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[Allegro] 有关DDR3设计六层改四层

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发表于 2013-9-9 11:30 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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最近遇到DDR3设计,有2片DDR,为了节约成本,六层改四层,布线没有任何改动,都是走表层
2 u/ }* [4 Q) ]+ _5 T叠层改变了,四层 top-gnd-power-bottom  六层 top-gnd-L-power-gnd-bottom 2 Q) n/ v0 T) {
data 高八位 打孔翻层
2 A( @) H8 K7 Kdata低8为,top层5 ?: P0 }( M2 O* a+ ^6 f$ l( E2 y

; {( s5 f9 W4 {: P: g仿真出来的眼图
+ c9 `9 }+ b; [; T

6}M]I%UPVOBU4ARK}JY{XVX.jpg (136.42 KB, 下载次数: 10)

data眼图

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 楼主| 发表于 2013-9-9 11:33 | 只看该作者
分析原因 DATA高八位的参考层的问题,难道差别就这么大吗?有这方面设计经验的,希望可以指点迷津

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发表于 2013-9-15 12:05 | 只看该作者
丫丫 发表于 2013-9-9 11:33
% P+ i0 b4 T2 F: M. B* d( ?4 S# B2 t分析原因 DATA高八位的参考层的问题,难道差别就这么大吗?有这方面设计经验的,希望可以指点迷津

6 O1 [; T$ p* y. |( X" A2 e9 M8 k有串扰,有噪声,可能是线间距和回流平面的问题吧。
不疯魔,不成佛.

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发表于 2013-9-15 12:06 | 只看该作者
日月光也搞PCB设计?
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 楼主| 发表于 2013-9-17 10:01 | 只看该作者
风刃 发表于 2013-9-15 12:06
; H; P8 F& V, T日月光也搞PCB设计?

) v% I9 e* q8 K: O& W* q帮忙做SI/PI仿真

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 楼主| 发表于 2013-9-17 10:04 | 只看该作者
风刃 发表于 2013-9-15 12:05; h3 o% _% {! b
有串扰,有噪声,可能是线间距和回流平面的问题吧。
7 {& c, b5 [" V8 O  z$ ]) ?4 N2 \
间距,平面都注意了,都是大面积铜,唯一差别就是参考平面层,不知道你有没有遇到这种问题,data参考平面选GND比VDD好,GND相对稳定一些

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发表于 2013-9-17 22:05 | 只看该作者
丫丫 发表于 2013-9-17 10:04* I# o$ z2 h0 z+ C
间距,平面都注意了,都是大面积铜,唯一差别就是参考平面层,不知道你有没有遇到这种问题,data参考平面 ...

$ o7 ?+ x; k( }5 Q& A6 b6 h- V在信号的回流路径上,也要注意干扰。
不疯魔,不成佛.

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发表于 2013-9-17 22:17 | 只看该作者
风刃 发表于 2013-9-17 22:05
: [" \4 e( W/ q) o在信号的回流路径上,也要注意干扰。
0 D( N8 n& k5 {  {; x! t# J
四层板啊,这些问题应该也比较好控制的。' k- i9 T5 p+ e& Y
不疯魔,不成佛.

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发表于 2014-1-23 14:52 | 只看该作者
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