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基础知识:高速PCB设计中的阻抗匹配

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x
阻抗匹配
9 f) u; E. O. o$ q
8 T8 @) ~  S( s, X阻抗匹配是指在能量传输时,要求负载阻抗要和传输线的特征阻抗相等,此时的传输不会产生反射,这表明所有能量都被负载吸收了。反之则在传输中有能量损失。在高速PCB设计中,阻抗的匹配与否关系到信号的质量优劣。6 f4 A: l3 v) E

5 F& y: h# N/ |6 t5 b% `' RPCB走线什么时候需要做阻抗匹配?
2 U2 d* x0 h+ V4 S# H8 O: j: r1 m# r+ ^) [
不主要看频率,而关键是看信号的边沿陡峭程度,即信号的上升/下降时间,一般认为如果信号的上升/下降时间(按10%~90%计)小于6倍导线延时,就是高速信号,必须注意阻抗匹配的问题。导线延时一般取值为150ps/inch。
# c8 X- `3 x, p* q! R' J2 x$ E
1 C, t  t4 A3 u1 l% y3 {4 M; ]特征阻抗
9 R" d: a* j% V/ z: _. e+ {. k/ c1 C+ `7 U/ B
信号沿传输线传播过程当中,如果传输线上各处具有一致的信号传播速度,并且单位长度上的电容也一样,那么信号在传播过程中总是看到完全一致的瞬间阻抗。由于在整个传输线上阻抗维持恒定不变,我们给出一个特定的名称,来表示特定的传输线的这种特征或者是特性,称之为该传输线的特征阻抗。特征阻抗是指信号沿传输线传播时,信号看到的瞬间阻抗的值。特征阻抗与PCB导线所在的板层、PCB所用的材质(介电常数)、走线宽度、导线与平面的距离等因素有关,与走线长度无关。特征阻抗可以使用软件计算。高速PCB布线中,一般把数字信号的走线阻抗设计为50欧姆,这是个大约的数字。一般规定同轴电缆基带50欧姆,频带75欧姆,对绞线(差分)为100欧姆。
8 H8 Q" Y; p$ U; Z# R+ B9 j; d, ]3 _5 Q8 f3 d  z8 i
常见阻抗匹配的方式
: }+ N0 F# U7 |8 z+ t/ F( }- D" V% V% Q6 d
1、串联终端匹配
. |8 n! V$ z+ {+ R7 V1 E% [4 h, ]4 l
在信号源端阻抗低于传输线特征阻抗的条件下,在信号的源端和传输线之间串接一个电阻R,使源端的输出阻抗与传输线的特征阻抗相匹配,抑制从负载端反射回来的信号发生再次反射。
+ n2 q( h3 F9 }/ ^% o
7 F- O& _  i& j3 d匹配电阻选择原则:匹配电阻值与驱动器的输出阻抗之和等于传输线的特征阻抗。常见的CMOS和TTL驱动器,其输出阻抗会随信号的电平大小变化而变化。因此,对TTL或CMOS电路来说,不可能有十分正确的匹配电阻,只能折中考虑。链状拓扑结构的信号网路不适合使用串联终端匹配,所有的负载必须接到传输线的末端。1 y4 P% I) {- @; y
5 q3 s8 ^' a- W* n
串联匹配是最常用的终端匹配方法。它的优点是功耗小,不会给驱动器带来额外的直流负载,也不会在信号和地之间引入额外的阻抗,而且只需要一个电阻元件。2 Y) i$ T- ?9 y% j* S
2 c8 [3 p3 i# P8 I
常见应用:一般的CMOS、TTL电路的阻抗匹配。USB信号也采样这种方法做阻抗匹配。
5 s3 e4 A- ~: Q7 K0 M* _! Z
5 f! w3 \3 y% s# B% {" Y2、并联终端匹配
7 k0 d0 x9 Y. P- ]$ \1 B2 e2 b! g$ q) _# M1 ^- ~( F
在信号源端阻抗很小的情况下,通过增加并联电阻使负载端输入阻抗与传输线的特征阻抗相匹配,达到消除负载端反射的目的。实现形式分为单电阻和双电阻两种形式。+ p: Y- z. o8 F$ ^1 c
8 H. h* H9 E  |8 e5 b
匹配电阻选择原则:在芯片的输入阻抗很高的情况下,对单电阻形式来说,负载端的并联电阻值必须与传输线的特征阻抗相近或相等;对双电阻形式来说,每个并联电阻值为传输线特征阻抗的两倍。
: R# K$ i" z9 N) e7 ]$ N0 F. X4 r
( _7 I" ?/ ]6 n2 x3 A: i& P并联终端匹配优点是简单易行,显而易见的缺点是会带来直流功耗:单电阻方式的直流功耗与信号的占空比紧密相关;双电阻方式则无论信号是高电平还是低电平都有直流功耗,但电流比单电阻方式少一半。9 j/ E' g3 A) F) T) ^
" ?; N, h7 I. H, Z; K
常见应用:以高速信号应用较多。
+ @5 O$ x; j- ~3 S4 ^# ]1 ]; S
' m. _1 d% O1 _(1)DDR、DDR2等SSTL驱动器。采用单电阻形式,并联到VTT(一般为IOVDD的一半)。其中DDR2数据信号的并联匹配电阻是内置在芯片中的。
! U( d+ c% H# E1 s
, e$ z. N4 L2 `/ b8 d* c(2)TMDS等高速串行数据接口。采用单电阻形式,在接收设备端并联到IOVDD,单端阻抗为50欧姆(差分对间为100欧姆)。& @: d% Z: W9 p
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