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DDR3中,DQ,DQS,DM信号串接15欧电阻

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发表于 2013-8-17 17:53 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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如题,串接15欧电阻,起什么作用
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发表于 2013-8-18 09:42 | 只看该作者
减少信号发射

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 楼主| 发表于 2013-8-18 10:29 | 只看该作者
part99 发表于 2013-8-18 09:42
5 u9 t+ h- P+ N- V5 A$ v$ s$ l* L4 F1 B减少信号发射

# d; ^& }8 `% e* _: ?2 P, F从主板到连接器到内存条,阻抗都是匹配的,请问哪来反射?还请不吝赐教

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发表于 2013-8-18 14:29 | 只看该作者
反射无处不在,即使是embedded,阻抗也不是100%连续,PCB板厂最多也只能宣称10%的误差,何况你还有连接器?你查一查连接器S参数对阻抗的影响就知道了。

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发表于 2013-8-18 14:33 | 只看该作者
我个人的经验看,对DDR3-1600,10欧姆的匹配比较理想,位置放中间或靠内存一侧为好。(以上数据来自TI的内存控制器+美光内存)

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 楼主| 发表于 2013-8-18 15:08 | 只看该作者
part99 发表于 2013-8-18 14:33
- b/ e" ~4 U* ], s# G" d- B$ N我个人的经验看,对DDR3-1600,10欧姆的匹配比较理想,位置放中间或靠内存一侧为好。(以上数据来自TI的内存 ...

( |! t5 v9 q+ e# v大哥,如果是板载内存呢,这个电阻值是不是可以再小些

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发表于 2013-8-18 16:02 | 只看该作者
sz_cheny 发表于 2013-8-18 02:08
! S1 X2 q* n$ r. D' s3 ?大哥,如果是板载内存呢,这个电阻值是不是可以再小些
+ R' X9 C0 ?2 y9 h  l' g
我说的10欧姆就是板载内存。

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"學會了" 就簡單了.

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发表于 2013-8-18 17:42 | 只看该作者
依照 Super Go 的習慣, 叫一份狗糧來品嘗一下。

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有背後被捅刀的感覺!@_@  发表于 2013-8-19 09:03
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发表于 2013-8-19 09:01 | 只看该作者
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发表于 2013-12-13 23:15 | 只看该作者
DQ,DQS,DM做串阻,没见过,最多是在控制端加上拉,ADDR源端加串阻匹配,阻值大小根据阻抗方程求得,末端加上拉。防止信号反射。

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发表于 2014-8-23 15:39 | 只看该作者
DDR2中 DQS DM 信号线是做什么用的啊

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发表于 2014-8-23 16:14 | 只看该作者
ChineM 发表于 2014-8-23 15:39* j6 r, e) g8 n4 m5 E6 ]" {
DDR2中 DQS DM 信号线是做什么用的啊

8 f3 `0 f' p6 Z+ t掩码信号!
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