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[仿真讨论] 使用IBIS仿真DDR读信号的问题(关于pin和die上波形的区别)

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发表于 2014-4-9 15:45 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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新人向大家问好!3 O( l/ l* V: `" T! S' Y/ }5 I6 c

/ ^# w; r. u6 ~& i& ?- ^7 O9 I最近我在用SigXplorer 仿真DDR3的DQS读信号,遇到了一点问题:& ]2 u! Y; b' T; m# b( ?
4 y( S5 O& R' ~" d0 X" I7 ^
因为接收端在pin上和die上的波形几乎看不出区别,我感到有些奇怪(实测的波形有较大回沟所以想确定在die上是否还存在回沟),于是修改了主芯片IBIS的package一栏内的封装寄生参数(因为之前芯片厂商没有提供确切的封装参数),转换到dml文件,但是重新载入之后依然看不出差别。我想知道IBIS的寄生参数是如何影响在pin和die上的波形的,之前我看过一份资料说寄生参数产生的时延是主要因素,是这样吗?4 v  R) x: n/ F: \# e* X

+ V) Y, o; X  J: U" t/ D还有麻烦大家帮我分析下我之前修改IBIS的思路是否有问题,有没有其它思路([Pin]内没有定义更多的封装寄生参数 ),比如c_comp,或者钳位/上下拉曲线等…… % I' O  b: e9 b4 B* X" ^

) L) {/ E' C! ?( c# y
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发表于 2014-4-12 09:19 | 只看该作者
找主控芯片厂家要一下DDR接口封装内的等效线长或封装S参数,然后再分析!
0 z: s# g$ ?/ h  a另:点对点互连,引脚上测到回勾一般情况没什么问题,内部应该没有。当然引起回勾还有其他因素,不了解具体情况很难下定论,猜测你的DDR接口应该能正常跑起来。

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发表于 2014-4-12 09:22 | 只看该作者
仿真实测不符?
( k+ E- @6 F# S模型有问题只是一种可能。
0 O' x; k# s! H( q4 H3 K' A仿真方法对么?考虑了哪些因素?有没有软件处理不了的因素没有考虑到?
2 T- K$ a7 a, ~( l这个问题值得推敲。

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 楼主| 发表于 2014-4-12 16:54 | 只看该作者
于争 发表于 2014-4-12 09:19( x0 r* M: P4 N- i: D4 H
找主控芯片厂家要一下DDR接口封装内的等效线长或封装S参数,然后再分析!
/ ]! i  A% h, |* S另:点对点互连,引脚上测到回勾 ...
0 J' q' Q/ @, `" O8 C. t; a) e
于博士您好!
" Y) L2 C9 E" |1 J! }- @/ @感谢您的回复!9 M& f: J3 X! g8 s0 C
% K0 R( ~9 j" x7 p. @% V* Y
我们这个信号确实是点对点的互连,回沟也没有影响到DDR3 的功能,只是在仿真时看不到回沟(相比实测有更大的过冲),die和pin上的波形差异也几乎没有,即使在修改了package寄生参数之后也显示不出差别。
; N0 r" D9 {  x- B/ e  X2 k; W- ?
之前我们在测另一个DDR2模块时曾经用仿真再现了die和pin上波形的差异(同样是dq和DQS的读信号),而这次在DDR3模块上却不行(DDR2的主控芯片是Xilinx的FPGA,DDR3的是安霸的视频处理芯片),所以想分析一下原因,提高仿真精度。
) d. t2 _0 R" ~" ~, N- ^/ [
- v' K3 g5 S3 u# S7 l/ j关于仿真的方法,主要就是使用SigXplorer提取PCB上的拓扑,添加主芯片和DDR芯片的IBIS模型(转换为dml),设定输出端数据码型,得到时域的波形,主要关注的是链路上的反射,没有考虑板上其它信号的串扰和电源完整性。现在我个人是想先排除芯片IBIS模型的因素,但是我不确定IBIS上除了寄生参数外还有那些参数会影响die和pin上的波形差异。3 P, o+ @) |5 E; {. ?6 T

