|
于争 发表于 2014-4-12 09:19( x0 r* M: P4 N- i: D4 H
找主控芯片厂家要一下DDR接口封装内的等效线长或封装S参数,然后再分析!
/ ]! i A% h, |* S另:点对点互连,引脚上测到回勾 ... 0 J' q' Q/ @, `" O8 C. t; a) e
于博士您好!
" Y) L2 C9 E" |1 J! }- @/ @感谢您的回复!9 M& f: J3 X! g8 s0 C
% K0 R( ~9 j" x7 p. @% V* Y
我们这个信号确实是点对点的互连,回沟也没有影响到DDR3 的功能,只是在仿真时看不到回沟(相比实测有更大的过冲),die和pin上的波形差异也几乎没有,即使在修改了package寄生参数之后也显示不出差别。
; N0 r" D9 { x- B/ e X2 k; W- ?
之前我们在测另一个DDR2模块时曾经用仿真再现了die和pin上波形的差异(同样是dq和DQS的读信号),而这次在DDR3模块上却不行(DDR2的主控芯片是Xilinx的FPGA,DDR3的是安霸的视频处理芯片),所以想分析一下原因,提高仿真精度。
) d. t2 _0 R" ~" ~, N- ^/ [
- v' K3 g5 S3 u# S7 l/ j关于仿真的方法,主要就是使用SigXplorer提取PCB上的拓扑,添加主芯片和DDR芯片的IBIS模型(转换为dml),设定输出端数据码型,得到时域的波形,主要关注的是链路上的反射,没有考虑板上其它信号的串扰和电源完整性。现在我个人是想先排除芯片IBIS模型的因素,但是我不确定IBIS上除了寄生参数外还有那些参数会影响die和pin上的波形差异。3 P, o+ @) |5 E; {. ?6 T
- s4 q8 k6 b1 G+ Y% N我还是这方面的新人,可能会忽略掉一些常识性的问题,望不吝赐教!
% h. U: x1 o' A( U, B: a |
|