什么叫不要覆盖导体,我没有懂,比如说,在一个微带线横截面加一个集总端口,除了宽度与微带线宽度一致, ...
: E. R. k: b3 y( V  v- L
覆盖的字面意思是:端口的面和导体的面重叠了。。。
. D$ q, ]9 z% f3 R' I% R端口与导体面相切是仅仅一条边。. J5 `2 n& s/ H5 q
这样好理解了么?2 C! |8 Y4 H8 m9 H3 V' h

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soga~~,懂了,谢谢~~最近在仿真一个滤波器的模型,结果发现,同一个模型,利用两种加端口的方式,得出来的结果,S21基本重合,但S11相差就比较大,其实曲线起伏大概都是一样的,但是具体的值就不一样,也不知道到底  详情 回复 发表于 2016-7-18 09:44
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发表于 2016-7-18 10:16 | 只看该作者
S11相差大正常的,带宽近似,趋势相近就可以了。3 Y. ^1 d- I" m& Y, _8 ?0 h

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那在通带内,S11d的峰值处,每个大概有100MHz的带宽偏移也是正常的吗?  详情 回复 发表于 2016-7-22 09:54
为什么???  详情 回复 发表于 2016-7-18 10:24
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发表于 2016-7-18 10:24 | 只看该作者
cousins 发表于 2016-7-18 10:167 W& F- w4 b0 B- T: A+ c
S11相差大正常的,带宽近似,趋势相近就可以了。
( C! E- w2 _. B  r
为什么???

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了解二端口网络计算原理的你就会清楚。 S11和负载阻抗,传输线特征阻抗,相位 有较大的关系,而这三个因素在实际测试时都有误差,你无法绝对保证和仿真的条件完全拟合,所以最终仿真的结果与测试的结果在幅度,相位  详情 回复 发表于 2016-7-18 13:21
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