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24V电磁阀驱动电路比较,哪个好?

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发表于 2013-7-12 19:38 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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这里有两个电磁阀驱动电路,各位看看,哪个比较好些。
9 [3 Q6 I, l! z  e0 o注:CPU为3.3V。电磁阀为24V,电流要求2A的样子。由于板子位置小,所以选择了SOT23封装的MOS管。

QQ截图20130712193124.jpg (107.5 KB, 下载次数: 1)

图1

图1

QQ截图20130712193609.jpg (107.03 KB, 下载次数: 1)

图2

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发表于 2013-7-12 20:07 | 只看该作者
第一种便宜,且可靠。6 ~$ j3 S+ [: k) S) r, [' `
6 }; T8 G6 L1 k1 j) I" V8 F
第二种VD_IN是多少V,# A) I1 V4 }, ~6 s
如果小于24V将会导致,输出关不死。9 Z! u  j- `2 Z2 F& j, }
另Q22也没需要大电流的,太浪费。

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 楼主| 发表于 2013-7-12 20:29 | 只看该作者
噢,VDD_IN是8V...

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 楼主| 发表于 2013-7-12 20:39 | 只看该作者
gui_qu 发表于 2013-7-12 20:07 . K. X+ @8 `7 M2 G
第一种便宜,且可靠。" y- j) |2 l8 ]0 }1 T1 [' o

, h# ^9 K/ Z( f/ U7 u; Y第二种VD_IN是多少V,

7 I& i. p* A& e注意噢,第一种用的PMOS管,导通后,由于MOS管内阻很小,源极S的电压实测只有2V的样子,这样MOS管的导通程度就比较低,能满足2A电流的要求么?
7 C. F- o1 w0 ~6 [9 T第二种方案,Q22可以换个电流小一些的。但为了使后端的NMOS充分导通,在NMOS管的栅极加个大的点电压是必要的。
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