求助：为什么HFSS仿真中lumped port集总端口尺寸大小会影响仿真结果？

小螺号

+ H# }' w: W5 ~- P) q% m# y# X
3 d! f8 g$ h. i% y  k( p9 `+ v& R我使用HFSS设置集总端口lumped port 时，把lumped port尺寸设置为两种不同的大小时，发现两种情况仿真出来的结果（阻抗）有明显的区别，这是为什么呢？这两种情况是：（1）lumped port大小只接触到传输线和参考地边界；（2）lumped port大小覆盖传输线端口面，但只接触到参考地边界。下面为两种端口设置图：图1和2分别为情况一和情况二，图片右边导体为参考地。有哪位知道，帮忙解答一下，先谢谢啦！
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cousins

yangjinxing521 发表于 2016-7-18 10:24
8 l* V. I5 M# q6 V: z* y1 a7 {! g为什么？？？

+ r8 U  Y6 k1 o5 m! z4 X; h0 D了解二端口网络计算原理的你就会清楚。
( T# G6 f5 V! a7 |: OS11和负载阻抗，传输线特征阻抗，相位 有较大的关系，而这三个因素在实际测试时都有误差，你无法绝对保证和仿真的条件完全拟合，所以最终仿真的结果与测试的结果在幅度，相位角度上一定会有偏差。

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咚次哒次

1.首先，要注意的是在设置集总端口激励时，两种求解类型（模式驱动、终端驱动）所对应的设置方式是不同的。目测你应该是应用的模式驱动求解类型。
( F7 y$ r- w* C7 g# }; i2.模式驱动求解类型下，集总端口设置的几个tips：
（1）需要设置端口阻抗，作为在端口处计算S参数时的参考阻抗；
" o. A! ?; [  c! K; F（2）集总端口面宽度与微带线宽度相同即可；
3 M  |- P6 Y  C! T- B( y7 v8 u( |（3）集总端口面上下边缘，分别与微带线和参考地相接即可，不要覆盖或重叠；
（4）积分路径的起点和终点分别是微带线上下边缘的中点。
以上是我知道的，希望可以帮到你。

hanqianq123

cousins 发表于 2016-7-14 17:15
5 K; c1 l2 J/ y5 ^# ^6 V3 n覆盖的字面意思是：端口的面和导体的面重叠了。。。
; c/ W3 o0 Y( m  Z7 d端口与导体面相切是仅仅一条边。
这样好理解了么？ ...

# D- I2 S3 }4 \2 @9 @soga~~,懂了，谢谢~~最近在仿真一个滤波器的模型，结果发现，同一个模型，利用两种加端口的方式，得出来的结果，S21基本重合，但S11相差就比较大，其实曲线起伏大概都是一样的，但是具体的值就不一样，也不知道到底是什么问题，所以在寻找答案过程中，，能帮我看看么
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小螺号

咚次哒次 发表于 2016-3-24 18:49
1.首先，要注意的是在设置集总端口激励时，两种求解类型（模式驱动、终端驱动）所对应的设置方式是不同的。 ...

6 F& f' b9 y! r. q5 ~3 @, ?: d+ q8 g我使用的终端驱动，集总端口把信号线端口覆盖仿真事没有报错，这种设置应该也没错吧？我只知道集总端口不能覆盖参考地端口。
; B% K2 \/ k1 @0 Y+ N

cousins

通俗的解释：
你用一束光从一种介质射入另一种介质时，当这束光的通道大小不一样时你还能要求它的散射参量一样么？
7 O0 j7 U# g  s/ ?- E' V' L" s- D复杂一点的解释：
端口中信号传输导体指向参考导体为电场矢量分布，重叠了多余的导体，会使这部分导体中多出不真实的电场矢量，这部分矢量会有相应的正交磁场叠加在原磁场上，还怎么满足散射测量一致？

咚次哒次

小螺号 发表于 2016-3-24 22:35
% r1 K  Z1 y; r$ ^) \/ I: Q我使用的终端驱动，集总端口把信号线端口覆盖仿真事没有报错，这种设置应该也没错吧？我只知道集总端口不 ...

楼下回复的好有深度，读了半天。。。但我觉得应该解释了你的问题，虽然不知道到底正确不正确

小螺号

cousins 发表于 2016-3-26 21:39
! `  |$ x9 \5 e% @- {, X通俗的解释：
你用一束光从一种介质射入另一种介质时，当这束光的通道大小不一样时你还能要求它的散射参量 ...

8 U2 f- e3 F2 t: b  H4 a那如何设置才是正确的呢？
/ Y! T; X) Y3 a5 {

小螺号

咚次哒次 发表于 2016-3-26 22:08
; N& v& F: C. q5 p. |楼下回复的好有深度，读了半天。。。但我觉得应该解释了你的问题，虽然不知道到底正确不正确

& M( g+ y) ]' Y/ K" p3 u3 h我再琢磨琢磨，谢谢啦
% t2 K2 C) S* E# l6 `$ P. h; G

cousins

小螺号 发表于 2016-3-26 23:57
4 z  O2 N' Z; |  G* c, P那如何设置才是正确的呢？

# w4 q, N9 z1 glumped设置任何一个边都不要覆盖导体。电磁波在介质中传播和在导体中传播特性是不一样的。下端口要有一种猜想，我会以这么大的位置引入对应的电场，电磁波传播的方向与这个面垂直，同时磁场与电场正交。

: G/ w+ x$ @: i' c; g

小螺号

cousins 发表于 2016-3-27 07:14
6 b& s. L- v9 |4 V* T' Wlumped设置任何一个边都不要覆盖导体。电磁波在介质中传播和在导体中传播特性是不一样的。下端口要有一种 ...

- H. I8 K9 w& |* h原来是这样，谢谢！

hanqianq123

cousins 发表于 2016-3-27 07:14
; D; u/ T' L2 blumped设置任何一个边都不要覆盖导体。电磁波在介质中传播和在导体中传播特性是不一样的。下端口要有一种 ...

什么叫不要覆盖导体，我没有懂，比如说，在一个微带线横截面加一个集总端口，除了宽度与微带线宽度一致，高度是一边接触到地，另外一边是接触微带线的下表面（端口不覆盖导体），还是上表面（端口覆盖导体）？求解答~~
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cousins

hanqianq123 发表于 2016-7-13 14:24
# Y2 H: u6 Q/ |. Q5 W/ ~什么叫不要覆盖导体，我没有懂，比如说，在一个微带线横截面加一个集总端口，除了宽度与微带线宽度一致， ...

覆盖的字面意思是：端口的面和导体的面重叠了。。。
端口与导体面相切是仅仅一条边。
这样好理解了么？
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cousins

S11相差大正常的，带宽近似，趋势相近就可以了。

yangjinxing521

cousins 发表于 2016-7-18 10:16
S11相差大正常的，带宽近似，趋势相近就可以了。

& O3 F( T4 l8 M- `4 I- f# l为什么？？？