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自己做了下时序分析, S3C2440a+SDRAM的
& Q* p1 ]+ R* p9 B0 ~$ Z, N' i% N有几个问题请问一下:
W: b: Z+ n% W3 X. X1、S3C2440a的IBIS模型中 “Vinh= 1.30 Vinl= 0.50 Vmeas = 0.95V
/ d `6 i9 k- J* a8 [Cref = 50pF Rref = 50ohms”发现测试负载比实际的走线负载要重。仿真出来的波形是 测试负载比实际走线负载 波形靠后面很多,计算出来的Switch time 为-0.687ns 即flight time 是负的Tft_data =-0.687ns 图见附件
) F+ E2 b# i+ r# [, K- Z; H# z" Z1 p) ~& `* ?2 v, Y) A8 _
S3C2440a数据手册中的Tco 是1~4ns,SDRAM的的Hold time 是1ns# d& O& D" o/ i' s; M
根据公式
5 ?$ ?7 l0 Z! }6 kThd_margin (建立裕量)=Tco_min + Tft_data - Tclk_skew-Thold
, W b/ H, ^- w2 B+ l2 D' d; B -0.88ns =1ns + (-0.687ns )-(0.2ns)-1ns
0 V3 A! _! b+ {/ S1 z6 T小于零的。但实际板子做出来了 可以正常运行。请问这是为什么 |
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