ddr3 vtt端接问题

hero1380

请问ddr3这两种端接方式有什么不同？

hero1380

lvsy 发表于 2014-5-4 13:41
; ~' [( i# A3 N( t9 _老板应该会比较喜欢第二种，节约成本

节省了电阻，但是需要单独的vtt芯片供电，其实是增加了成本

part99

下面一种好。

honejing

请问ddr3这两种端接方式有什么不同？
9 t  r/ Z: Q9 @' h上圖直接以電阻分壓來取得 0.75V 的端接電壓 (端接電阻=50 Ohm)，下圖則要另外一組 0.75V VTT電源供給 (端接電阻=39 Ohm)。

hero1380

honejing 发表于 2014-4-21 11:41
3 L/ R/ F" [3 v. G1 W+ f! k4 N请问ddr3这两种端接方式有什么不同？
上圖直接以電阻分壓來取得 0.75V 的端接電壓 (端接電阻=50 Ohm)， ...

/ Z0 Q1 [2 V) T* G! W还是觉得没说透，design guide上这两种都出现过，vtt应该比用1v5分压电压纹波更小，电压更准一些。

lvsy

老板应该会比较喜欢第二种，节约成本

kevin890505

戴维南并联终端匹配和简单的并联终端匹配方式之区别。貌似信号完整性一书上有介绍过：
* _' o" J3 ^9 T! h0 |8 O两者都可以实现信号的终端匹配目的，但是前者还相当于一个上拉，一个下拉，提高了系统的噪声容限，同时可以改善信号的质量,使得信号的摆动缩小，而且电平不匹配的时候也可以用这种方式。但是很显然的，这两个电阻无时无刻不需要功耗，故而有些环境不适宜，而且，2>1，在LAYOUT时候会加大处理难度，处理不好，反而会有相反作用，目前较少看到此方式。
后者只有一个上拉，会使信号的逻辑高输出电平下，降低了负载输入端对噪声的免疫能力，但这种设计较前者更为简单，尤其现在高密度时代………………自己查吧，上班了