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询问增大MOS晶体管增益的方法

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发表于 2012-4-8 11:10 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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对下边这个MOS进行增益测试,在工作频率的增益总是很小,一直处在-30dB以下,请问怎么改进这个管子的增益呢?有什么样的电路结构,因为工作在比较高的2.4G频段,MOS管是180nm工艺的。
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发表于 2012-5-8 11:16 | 只看该作者
恕我冒昧问下,LZ你确定做的是MOS吗?mos是电压控制,没有放大,哪来的增益?我也没在任何一份spec里看到过有这个参数啊

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发表于 2012-5-8 17:07 | 只看该作者
高频这块的放大楼主最好用仿真器仿真下,不能随便调整!!!

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 楼主| 发表于 2012-5-8 19:02 | 只看该作者
lxizj 发表于 2012-5-8 11:16
/ G+ l, v& v; M9 q, L& z" j恕我冒昧问下,LZ你确定做的是MOS吗?mos是电压控制,没有放大,哪来的增益?我也没在任何一份spec里看到过 ...
  f3 h& }& [" O5 L' z5 O2 J
谢谢  是跨导太小了

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 楼主| 发表于 2012-5-8 19:03 | 只看该作者
qiangqssong 发表于 2012-5-8 17:07
* N. h# X( \  F/ F' f. a! i高频这块的放大楼主最好用仿真器仿真下,不能随便调整!!!

3 T1 p- s' p9 x+ `6 i0 ]0 }单单用一个管子做功率放大器时候得到的功率增益总不能提上去

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发表于 2012-5-8 22:14 | 只看该作者
RS与RD一个阻值比貌似可以调放大 倍数。不记得了,还请高人指点下
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