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这是个典型的全桥拓扑DCDC，IGBT,1,2,3四个IGBT构成全桥，交叉式的0和3或者1和2同时导通，在这2个半周期中均有能量从前级传递到后级，优势不言而喻。& ^1 w! N4 M4 T5 U& ^2 w
过程：1，开关0,3导通，电流从正极——IGBT0——变压器前级——IGBT3_电源负极，此过程，电流过过变压器前级，电流线性上升，那么后级线圈2，3产生感应电动势，2因为D4反向截至，而D5则导通，电流流到后级，经过LC后变为稳定电压。
8 R- n) ^! y+ _, t% t+ _2，开关1，2导通，过程和1类似死，此时D5截至，D4导通，同样的继续给后级供电
3 R4 V, c( g- S z3，在整个周期中，由于流过变压器的电流交替变化，相对于BOOST之类的电路，磁饱和问题就显得没那么显眼了。: s8 B; |6 ~* v
4，四个开关管的控制非常严格，有专用DCDC芯片完成，因为对于全桥拓扑，存在一个死区时间问题，就是从0,3导通切换到1，2导通需要一个过程，如果控制不好，0和1，或者2和3同时导通就炸管了。
2 e4 t0 s. [/ u- C4 f6 E6 {简单原理如上，电源是非常复杂的，要了解自己找找资料还是 |
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发表于 2013-5-13 17:14
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