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[Ansys仿真] HFSS微带线 参考层怎么不起作用?

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发表于 2012-2-5 12:11 | 只看该作者 回帖奖励 |正序浏览 |阅读模式

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各位大哥4 V# d3 z8 P, m2 O5 o7 F" @
小弟刚学习HFSS 遇到,两个个很困惑的问题
5 N# P9 K: e' v( T% y% E% k
$ Q' A( n% V4 J& \+ w( l; U, R1,HFSS中作微带线仿真 上下参考层只能用介质边界作参考地" B  L' Q9 c. }- ~2 y7 P* W
/ A! D6 J7 x/ J. G# B: n6 o
自己添加的参考平面 信号根本不会参考上去,自己加的平面 存不存在对仿出来的阻抗完全没影响。。。
- M6 p/ t$ s* c+ A  K* H; p2 \' w
+ O5 E# p( K: x" f: W6 X: @4 Q2 ?其实 这个问题是在仿差分过孔发现的,信号孔旁边加的两个参考地孔完全不起作用。
7 X  |1 K; |: }$ }: u
; @. I; B+ O2 D3 s5 a2,在设置端口激励时,里面有个归一化选项,默认是要做归一化的。) y& D+ G* y& S5 a0 t/ I- g4 B
问题来了,勾上归一化,算出来的阻抗恒定100ohm。不勾上,作出来的S参数完全不对。。。
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发表于 2015-5-7 16:26 | 只看该作者
我也是新手,来学习一下6 N3 I5 B4 `$ `# w- P

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发表于 2015-4-29 09:32 | 只看该作者
我来看看
6 W, `7 @! G& D+ o7 x. p

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发表于 2012-3-13 13:10 | 只看该作者
看了这个帖子真是受益匪浅,楼主和我现在做的东西很像,呵呵,版主的回答也很好,我要慢慢的看完所有的帖子

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发表于 2012-2-14 15:47 | 只看该作者
本帖最后由 yuxuan51 于 2012-2-14 15:49 编辑 3 y* v$ I: Y/ x5 \# y
ring630 发表于 2012-2-14 13:53 / i6 |8 q. S- S) d- M, j: W7 Q
嗯 确实是这样的
( r1 S1 M2 D+ T- k现在基本上已经成功了 哈哈
% [' p9 W* u8 [0 e2 X) R谢谢啦

' E+ s1 i% M5 X4 x2 x) k7 J/ u! p+ ~1 C' X7 P
不能什么问题都要问别人,这样你会学习的很慢,也会养成一种不愿意自己解决问题的习惯* R0 j6 O% @) z7 X
3 J1 V# j. ~5 ~+ d( h) T5 }
授人之鱼,不如授人以渔,给你个网址+ ?# T; ~4 \$ T% V: w: w/ \2 [
http://bbs.rfeda.cn/thread.php?fid=399
- G- h3 @  F* i- F+ b( I) P# G+ I! i; S/ q! V- M
里面有中文的HFSS教程,试着自己去解决问题。实在想不明白的可以继续来问嘛{:soso_e100:}

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 楼主| 发表于 2012-2-14 13:53 | 只看该作者
yuxuan51 发表于 2012-2-13 16:36
1 E6 z2 S, V5 L$ i! l0 k+ S毫无疑问是阶跃信号,你可以看下TDR仪器简单的工作原理便可得知

4 b" |. C4 n7 l' B* ^( o嗯 确实是这样的 ( z  s1 b9 D  S- j7 J* D0 ^
现在基本上已经成功了 哈哈
; F6 s; a" d5 ?+ b, ~4 c- F1 ~0 G谢谢啦
: J- @. v+ i2 V& \) T- C! ]0 k% }) P8 |1 Y3 m4 b3 V; L
另外 怎么从HFSS到处模型S参数到其他仿真软件里用呢?

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发表于 2012-2-13 16:36 | 只看该作者
ring630 发表于 2012-2-13 16:23 3 [  i9 D  W. K8 S
参数确实输错了5 Z. u' n# i- k- I6 p

8 `9 k, o' v" H; x; I* u/ b2 a一般做TDR仿真,使用阶跃响应 还是 冲击响应?

