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本帖最后由 pjh02032121 于 2015-1-19 15:47 编辑
' [3 v. s$ v f8 I: B; G5 y
4 j$ V7 A' a; r1 H1. 建模
`: F6 F6 a# X* ?- i( \cadence的sip或APD封装源文件,输出floeda文件。2 c$ {, M* ?' ]) g) I
# V+ W% ?: k0 |) R6 w5 ]- G( F6 a3 h' \
8 t8 M! V$ q$ Y- [7 W" Y打开Flotherm,新建工程,打开flopcb工具,导入上面的floeda文件,检查元件的属性(三维尺寸,材料,功率等),修正属性不对的器件,都没问题后转到flotherm工程文件中。
* v/ T" B: `. H; B0 L
( ~& f: K, h. R6 P& D5 Z( J- O: r
: `+ e; W% E4 X w. N5 j1 `: x& c以上只是把sip文件导入到了工程文件中,接下来在flotherm中按照JEDEC51-2,51-7的标准搭建仿真环境。
& X; D: L/ r& P4 w$ x6 o; Z给sip加mold塑封,测试PCB模型等。' Q3 o( H& K* c; O
( D+ l$ E" z' @ }# m6 v [! Q! O
2 N8 J" E' r2 |$ W, Z' ]5 P, k" k7 ]; k: |) A* N4 I
2. 仿真6 U' ~# k. _% }, K
右键在模型上设置模型的各种属性以及网格划分等等. h5 @8 t( ?3 ?$ S$ A9 H
; t1 x. e- s. y: o% `/ w
/ K; F, l5 k/ s# N' w# N& Z: B1 i
2 g- e" e/ P5 f8 @从Model菜单下依次设置各种边界条件,约束,流体属性,变量控制等等
7 t* P; v0 `8 k, E( }1 Z
/ c, n. C" b7 L' j% V4 Y
; e* Y: j/ R/ Y8 T$ m
从Solve菜单下依次设置求解控制等等
3 ] r" v( K/ |/ }6 H# x
2 g: p) R" d- Q% v
1 i' j# a) a1 G; OSlove/sanity check没问题后,就可以运行仿真了,Slove/slove。。。
. o8 ]- X3 ?$ c/ Q; W仿真运行后,弹出仿真的监视窗口,可以看到残差曲线和监控点的温度,此监控点设置在封装内的两颗硅die上。
& \+ q; j; m8 W# Q0 f2 \3 ^/ Y达到设置的收敛标准或迭代上限后,求解自动停止。+ H' h1 n7 D9 h! T
# p& U* I. U, s2 T& c7 k0 c
! D; U( v( [" s% y, H) v& U% ]
3 T( }9 c ~; ~' X3 L. }- |3. 后处理" |/ W w" n& {
运行flotherm的后处理程序,生成直观的温度场图,模型表面温度等等
* }' r' ], h! d) Z/ M3 }' p' `- c
3 T" i) a% G! ]2 ]( F, B
' v4 {& N" R3 o o# z: a
8 z& w1 C7 Q. {3 v
Rja=(Tj-Ta)/P=(53.4-35)/0.144=127 (K/W)
G% x. P0 F, g! z- M1 e' `: [
! E* E/ e k) ^4 G6 c% i; R) C8 g为了改善散热,在substrate的下方加thermal pad加强散热, 结果节温为50度,对应的Rja为104,降低了约20%。
& `* Y" @- ?& T. f
8 t, R" I2 I5 ~1 T; L) m$ W7 @' C3 ?' w: ~$ y- k- U( L h
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