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[仿真讨论] 有关DQ_HALF_ODT50和DQ_FULL_ODT50的区别?

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发表于 2012-12-24 09:21 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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现在做DDR2的仿真,遇到一个问题,IBSI模型中有很多标准,例如,数据管脚就有DQ_HALF_ODT50_667、DQ_FULL_ODT50_667等等,我想请教一下,“HALF”、“FULL”有什么区别?在什么场合使用呢,谢谢!
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发表于 2012-12-24 11:31 | 只看该作者
请把IBIS文件上传上来看看,大家分析。667MHz下的两种模式

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发表于 2012-12-24 11:33 | 只看该作者
“HALF”、“FULL”有什么区别?
) t2 u3 o4 W2 Y1 q半驱动及全驱动输出,HALF 输出阻抗较大,FULL输出阻抗较小,搭配你的PCB 阻抗设计,以终端信号振幅足够大,信号反射最小为原则。

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发表于 2012-12-24 13:06 | 只看该作者
驱动电流的大小区别,
! M) O% }" h' G- n- T0 @* `! z如果你的负载多的话,可以使用FULL,: ?2 G( Q6 D- ?7 K6 ^
少的话使用HALF

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 楼主| 发表于 2012-12-24 17:03 来自手机 | 只看该作者
qaf98 发表于 2012-12-24 13:06  驱动电流的大小区别,  如果你的负载多的话,可以使用FULL,  少的话使用HALF
3 F/ r, J+ B5 @0 P
DQ_FULL_ODT和DQ_HALF_ODT是DDR2的IO模型,怎么谈到负载的问题了呢?DDR2是控制器的负载啊,在写操作是时,控制器发送数据,DDR2接收数据,这时DDR2的数据总线的IO模型用带ODT的;在读数据时,DDR2发送数据,IO模型不要带ODT的。这样的话,您说的就不对了吧。

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发表于 2012-12-27 09:19 | 只看该作者
yinning 发表于 2012-12-24 17:03
0 B2 v2 O9 A3 DDQ_FULL_ODT和DQ_HALF_ODT是DDR2的IO模型,怎么谈到负载的问题了呢?DDR2是控制器的负载啊,在写操作是时 ...
/ c, o4 r- N+ X3 C7 E8 z) @/ b- `
6 A$ R. q9 g% i
不好意思,看错了!你说的对的。2 B3 ^1 p$ N& w" P  G( [

' k. N  @- B/ N0 S' j6 w一般的DDR2 DRVIE model DQ_HALF  & DQ_FULL,   DDR2 RECRIVE是 DQ_ODT75  or DQ_ODT150, or DQ_ODT50.4 s1 f: `* o2 ?( I& A6 k
你说的那个有点奇怪。: S3 T0 b4 Q% I. l! i! q
要不告诉我们DDR2型号,我们去下载看看。
3 i& y# Y7 j* D+ _一般IBIS文件里会对模型做简单说明的,你找找。

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发表于 2012-12-27 11:48 | 只看该作者
那家的,把模型传上来,分析一下。

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发表于 2012-12-27 23:17 | 只看该作者
hello
4 E: {6 g1 w7 O6 aODT是作为数据信号的端接匹配,通常情况下会按照端接阻抗的大小进行区分,不会进行HALF.FULL的区分。
/ x) y. C* i) bHAFL.FULL的区分一般情况下是作为发送端进行区分的,就像3楼兄弟说的那样~
7 |: e, R9 P. x, @7 n+ ?+ P, w1 L0 j# X% E2 U5 S% K! H6 i
如果这个model是I/O就能说通了,即作为接收端口时是用ODT模式,作为发送端口时使用FALF.FULL模式进行区分。可以利用两个model做个简单的替换实验就能知道是不是这样了。

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 楼主| 发表于 2012-12-31 15:02 | 只看该作者
kaenii_nanjing 发表于 2012-12-27 23:17
2 Y8 R8 X  V, m8 A& V4 H) qhello( D, R' Z4 ?3 B9 ?) h3 z0 [6 H- \
ODT是作为数据信号的端接匹配,通常情况下会按照端接阻抗的大小进行区分,不会进行HALF.FULL的区分。 ...

' q) `' W! U0 }/ g. q5 n就像你说的DQ*是DDR2的数据总线是IO,当DDR2作为负载时,ODT功能有效;当DDR2为驱动源时,有HALF和FULL两种模式,不知道这两种模式怎么区分的,我查了下,好像是驱动力的强弱之分,不知道是不是?

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 楼主| 发表于 2012-12-31 15:13 | 只看该作者
qaf98 发表于 2012-12-27 09:19 & ~. V/ n+ t0 s; Z* r
不好意思,看错了!你说的对的。
/ e+ R" d8 l- ]/ s
! K9 s- ~/ h$ r( `一般的DDR2 DRVIE model DQ_HALF  & DQ_FULL,   DDR2 RECRIVE是 DQ ...
( g9 t0 n- Z( Q* \3 r
是美光的,MT47H64M16HR-3,顺便问一下,仿真地址和控制的时候,用的是哪一种模型。

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 楼主| 发表于 2012-12-31 15:17 | 只看该作者
willyeing 发表于 2012-12-27 11:48 6 Y# ^) v: w. q7 l5 _; i& Y
那家的,把模型传上来,分析一下。
: y8 k6 q4 P6 c
请分析一下!

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发表于 2012-12-31 17:52 | 只看该作者
这里的FULL和HALF就是指的buffer输出时不同的驱动电流强度,和ODT没什么关系,至于如何选择FULL还是HALF得看你DDR驱动对应寄存器的设置。
1 X, J8 f: ^6 C! n4 W. w# ~
) r2 [; v5 `( W+ u. U  `  `0 H, `5 R# u
3 u& B1 A( n5 |1 f
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发表于 2013-1-4 10:50 | 只看该作者
yinning 发表于 2012-12-31 15:17
* I/ m9 c' n8 x! a6 a. }7 m请分析一下!
% C# G1 s7 a; t* @/ i
如果是hyperlynx的话有个model selector选择你要的模型就可以仿真了。

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 楼主| 发表于 2013-1-4 14:18 | 只看该作者
yuxuan51 发表于 2012-12-31 17:52
# H: X. ^& ]/ s2 `6 z这里的FULL和HALF就是指的buffer输出时不同的驱动电流强度,和ODT没什么关系,至于如何选择FULL还是HALF得看 ...

9 s  k9 t# u; J! s谢谢,明白了!
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