) y+ Q+ G9 e1 D$ s毫无疑问是阶跃信号,你可以看下TDR仪器简单的工作原理便可得知

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 楼主| 发表于 2012-2-13 16:23 | 只看该作者
yuxuan51 发表于 2012-2-13 11:38 4 w$ h" d; m1 Y2 r% l
你好,早上帮你看了下,首先就几个能回答的问题先回答一下
) q- W5 I7 H1 V0 u: c2 u5 J1 s9 e1.我看了下3D结构图,发现你在SI9000里的参数 ...
% v) E2 n9 P5 L, a) r* W. O
参数确实输错了9 X! t1 r2 b7 M  X% z

' {& ~$ i/ f/ w# ~% l7 b6 W一般做TDR仿真,使用阶跃响应 还是 冲击响应?, c7 q$ Z4 r" }# e* H5 f
现在看来在归一化情况下,阶跃响应的结果更靠谱些。

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发表于 2012-2-13 11:38 | 只看该作者
ring630 发表于 2012-2-10 20:48 4 ?, o  V& \% j4 Z3 ~
那就太感谢了

9 W5 N) y) X* v: U( |你好,早上帮你看了下,首先就几个能回答的问题先回答一下9 O) D  Z3 I7 \1 b) ?+ Z
1.我看了下3D结构图,发现你在SI9000里的参数写的和实际画的3D图是不一样的,我在3D图里量了一下,然后用量的参数在用SI9000计算得出来的结果和HFSS归一化后计算出来的阻抗是很接近的,下面我帖一张图,你也可以自己再去量看看
/ H  |8 O: m. d) p% i! h' A0 S2 }% J/ F' A2 R3 F" d1 C8 V& Y
2.关于不归一化的这个问题我也觉得很疑惑,按理说端口的不归一化最多影响的是S参数的表现形式,对于阻抗这种物体本身的特性应该没有影响,不过我还有一些疑惑,所以暂时可能还无法解答你,实在抱歉。等有了答案肯定会告知8 P4 p' R( l1 c6 d/ M; F
不过归一化跑出来的结果肯定是没有问题的,一般来说PCB的走线或者VIA仿真之类的都会对归一化进行处理,归一化和非归一化之间可以相互转化,其实也就是S参数矩阵的转化,所以你平时使用时都按着归一化处理就行,我以前确实没注意到非归一化的TDR问题
8 a. M5 K' q& J+ W
8 l0 f8 S$ d- ?; C& h! `3.关于阻抗为什么不在0点变化应该是由于PORT的关系吧,最后收敛到某个阻抗也是和PORT有关系" n9 Y  F3 Y7 y) e; a

6 l* o: Y( k4 ~9 B  n# v; N& W8 Y' p; u0 D# V9 e

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 楼主| 发表于 2012-2-10 23:34 | 只看该作者

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发表于 2012-2-10 20:50 | 只看该作者
ring630 发表于 2012-2-10 20:48
, O3 `/ U8 T7 |# |那就太感谢了

, d8 Q5 h# s) b  ~' [么事,你能先把你的3D图截个给我看看么

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 楼主| 发表于 2012-2-10 20:48 | 只看该作者
yuxuan51 发表于 2012-2-10 20:45
% C  U6 ~7 W. V4 |8 x6 K不巧家里电脑没装HFSS,周一帮你去公司看看
8 d3 {; _* c6 ]# E& d
那就太感谢了

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发表于 2012-2-10 20:45 | 只看该作者
ring630 发表于 2012-2-10 19:56 0 H/ D2 `& x' w% T0 F
线宽200um 线距405um 上层高100um 下层高200um 线长2inch 5 N% Q: H" _3 c3 S. R0 C
算出来特征阻抗67.93ohm

; s% B0 ]6 o  u不巧家里电脑没装HFSS,周一帮你去公司看看

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 楼主| 发表于 2012-2-10 19:56 | 只看该作者
yuxuan51 发表于 2012-2-8 16:22 5 P6 ^/ E9 D2 K4 S# Q. H
你的工程我大致看了一下,也跑了一下,发现有一个问题,就是扫描参数设置那里,将DC extrapolation勾上 ...

9 i3 D8 G/ b# X& W+ y 9 O9 a# ?, x+ O7 v
线宽200um 线距405um 上层高100um 下层高200um 线长2inch ( x$ K& }- O/ L, t' V
算出来特征阻抗67.93ohm3 w/ O" z1 n3 |+ \

8 K3 b* f! M" i: ~3 i# F端口归一化 阶跃响应 TDR
2 I: E, [) B. }0 ]- Z6 N" }% {2 Q" C可以看到HFSS 仿真出来阻抗为86ohm 与si9000相去甚远6 X* `! t! L; D3 v9 Z% g6 C

