请教DC-DC同步升压与异步升压两种方式的区别。

ALIDA

如题

zhanglaoye

kevin890505 发表于 2013-9-5 21:52
1 {3 e6 A. ?: i  A( l1 M" C最显著的：
非同步二极管须流，二极管耗散的功率P=Vfow*I，Vfow压降基本固定，假设电流5A，那么浪费的功率 ...

" |  @% z8 v# A; K' R/ V  Y/ o这个只是大概算法，实际上还有MOSFET栅极输入电容驱动损耗，Qrr造成的关断时的损耗，特别后者。

kevin890505

# {' F) Q2 h$ F) m" D
% h9 ~$ e; ^. C, q" U' O0 T7 S/ _! \最显著的：
- }& e& L/ E/ r6 r! [% @+ v非同步二极管须流，二极管耗散的功率P=Vfow*I，Vfow压降基本固定，假设电流5A，那么浪费的功率P=0.5*5=2.5W，非常恐怖；
而同步的在须流上，耗散的功率取决于MOS的Rds，而一般来说DCDC用NMOS，Rds大约在50mOhm以内，此时，P=I(2)R=25*0.05=0.75W,优势可见一般。
& P) }# p8 \5 P; @" l( R& e
# o$ ]+ T4 b( R& Z' d

不够严谨，补充下：
' P4 W! F5 X* }' F' {1，5V-1V/1A，占空比大约20%        那么P=（Iout 根号（1-D））平方*Rdson  大约为0.01W，如果是二极管，P=(1 - D)Iout*0.5V 大约0.4W
7 N! ?( l6 ?9 y1 G    大概计算下，前者效果可以近90%，后者只有70%，这种情况下，MOS的Rds主导
; `& C/ R: q3 \, q. i* Z! k: Y7 Z2，如果变为5V-4.5V/1A，很明显，由于占空比高达90%，上两公式算下来都差不多，这时候，开关损耗的比例就自然会占主要因素了。
% `2 `( M1 L" z, {1 _/ A, O) M+ V

zhanglaoye

恕我孤陋寡闻，没听说DC-DC同步升压与异步升压，只有做过BOOST同步整流电路，它的特点是把升压二极管换成场管，降低损耗

cvntao

非同步芯片在肖特基二极管上的损耗很大，效率远低于同步整流芯片。通常在大压差的应用条件下，同步芯片从性能到发热度来看都优于非同步整流芯片

kevin890505

zhanglaoye 发表于 2013-9-6 07:57
这个只是大概算法，实际上还有MOSFET栅极输入电容驱动损耗，Qrr造成的关断时的损耗，特别后者。

所以说是最显著的嘛

zhanglaoye

kevin890505 发表于 2013-9-6 08:13
# Z; g- A7 N7 }, h) v) _所以说是最显著的嘛

- b8 ]3 k9 ~" |对的，我也只是抱着提醒初学者的目的，这两个参数不注意有可能做出来的效率改善不大。

rogetxu

) f0 s- o  H& [2 T8 V1 l9 Y
8 d2 v6 P7 x3 f. f) D也不能一概而论。和输出电压相关。在低电压输出明显。在高压时很不明显。MOS的Qg等影响加大。
( T' u% g% u8 _7 l, z' O在boost里，用同步就很少

bingshuihuo

kevin890505 发表于 2013-9-5 21:52
最显著的：
非同步二极管须流，二极管耗散的功率P=Vfow*I，Vfow压降基本固定，假设电流5A，那么浪费的功率 ...

* b7 P  p- f9 KIout 根号（1-D)  中的1-D表示什么啊  我看不懂，麻烦你详解一下！！！！谢谢！！！
( w4 D4 K3 i/ W( V* i% `

bingshuihuo

明白了  我想想也应该是，谢谢！！！！