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什么是Command Rate？
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我们都知道，内存在读写操作中，存在着各种延迟（Delay）和潜伏期（Latency），比如常见到的tCL-tRCD-tRP-tRAS这些，但是我们常讨论的这些时序参数，都是发生在对L-Bank（逻辑Bank）的操作中，也就是发生在上面的第2-4步之中。
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实际上，还有一个延迟，是发生在第1步和第2步之间的，即在选择一个P-Bank芯片集之后多少时间可以发出具体的寻址的L-Bank/行激活命令，称之为“首命令延迟”，也就是我们今天要讨论的Command Rate。
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1 y5 X" t/ M% T7 E0 V1 D+ S Command Rate有时被称之为CMD，从前面的描述可以看出，CMD是发生在对内存芯片读写操作之前的，它和内存本身的关系不大，更取决于主板芯片组的设计。和其它时序的单位一样，CMD的单位为时钟周期。显然也是越短越好。但当随着现在内存向高频率高密度高容量发展，内存控制芯片组的负载也随之增加，过短的命令间隔可能会影响稳定性。
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1 y. S0 P! h+ n" X 在K8出现之前，Command Rate选项一般都不会在BIOS中出现，只能通过一些修改版BIOS对它进行设置。但随着K8内存控制器在功能和兼容性上的完善，Command Rate终于变成了主板BIOS中的标配。在随后的一些非英特尔主板芯片中都加入了Command Rate选项，虽然在名称上稍有差异。
; o8 v; [: y% L+ q- J( g所有项目测试成绩的趋势如出一辙，即在相同条件下，无论是理论带宽测试，还是实际软件应用，Command Rate为1T时的性能要好于2T时的性能，但是这个优势是很微弱的，大概在1%-2%左右，这样的差别，也只有用测试数据才能看得出来。
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, U3 ~3 h+ V1 S- g: U◆ CMD 1T/2T稳定性测试
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& b( l- G& b5 ~: Y# f+ A 前面说过，随着内存向高频率高密度高容量发展，内存控制芯片组的负载也随之增加，过短的命令间隔可能会影响稳定性。我们通过寻找内存的极限频率来测试CMD 1T/2T对稳定性的影响。
" C8 \* B( d9 ~测试总结
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: R* J# O( }1 H" ?" S' c% ^ 我们再回顾一下，Command Rate是指在物理Bank片选之后，到逻辑Bank激活之间的间隔，通常称为“首命令延迟”。Command Rate这个选项在越来越多的主板BIOS中出现，尤其是英特尔阵营的主板用户也逐渐能选择Command Rate是1T还是2T了。- i6 r# [5 e( M& f0 v5 J2 _
. v! `, q% f7 @/ m# Y# B Command Rate只能选择是1T或2T，1T下的性能稍好于2T，领先幅度在1%-2%间，这对于狂热的性能追求者来说，是一个不错的可控参数。4 t7 O; x t* _( W! f1 }
; b. t* l7 A- d: O9 J* f 最让我们应该关注的是，Command Rate 1T/2T对内存稳定性的影响，和性能上两者差距极小不同的是，稳定性的影响很明显，Command Rate为1T时，内存的稳定性大幅降低，直接表现为内存超频能力大降（2T时能超到1101MHz，1T时只能超到1005MHz）。显然和它带来的1%-2%的性能提升相比，内存频率的降低对性能损失更大。7 {- ]) |( b+ i. r% _4 v0 a% |
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Command Rate为1T时能给系统性能带来“百尺竿头，更进一步”的效果，但是如果它影响到了系统的稳定，还是将Command Rate设置为2T吧。 |
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发表于 2012-7-6 16:34
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2 ，除了仿真的时候设置速率， 其他时候和SI没关系
楼主
