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关于P-FET DCDC转换器的问题

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发表于 2016-1-28 01:05 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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各位先进好, 这边想与各位先进讨论一个关于P-FET DCDC转换器的问题
# w6 O. k( d7 W, ~" J2 v: c: U( u+ {$ M
参考LM5085的规格书中其中的章节提到, 在应用方面提到在VCC脚位中瞬变中会产生负电压, 须靠Schottky diode 去抑制, 其中原理是什么呢???
' }; n! S% @0 [) V- f# `9 d# c8 f4 Y# S  ]# I8 P: h
7 b  }) P. h8 s2 o& ]
这负电压是如何产生的? 是因为trr的关系, V = Ldi / dt 所以比GND 更​​负
7 j6 U) s1 G8 X9 ]而schottkey 是为了让trr速度更快回复吗???
9 ^4 y8 v" e/ }& c' H/ M& v5 B+ S( d" x$ T) G/ y
请帮小弟解惑....如果有图解更好....感恩
- W' K9 J/ Z# C3 j5 g$ i

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发表于 2016-1-28 10:27 | 只看该作者
负向电压的产生是因为电容的储能特性,两极压势差不可突变性。Cvcc两极电势差是不会瞬间变化的,Vin-Vcc>0,当Vin=0时,Cvcc在Vcc一极的电势的值会等于之前的Vcc-Vin,必然为负。肖特基可以提供此负电压储能电容快速放电。
- X% Y" C; s$ Y4 e
新年伊始,稳中求胜

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发表于 2016-1-28 21:03 | 只看该作者
没仔细看,不过楼主可以从电容和二极管的钳位看。
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