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[仿真讨论] ADS调用IBIS模型-DDR2数据信号仿真实例

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本帖最后由 alexwang 于 2018-7-2 15:24 编辑 2 K* e# y8 B# z; e

* }  ?4 S1 B9 C* _; S3 v, WADS支持调用IBIS模型,本文以DDR2的数据信号为例,介绍了一下IBIS模型的调用。

! d9 c9 z0 }$ U

1 f( [% d$ n3 W5 s, X% O3 m& M
注释1:设定Vih和Vil的ac、dc电平特性及Vref电平。在判断波形的时候可以方便的调出来。
5 i  ^9 a' i0 X% P2 s3 [4 p
注释2:设置信号速率及电平大小。stoptime及step大小设置为变量,随信号速率变化。(也可以设置常量表示)
" J& t$ K7 j. p5 I$ R$ J& K7 O
注释3:设置传输线类型、长度及宽度。这里需注意SLIN需配合SSub使用。选中SLin,然后在Tools-->LineCalc-->Send Selected Component To LineCalc

  b% h' }* x! x$ ?. s2 h4 p
) Z' a  u4 _$ [; \
注释4:Source如果设置为下图两种都可以。VtBitSeq可以自定义仿真码型,VtLFSR_DT采用随机码。

9 ]: N  i% L" j/ D8 g, z% [0 x- G
% V5 [8 |2 U4 D6 R9 g8 s
注释5:过孔的简单等效模型,可以用准确的S参数替代。
$ l2 l+ [7 t/ ~& U0 X4 l
注释6:pin的寄生电容

! U) _, z, Q; P' {
     查看波形前需注意给需要查看的网络进行命名,命名后才可以查看到波形。
8 e8 }& f6 F- h. [, o, x
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发表于 2016-2-27 22:48 来自手机 | 只看该作者
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发表于 2016-4-13 12:25 | 只看该作者

7 _) ^8 H9 P) y2 R好东西,谢谢分享!

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