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[请教版主]传输线入口处的电压Vi及反射系数在SI和RF两套理论里的公式差异?

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发表于 2013-8-16 10:50 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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本帖最后由 fishplj2000 于 2013-8-16 10:55 编辑
: q2 k! ~. K& n0 B& f( e# v; c
0 g! t2 o4 p. r4 |传输模型结构:
3 Z& a. N+ J! C! v# m  [% o5 ?- I! q# C% W              源(Zg) ----》   传输线(Zo)   -----》负载(ZL)* o! n( I9 E  ?4 T
                 Vs                      Vi                          Vo
1 A% U1 E: x6 R; @% M4 q! c关于传输线入口处的反射及电压Vi的计算,在信号完整性和微波理论里,计算公式有些差异。
) z( O( d% z9 m, G9 \1 r) g3 c" `. w2 d0 ?# \
从信号源出发的信号每次进入传输线时,输入电压计算:4 f% I" N% t+ h' S8 T# |- P
信号完整性里面:
$ W  e  `( h. x& w0 ^       公式1:        Vi= Vs* Zo/(Zo+Zg)        无视传输线后端的情况
# N! s. q5 j! u( b1 \8 I微波理论:7 _9 C8 J: [; |8 l; v: a1 S2 m' s
        公式2:       Vi=Vs* Zin/(Zin+Zg)   其中,Zin为传输线(Zo,长度)和负载(ZL)的合成输入阻抗
# F7 \- J1 E  }$ U- l8 ?3 G1 K* d3 ^; W5 @5 ]1 p5 j# ~; ^+ @
在ADS里面仿真,传输线input端阻抗确实是传输线(Zo)与负载(ZL)的合成阻抗Zin,按照道理来说,Vi应该是按照公式2计算;
; u0 X' |" F6 }可实际情况是,Vi是按照公式1来计算的!8 \9 w! D) q7 w
  仿真结构:         Zg=50 ,  Zo=50(1/4波长传输线)    ,    ZL=30      4 q0 j2 T7 k9 [3 G! R3 z. X
  激励信号:         Vi=1V阶跃信号
. [9 Z! w" A$ K; J/ s1 F; ~  测试结果:          Zin= Zo^2/30 =83.3     Reflective Ratio = 0.25 = (Zin-Zg)/(Zin+Zg)
# o  z! j$ ]: g                          可是瞬时电压  Vi=0.5V , 符合 Vs* Zo/(Zo+Zg)  ,并不是 Vs* Zin/(Zin+Zg)
/ y& U, J: f' Q3 u9 p0 E3 t$ F为什么?如何理解? 或者说,这两个公式的应用差异在哪?; W) m$ Y, l- Q/ R- O2 j

; s& d* f* j& l0 o/ G. h
& \+ j7 N4 k1 p" |7 K
7 ?  G! e, I: k, q. p  H" u
1 b. H" o1 W( @2 X8 @# E: f5 Q1 E6 J" o; u' {. y- S# H+ H
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 楼主| 发表于 2013-8-16 17:20 | 只看该作者
请见不同输入信号下,Vi的输出,用ADS仿真
2 V/ }, c) n+ p

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发表于 2013-8-17 11:42 | 只看该作者
本帖最后由 Xuxingfu 于 2013-8-18 22:07 编辑
5 Y9 x1 {7 \6 g* H
9 k, p# Y: U4 U) K楼主的问题问的很经典,很好,但是指定版主回答, 鸭梨山大, 哈哈...
# m( h1 p! K4 w( ^2 x
+ g! r& t& p, a% e. k+ i  M首先射频和数字电路信号完整性的理论从来都是一套,SI/PI其实都是建立在射频微波电磁场理论基础之上的。: b- E3 S  N1 ^2 b' S

9 n9 n# x  l" i3 I& {3 y一个理论比较好的SI工程师,有射频微波基础比较好。
2 A( ]$ q$ c! g" x/ ]3 e* [1 ~( p3 U0 H( r' q. s  B! s
射频理论里面的传输线理论其实也考虑和适用的数字电路情况,只是关注点不一样。- K3 p# G% x8 u+ S" t/ K6 a. F* q
: c  P4 M6 a1 q' h! y+ }# C
(1)射频传输线结构复杂,有各种形式耦合线,滤波器,功分器,微带巴伦等,而数字电路是信号复杂,结构就单端和差分;+ [) [  |, ?8 K( q

- x( [5 h* f$ i% D8 G: e9 S  C" Y(2)射频关注稳态,数字关注瞬态。
) m' M; i" g$ D. b, ~
4 W( a$ r, d3 y% U' e6 ]% U(3)射频关注功率,数字关注电压。1 V9 P4 B. T0 Q
) S8 e5 r; Y: W3 C5 q
(4)射频用LC匹配,数字用电阻匹配。1 p- p7 }" E0 [7 H- {- R

' y7 `( C. S; R& Y0 _) K# V8 n0 T
4 W  j* _/ Q2 _, d) v1. 公式1为瞬态的,也就是TDR的原理。电压一次的波形。
+ Z; B# }& G0 L2 p2.公式2是稳态的,电压第一次,第二次,第N次的波形叠加。
1 }2 Z- }5 E+ f+ A& C" u也可以这样说,公式2其实是包含公式1的状态.) O- @8 F  x+ i0 Q