- s4 q8 k6 b1 G+ Y% N我还是这方面的新人,可能会忽略掉一些常识性的问题,望不吝赐教!
% h. U: x1 o' A( U, B: a

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发表于 2014-4-12 17:22 | 只看该作者
本帖最后由 0aijiuaile 于 2014-4-12 17:23 编辑
0 U+ \( F2 y( n  J; j; H
0 }; C7 Z0 g! y" T4 r; R, U测试是否用夹具,探头有无去嵌,是否点测。。。测量的影响因素首先要考虑;通过测试来提高仿真精度,很难;更不用说只是用SQ软件;因为考虑的东西太少。5 p/ o' A2 {! |" o$ |4 m$ p
至于回沟,原因主要是寄生电感和电容引起或是测试引起,要判断下测试是否带宽受限。如果只是判断 PIN/DIE为何没有区别,也不仅仅是你封装参数影响决定的了的,还要看芯片BUFFER端的驱动速率,说到底,也是带宽问题。即:封装参数的LC参数的反射值与你芯片沿之间是否量级接近,如此而已。

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 楼主| 发表于 2014-4-14 11:26 | 只看该作者
0aijiuaile 发表于 2014-4-12 17:22
) Z, l1 L; m: K+ S* S测试是否用夹具,探头有无去嵌,是否点测。。。测量的影响因素首先要考虑;通过测试来提高仿真精度,很难; ...
9 i0 |9 [- E5 b. e' ^8 l4 C8 q
感谢您的解答!0 M' U) H6 v8 B! A/ Q7 X( y
/ }- o" W& d" E: f( G; H" c
确实带宽的问题容易被忽略,我会按照您提供的思路去检查问题。
头像被屏蔽

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发表于 2014-4-27 22:29 | 只看该作者
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huang34 发表于 2014-4-12 16:54" w; O/ p) E- `; ~) |+ ~( }) P! M! l
于博士您好!
( ~. V+ H3 A. Q$ J# y感谢您的回复!

5 c- T1 p( d2 z+ A修改模型寄生参数的方法是可行的,修改了以后一般是有差别的,除非是封装寄生参数超级小的那种,建议你用Hspice跑一下,另外仿真的时候叠层的一系列信息诸如介电常数、损耗角正切之类的问题一定要设置正确,另外还要看仿真的波形位置和测试点是否是同一个位置。

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 楼主| 发表于 2014-6-6 11:16 | 只看该作者
最近我再做了一些仿真,发现影响pin和die上波形差异的主要在c_comp值的大小,如果c_comp值比c_pin小很多,则pin和die上的波形差别不大。我想原因是die上阻抗的近似值是: L_pin/(c_comp+c_pin)的平方根, pin上阻抗的近似值是: L_pin/c_pin的平方根,不知道是不是这样?

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发表于 2014-12-24 11:02 | 只看该作者
于争 发表于 2014-4-12 09:22' @) t  h/ K9 G: g
仿真实测不符?
' u( q) g/ `( f0 \0 w模型有问题只是一种可能。
2 h; o& n; }) Y, {  z1 R仿真方法对么?考虑了哪些因素?有没有软件处理不了的因素没有 ...
) a# D' K6 ~: B
于博士,看你的大作以及在论坛里面的留言感觉你对SI仿真中的很多软件都比较熟悉;
/ a  r5 c2 h+ R想请问一下你有关于cadence 中的sigrity仿真软件中的PowerSI,SystemSI,PowerDC以及Speed2000熟悉不?
7 J  C: U# |  i+ n4 u
( E8 Q6 C% }* Q目前在学习使用这方面的仿真工具,但是苦于很多文档只有操作流程却没有找到对应的完整仿真文件,所以想请问你有这方面的文档以及对应的仿真文件没有,我想自己把流程走一遍,加深自己的理解与掌握!4 S/ k) x, H* i; B& i
' T7 a8 i$ o1 }8 h6 E
有的话能否给我发一份:3 P) v7 o5 p# `. h" G, p9 j  `
我的邮箱为:zjt_taotao@sina.com
6 U+ H" E" M( |
9 C7 K. P0 n/ A* w% x7 h非常感谢啊!!!) Z- p' Q) j% K) F6 {% U3 H; s

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发表于 2015-5-28 17:00 | 只看该作者
感謝分享~~
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