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1、减小电源和地路径的回路电感；
) c( b! s7 @+ z: }# x2、使电源平面和地平面相邻并尽量靠近；, s/ m5 T7 |) U; O. |* \
3、在平面间使用介电常数尽量高的介质材料使平面间的阻抗最低；
$ K* e& l, T3 t1 f& J4、尽量使用多个成对的电源平面和地平面；, u7 o( s+ a# \* W5 D& A
5、使同向电流相隔尽量远，而反向电流间隔尽量近；1 j( P E3 r# p! H* g. {+ a ^
6、在实际中，使电源过孔与地平面过孔尽量靠近。要使它们的间隔至少与过孔的长度相当；
' y$ Y0 C* [* Q- t5 _) J' s$ @: M7、应将电源平面与地平面尽可能靠近去耦电容所在的表面处；0 c4 V' {6 F3 n6 ]5 J3 h$ i
8、对相同的电源或地焊盘使用多个过孔，但要使过孔间距尽量远；
6 p2 V1 V$ Q& P+ F) G- P5 N8 y9、在电源平面或地平面上布线时，应是过孔的直径尽量大；" p% Y, T3 N- @* d! r# t2 f
10、在电源焊盘和地焊盘上使用双键合线可以减小键合线的回路电感；3 D$ d' v/ N0 w/ P( N( o
11、从芯片内引出尽可能多的电源和地引线；& r, T& ?1 C1 {7 ?
12、在芯片封装时引出尽可能多的电源和地引脚；
7 Z- ^4 `0 Y7 K, U( t: E13、使用尽可能短的片间互连方法，例如倒装芯片而不是键合线；
* w4 |0 q4 w3 S14、封装的引线应尽量短，例如应使用CSP封装而不是QFP封装；
# v& L* q+ [ \5 ?1 S' S3 T* {16、使去耦电容焊盘间的布线和过孔尽可能短而宽；
/ v; b* [# H8 C/ @+ d17、在低频时使用一定量的去耦电容来代替稳压器件；
' B( m7 f4 B: C18、在高频时使用一定量的去耦电容来抵消等效电感；
: X0 W$ F& s8 l6 C- L$ M19、使用尽可能小的去耦电容，并尽量减小电容焊盘上与电源和地平面相连的互连线的长度；
1 }& G; V8 v, ?8 m20、在片内使用尽量大的去耦电容；
" O0 q3 T. P6 R: d- w21、在封装中应使用尽可能多的低电感去耦电容；
9 g+ x. \: K$ ?/ l0 d8 Q% l22、在I/O接口设计中使用差分对； |
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发表于 2013-10-11 09:44
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发表于 2013-10-18 16:23
