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DDR设计规则

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发表于 2014-3-13 15:53 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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各位大侠:1 `' F: t9 a+ ]& c) r. a

' N4 f  k% r- G- z$ C        国产MID太多芯片都会用到DDR3,但设计规则还不是很了解,哪位大侠共享关于等长线,容差的要求。
分享到:  QQ好友和群QQ好友和群 QQ空间QQ空间 腾讯微博腾讯微博 腾讯朋友腾讯朋友 微信微信
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发表于 2014-3-13 23:55 | 只看该作者
我也想知道,自己最近也在研究。期待高手点拨。
% |( o; b6 j) y* m4 t
  U" i) Z; s0 z& T% L& S  h我了解到的:0 L6 V* u3 u1 @% Q' X; H
1.首先就是信号长度匹配,把信号分组做长度匹配:1 B& {) x0 V) n* R
数据类:
2 L: h/ t  `: v) R' [(1)DQ0~7,DQS0和DQS0#,DM0一组需要做匹配,至于匹配长度应该怎样确定还没有弄明白。
5 m1 a- d& B- I. O, K7 f+ k7 y(2)DQ8-DQ16,DQS1和DQS1#,DM1分为一组。9 T* T9 \5 o1 l0 F: f" @& [& @
(3).......
3 H, @* k" p; q; l4 |(4)DQ24-DQ31,DQS3和DQS3#,DM3分为一组。
0 g0 k- N! `7 }
% M: Z# {9 I0 S8 S剩下的地址,控制,命令和差分时钟分为一组。(或者把差分时钟独立出来自成一组), D" B/ m8 D+ U2 v; [0 D# y6 r8 W

8 C* t, p( r9 `0 h! w: @8 V
! C/ I4 V2 `0 o+ s  n) [2.为了防止信号线之间串扰。一般线间距(边沿到边沿)遵循3W原则,如果空间有限的降低要求2W即可。
# [( Y% s2 J/ S* Z  U
& f1 t7 H5 e% a- S' }' L* Q3.阻抗要求:对于单端信号一般做50ohm +/-10%,差分类信号做100ohm +/-10%。

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发表于 2014-3-13 16:24 | 只看该作者
百度大把的
听党指挥,能打胜仗,作风优良
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