* b; f1 a: ^. y/ F/ x# D. x( c5 P取消归一化 端口1 端口2 阻抗以高一低 且基本在100ohm上下
+ F! y2 m: L, h6 v9 c
0 x1 z: q# X. z# L3 _- o端口归一化后的 冲击响应TDR
+ H1 w0 f( O( c2 F* Q7 _# G( P阻抗变化在1.16ns处,且阻抗仅在100ohm附近变化+ `* |) L& a+ l: S8 I5 f" @

/ N& N1 r9 s1 R0 D/ C0 Q端口未做归一化,阻抗在0.14ns出发生变化,这时阻抗为负数,在-100ohm附近变化。
2 O  R3 e/ |# n' c4 J0 I3 d# e9 H: o
1 }# l; @2 b2 [0 C7 ~
归一化后的s11
. y; o- M; S" k
2 [+ s( `( d9 ?: A1 h( {0 u1 E( u未做归一化的s11" P# D7 s2 X. {5 X+ t
8 A% ]/ ~/ e7 e$ r$ R( m0 x1 B
首先HFSS仿出来的特征阻抗与si9000的结果相差很大,到底应该以谁为准?/ f3 x6 `' j2 t1 v/ d$ `
端口做不做归一化对 S11 阶跃响应TDR 冲击响应TDR 的影响非常大。这几个参数 分别应该在什么条件下 才回得到正确的结果?
" U* C& R3 A# I* x; Z为什么端口不做归一化 冲击响应TDR得到的阻抗是负数?
) O% s5 b4 W2 O- X4 m# m9 S此工程中的差分线是阻抗连续的,为什么TDR图中,阻抗变化点不是在0时刻 而且不同设置下 阶跃响应和冲击响应得到的
1 ?. j' z5 `7 g' F! q5 F跳变时间不同?, A1 A7 K/ \! d* X1 A, B: M% ?

% b+ A6 T! J8 ?' K) a以下为具体设置和工程文件
0 ]2 i% W: k0 i7 ?5 `4 {5 [  `
/ U& v) e* ]; C* z: a! M
# d1 I- h  \% s " }" Y3 U5 s+ K7 c. [8 v# v# q- E; n4 c
* }) G: l4 m: h# p
" S0 t$ H" w% _% E* a6 Z; @7 G
Archive.part4.rar (2.77 MB, 下载次数: 26)
* h$ }+ e* c4 Y6 d1 r+ P
* N' @! h0 ^5 Z2 k, \" _, o8 s Archive.part3.rar (3.81 MB, 下载次数: 33)   z7 V4 p1 U7 u, Y9 c5 O* V

& Q2 c9 s7 L$ H3 V Archive.part2.rar (3.81 MB, 下载次数: 32)
' h! M- f( _2 k4 _$ Q
+ H, `  g1 k  I Archive.part1.rar (3.81 MB, 下载次数: 38)
) M* d. R: k( t* l
/ q1 y; U- }+ \- G8 ^6 b

impedence.jpg (68.1 KB, 下载次数: 6)

impedence.jpg

si9000_impedence_100um.jpg (34.67 KB, 下载次数: 7)

si9000_impedence_100um.jpg

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发表于 2012-2-8 16:22 | 只看该作者
ring630 发表于 2012-2-8 14:14
( z$ u# r) z, d+ W3 M: [等下吧工程传上来
, W( m9 w3 ~/ ?/ Y: M. g5 p网络慢# A2 C" u6 i9 ?
麻烦帮我看下应该怎么设置 带状线线宽带来的阻抗变化 才能正确的反应在TDR曲线 ...

0 J. n* c! Q8 s0 v  H/ a( W  s
: y/ l* u' J* @( b9 ], X8 u你的工程我大致看了一下,也跑了一下,发现有一个问题,就是扫描参数设置那里,将DC extrapolation勾上,然后填写一个合适的频率用作直流外推的门限频率值,这时频率设置那块开始值则自动从0开始,然后将步长设置小一点。你一开始的设置是从1G开始的,S参数没有包含低频分量,不太准确。下图
/ N" m0 Q% P7 `) Q6 Z& D! N$ o0 Y  l% |. e
( c; W9 o. r* w9 M) S
, N! Y% u- X; J, w1 H/ S! k

! Z( L% O. V. r/ C6 `  p- o: S2 a" i. r
看TDR就用我刚才说的做就可以看了,端口归一化不归一化问题不大,主要区别是最后阻抗曲线收敛于归一化的值还是非归一化的值
8 M8 {9 u/ \( Q/ Q* x' E# U- u$ d' C0 A0 T! m1 R
你自己先做着,有什么不清楚的我再给你解答
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