# b) a' y+ M" h( p. h; e  F% A关于公式的适用性,我们一般的公式都是讨论正弦波状态,如下结果验证也适合阶跃和方波情况。9 z8 f+ p0 j$ b$ p5 i  J

7 @# v1 N2 W+ }: f6 G5 M6 i* r& U1. 正弦波,公式1,2计算都是OK的,Vi的波形起初是0.5V, 2.5ns后受到后面电路影响变为0.625V,也就是2.5ns以后出现了反射波叠加。" E- E7 S1 p6 }2 f1 k. O

% o$ C  q0 [/ v0 ~: f# C! l2.阶跃信号不匹配会出现过冲,幅度也会下降或上升,这要看反射系数的正负情况。; H7 \9 Z) s2 u
3 [+ f5 C  P: v6 F# D) s% `
0.357V=0.5-0.125
3 u0 Z8 J8 B/ y9 F6 x1 L+ n0 n% Z  @+ |
稳定前过冲的波形和幅度值都会后很多种情况,如果E足够长,过冲会到0.5V, 求解比较复杂,需要傅里叶分解信号后叠加。
0 g4 d0 ~  J' R7 |2 z- A! Q; w6 B* P9 u$ |- C% t  ]4 c$ g' c

9 b1 z+ }, a) T+ M" h' d( o; \% y- y1 v1 p6 X2 {( W6 j' }
3.方波信号,你的问题就是这个疑问,为什么m1m2相等?3 U1 e$ _3 d7 c. i0 s. g0 Q5 H3 e
9 J+ x$ c/ T# A: G/ M* ]/ M4 l
其实波形下边幅度已经畸变,正常的是0,反射后,方波起点-0.125,0.5+0.125=0.625,
8 p. E% v- r4 L9 x/ K0 L
2 G) [0 S' F$ S3 r+ ^# ?方波的起点为正或者负,这个跟RL和Z0大小有关。Γin=(ZL-Z0)/(ZL+Z0),也是就是反射系数有可能为正,也有可能为负。  Q( ]5 b  U" y) T; L3 x2 m

, v* Z6 z( _4 s" \  r% U/ u . [! ]& S2 O. A, x
2 t4 v, D; a7 k& `' j7 I& g
如果你设置为2G或你把E=90, 改为140不匹配的时候,会非常明显,波形如下:. K7 t' {. P) }4 D- J& T; P
* e. z( F6 a5 ]! K

5 f, y4 U2 p2 k$ s5 N) J( P5 M

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 楼主| 发表于 2013-8-20 09:39 | 只看该作者
Xuxingfu 发表于 2013-8-17 11:42/ u& b! r) p# `# D1 L7 Y! Z
楼主的问题问的很经典,很好,但是指定版主回答, 鸭梨山大, 哈哈...8 E3 K  B+ q% q" U6 {
) t6 }" N. k$ m
首先射频和数字电路信号完整性的理 ...

% F% R6 J! Q) \非常感谢版主热情、细致的回复与专业的解答
  L2 i0 {- }* C& V& b8 \7 T. m版主真是太好了,{:soso_e179:} 超赞一个{:soso_e113:}

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 楼主| 发表于 2013-8-23 08:54 | 只看该作者
Xuxingfu 发表于 2013-8-17 11:42
7 N! M' t, T3 Q- Z* J  T9 Y6 `5 W楼主的问题问的很经典,很好,但是指定版主回答, 鸭梨山大, 哈哈..., ^  `3 d2 S, A* i8 s4 }

/ Z+ P$ w* ^. y0 l$ E1 X) L9 O首先射频和数字电路信号完整性的理 ...

0 |+ v  {( h4 P* @$ M再请教斑斑一个疑问:
  |! g/ e  T( \- x+ W       在射频书里面,Vin是入射波Vin+和反射波Vin-的迭加合成信号,Zin是Vin+和Vin-共同看到的阻抗,Vin-是来自于负载,所以Vin除了看到Zo外,还看到了ZL,即所谓的合成阻抗Zin。' c! A# u0 }$ J, A
        射频关心高频模拟信号,而SI关心高速数字信号
1 H4 P2 r. }: [, M. y        数字信号关注上升沿和下降沿,电路只要不产生逻辑误判就行,可能第1~n个bit上升沿都没有碰到反射回的脉冲信号,但总有第n+1个bit上升沿会遇到并迭加反射脉冲,那么第n+1个bit后的脉冲数据的发射端就感受到负载的影响了,相当于同时看到了Zo和ZL

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发表于 2013-9-2 23:15 | 只看该作者
本帖最后由 Xuxingfu 于 2013-9-2 23:17 编辑 ) c. W' z9 R( p0 W4 _, z( y
  ^8 t7 U0 t' C2 C3 `  m
对于1G方波信号,分解频率为多次谐波,如果电路是匹配的,那么1  3  5..谐波也是匹配的,Zin是相同的额。
& \& L8 c0 y% f5 L6 C( Y2 _& K$ I8 Q' p
- X* I- g7 G5 a( e, o) T* h% M0 v如果不匹配,各个谐波频率点的Zin是不同的,组成上升沿的各个谐波感受到的阻抗是不同的。
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