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power si里面的EMI仿真和speed2000里面的EMI仿真有什么区别?

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发表于 2014-4-11 16:25 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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请问哪位大神帮忙解释下power si里面的EMI仿真和speed2000里面的EMI仿真有什么区别?
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发表于 2014-5-10 16:01 | 只看该作者
SPEED2000 Applications/ w$ i! S/ A. I0 O" k* \

3 A6 r) y8 p& O4 M2 e. iPerforming time domain analysis to confirm designs meet specified targets+ r' l" R% e2 Y+ R- V& r" k9 m
SPEED2000可用来做时域分析,看波形在时域上的状况,如reflection等,快速又轻松的分析时域上的问题。$ t  ]4 v8 h7 d8 _$ n
Understanding complex voltage noise propagation including return path discontinuities
/ m8 |# @/ H) j2 D1 c: G$ K( _SPEED2000可仿真到返回路径的不连续性,返回路径的好与坏将影响高速讯号的质量。
. z, q" c- U$ XAssessing various decoupling capacitor implementations
/ D1 e+ @! l+ i! \8 v" O$ R不同的去耦电容对于讯号有影响,而SPEED2000可针对不同的电容做模拟,找到最适合的电容。+ R6 T% T+ _0 `  ]
Simulating simultaneous switching noise (SSN) and identifying improvement options
' l2 t5 L/ O' Y' y快速切换开关即会产生噪声,此噪声会影响到讯号质量,而在SPEED2000中,可模拟快速切换开关的问题。
$ G: i# d# i0 A, t9 h9 iIdentifying package and board resonance and radiation harmonics
; N8 v( P& V5 s. Z$ CSPEED2000可拟模共振与辐射问题,这些问题对于设计质量而言,是不可忽略的。
2 l3 \2 m- @) r6 a9 ~7 V==========================================================8 y! V9 T( I* ^4 D; x4 ~- H/ N& o. i
PowerSI Applications& t! R+ i  S3 A7 R' h+ U! g2 L8 A
/ {7 h. l+ X* m7 K0 j9 c
Establishing power delivery system (PDS) guidelines for IC package and boards
7 {' ?  ~# C0 K9 C/ C& G提供IC、package与PCB板的电源输送系统的分析仿真,解决且优化电源质量,电源质量是最根本问题,将电源质量加强,将可使整个PCB达到稳定的状态。
2 ]8 P% o5 K& S2 UEvaluating electromagnetic coupling between geometries to enable better component, via, and decap placement
0 Q4 Q- }: L, G( l; MPCB板上会有很多的via与电容,但这此组件皆会有相互影响的问题产生,经由PowerSI即可轻松分析这些相互影响的问题,进而达到讯号质量稳定。: @. {. b9 \7 t, P2 F+ y
Extracting frequency-dependent S, Z, and Y parameters for PKG and board modeling for subsequent time domain SSN simulation4 U, v: ?2 p6 v$ U# M
PowerSI可将PCB板上提取S, Y及Z参数,经由此参数可得知PCB板上的特性,进而找到问题的根源,解决问题。2 `/ ], E+ {2 @
Anticipating energy leaks with near-field ration display( I: C0 t; A1 s
经由PowerSI可分析近场源的问题,进而修改layout走线降低近场问题。。8 W2 o* i4 j* Y3 S0 [
Assessing decoupling capacitor strategies and verifying placement effects
4 \$ B0 r' Q5 [2 A. T使用PowerSI可分析去耦电容的摆放位置,去耦电容的位置对于电源质量非常重要,使用PowerSI即可分析模拟选择最好的摆放位置。$ d9 J/ u& r6 f% w2 x% l! Z
Broadband modeling including accurate DC performance characterization! f* f! I6 Z# P, D9 N4 p+ E
使用PowerSI可建立宽带模块,此模块可达至DC状态且非常精准,对于分析电源质量非常重要。
7 g- w2 M; {# I% x% g8 d
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