减小轨道塌陷措施？

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1、减小电源和地路径的回路电感；
2、使电源平面和地平面相邻并尽量靠近；
3、在平面间使用介电常数尽量高的介质材料使平面间的阻抗最低；
4、尽量使用多个成对的电源平面和地平面；
5、使同向电流相隔尽量远，而反向电流间隔尽量近；
: u& ^+ G# ~6 F- w) s7 ^6、在实际中，使电源过孔与地平面过孔尽量靠近。要使它们的间隔至少与过孔的长度相当；
7、应将电源平面与地平面尽可能靠近去耦电容所在的表面处；
8、对相同的电源或地焊盘使用多个过孔，但要使过孔间距尽量远；
8 O, \( y+ Z) M) N! i! m1 U' c+ E) T9、在电源平面或地平面上布线时，应是过孔的直径尽量大；
10、在电源焊盘和地焊盘上使用双键合线可以减小键合线的回路电感；
) [9 K5 d) Z; d2 p7 E11、从芯片内引出尽可能多的电源和地引线；
5 N0 ~+ V# t4 ?3 b- `12、在芯片封装时引出尽可能多的电源和地引脚；
; S' X1 G. i5 y0 o13、使用尽可能短的片间互连方法，例如倒装芯片而不是键合线；
14、封装的引线应尽量短，例如应使用CSP封装而不是QFP封装；
0 a4 k" U9 u9 [% w% B0 u16、使去耦电容焊盘间的布线和过孔尽可能短而宽；
17、在低频时使用一定量的去耦电容来代替稳压器件；
- p1 q' n1 o6 R18、在高频时使用一定量的去耦电容来抵消等效电感；
19、使用尽可能小的去耦电容，并尽量减小电容焊盘上与电源和地平面相连的互连线的长度；
20、在片内使用尽量大的去耦电容；
) h, Q( r/ Y& Z5 d6 d: K; s- c21、在封装中应使用尽可能多的低电感去耦电容；
6 f) W5 @) }; m& z( b( b# v, d22、在I/O接口设计中使用差分对；

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就一句话：使DIE pad出来的wirebond线与POWER/GROUND RING的电感尽量小。

willyeing

高手出现。