关于去耦电容放置的问题请教

jang2lin

小弟刚涉及到PI问题没多久，基本处于菜鸟水平，正在做的一个项目，有问题困扰了我很长时间，在此向各位大哥请教：
# a0 W& r5 x2 ~! P( I
7 O0 U  A: K3 l5 Z. V2 g* R; C+ O1、对于一个芯片电源的去耦，有两种方案：A、VCC层铺铜，打过孔连到电容引脚上，再从电容脚上直接拉线到芯片的电源脚；B、用VCC层全部铺铜过去，电容和芯片电源脚都打过孔到VCC层。两种方案哪个更好，为什么？能不能通过理论解释一下。

7 y7 R4 U5 G( e; S! b7 L/ ?0 {2、对于BGA芯片的电源脚，一般会放几个0.1uF的陶瓷电容去耦。A、这些电容放正面，VCC层——过孔——电容脚——电容脚上拉线——BGA脚；B、这些电容放背面，VCC层——过孔——同时连到电容脚和BGA脚。个人认为这两种方式的区别在于：前者是先过电容，再到芯片脚，后者是过孔出来同时到电容脚和芯片脚；另外前者电容的位置会稍远，后者可贴近BGA脚放置。这两种方式哪种更好一点，为什么？

0 c  J. {& {% {* N$ P0 I6 G3、退耦半径是个什么概念，由什么原理产生的？有什么决定了半径的大小？有没有个一般经验值可以参考的，比如说BGA芯片电源脚的0.1uF电容，半径多少？
( }. l. U8 P* b/ G- A
! U- V  A# P) G6 J7 i6 g问题比较浅，请哪位大哥帮小弟答疑解惑一下，感激不尽！！

羽族

顶！请教中...

lnsxasd

请参考 于博士信号完整性研究网，级别太低不让发网址，自己找找。

qibenxiajiang

我也想知道，求解···

wwddss_1976

对于BGA，一般采用的是平面退耦，即B、用VCC层全部铺铜过去，电容和芯片电源脚都打过孔到VCC层。